基本信息:
- 专利标题： 一种检测刻蚀残留的方法
- 申请号：CN201310233393.6 申请日：2013-06-13
- 公开(公告)号：CN103337465B 公开(公告)日：2017-08-25
- 发明人： 王琳琳 , 陈曦 , 王守坤 , 袁剑峰
- 申请人： 京东方科技集团股份有限公司 , 北京京东方显示技术有限公司
- 申请人地址： 北京市朝阳区酒仙桥路10号;
- 专利权人： 京东方科技集团股份有限公司,北京京东方显示技术有限公司
- 当前专利权人： 京东方科技集团股份有限公司,北京京东方显示技术有限公司
- 当前专利权人地址： 北京市朝阳区酒仙桥路10号;
- 代理机构： 北京中博世达专利商标代理有限公司
- 代理人： 申健
- 主分类号： H01L21/66
- IPC分类号： H01L21/66
摘要：
本发明实施例提供了一种检测刻蚀残留的方法，涉及显示技术领域，可实现检测刻蚀残留的目的，从而提高产品良率;该方法包括获取待检测处的图案;对所述待检测处的图案进行红外光谱测试，得到红外光谱图;根据所述红外光谱图，判断是否存在残留物质。用于制备阵列基板或对盒基板过程中刻蚀残留的检测。
公开/授权文献:
- CN103337465A 一种检测刻蚀残留的方法 公开/授权日：2013-10-02
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/66 | .在制造或处理过程中的测试或测量 |