基本信息:
- 专利标题： 用于在CMOS图像传感器中玻璃去除的方法和装置
- 申请号：CN201310080243.6 申请日：2013-03-13
- 公开(公告)号：CN103378115B 公开(公告)日：2017-11-24
- 发明人： 陈保同 , 陈思莹 , 杨敦年 , 刘人诚
- 申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 申请人地址： 中国台湾新竹
- 专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人地址： 中国台湾新竹
- 代理机构： 北京德恒律治知识产权代理有限公司
- 代理人： 章社杲; 孙征
- 优先权： 61/625,969 2012.04.18 US
- 主分类号： H01L27/146
- IPC分类号： H01L27/146
摘要：
本发明提供了用于在形成CMOS图像传感器的同时去除玻璃的方法。提供了用于形成器件的方法，包括在器件晶圆上形成多个像素阵列；将载具晶圆接合至器件晶圆的第一面；在器件晶圆的第二面的上方接合衬底；减薄载具晶圆；形成与器件晶圆的第一面的电连接件；然后，使衬底与器件晶圆的第二面分离；以及随后从器件晶圆分割出多个像素阵列的单独像素阵列。公开了一种装置。本发明还提供了用于在CMOS图像传感器中玻璃去除的方法和装置。
摘要（英）：
Methods for glass removal while forming CMOS image sensors. A method for forming a device is provided that includes forming a plurality of pixel arrays on a device wafer; bonding a carrier wafer to a first side of the device wafer; bonding a substrate over a second side of the device wafer; thinning the carrier wafer; forming electrical connections to the first side of the device wafer; subsequently de-bonding the substrate from the second side of the device wafer; and subsequently singulating individuals ones of the plurality of pixel arrays from the device wafer. An apparatus is disclosed.
公开/授权文献:
- CN103378115A 用于在CMOS图像传感器中玻璃去除的方法和装置 公开/授权日：2013-10-30
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L27/00 | 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件 |
| --------H01L27/02 | .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的 |
| ----------H01L27/144 | ..由辐射控制的器件 |
| ------------H01L27/146 | ...图像结构 |