基本信息:
- 专利标题： 半导体器件及用于制造半导体器件的方法
- 专利标题（英）：Semiconductor device and method for fabricating the same?
- 申请号：CN201310071436.5 申请日：2013-03-06
- 公开(公告)号：CN103311244A 公开(公告)日：2013-09-18
- 发明人： 弗朗茨·赫尔莱尔 , 安德烈亚斯·迈塞尔
- 申请人： 英飞凌科技奥地利有限公司
- 申请人地址： 奥地利菲拉赫
- 专利权人： 英飞凌科技奥地利有限公司
- 当前专利权人： 英飞凌科技奥地利有限公司
- 当前专利权人地址： 奥地利菲拉赫
- 代理机构： 北京康信知识产权代理有限责任公司
- 代理人： 余刚; 李静
- 优先权： 13/413,315 2012.03.06 US
- 主分类号： H01L27/06
- IPC分类号： H01L27/06 ; H01L27/092 ; H01L29/04 ; H01L21/82 ; H01L21/8238
摘要：
本发明公开了一种半导体器件及用于制造半导体器件的方法。在一个实施例中，半导体器件包括两种不同的半导体材料。这两种半导体材料彼此邻近地布置在共同平面上。
摘要（英）：
A semiconductor device and a method for fabricating the same are disclosed. In one embodiment, the semiconductor device includes two different semiconductor materials. The two semiconductor materials are arranged adjacent one another in a common plane.
公开/授权文献:
- CN103311244B 半导体器件及用于制造半导体器件的方法 公开/授权日：2016-08-03
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L27/00 | 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件 |
| --------H01L27/02 | .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的 |
| ----------H01L27/04 | ..其衬底为半导体的 |
| ------------H01L27/06 | ...在非重复结构中包括有多个单个组件的 |