基本信息:
- 专利标题： 苝基半导体及其制备方法和用途
- 申请号：CN201180063342.2 申请日：2011-12-19
- 公开(公告)号：CN103283053B 公开(公告)日：2016-01-20
- 发明人： A·法凯蒂 , 陈志华 , 颜河 , M·卡斯特勒 , F·德兹
- 申请人： 巴斯夫欧洲公司 , 破立纪元有限公司
- 申请人地址： 德国路德维希港
- 专利权人： 巴斯夫欧洲公司,破立纪元有限公司
- 当前专利权人： 飞利斯有限公司
- 当前专利权人地址： 德国路德维希港
- 代理机构： 北京市中咨律师事务所
- 代理人： 刘金辉; 林柏楠
- 优先权： 61/428,668 2010.12.30 US
- 国际申请： PCT/IB2011/055760 2011.12.19
- 国际公布： WO2012/090110 EN 2012.07.05
- 进入国家日期： 2013-06-28
- 主分类号： H01L51/30
- IPC分类号： H01L51/30 ; C07D471/06
摘要：
本发明提供了由氮官能化萘嵌苯双(二甲酰亚胺)化合物的富对映体混合物制备的半导体。具体而言，本发明的富对映体混合物可具有与外消旋物或光学纯形式的对映体中的任一种相比意想不到的电子传递效率。
公开/授权文献:
- CN103283053A 苝基半导体及其制备方法和用途 公开/授权日：2013-09-04