基本信息:
- 专利标题： 用于形成空穴注入传输层的含过渡金属的纳米粒子及其制造方法
- 申请号：CN201310049424.2 申请日：2009-04-28
- 公开(公告)号：CN103107289B 公开(公告)日：2015-08-26
- 发明人： 上野滋弘 , 桥本庆介 , 冈田政人 , 武诚司 , 田口洋介 , 加纳正隆 , 藤本慎也
- 申请人： 大日本印刷株式会社
- 申请人地址： 日本国东京都
- 专利权人： 大日本印刷株式会社
- 当前专利权人： 大日本印刷株式会社
- 当前专利权人地址： 日本国东京都
- 代理机构： 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理人： 张宝荣
- 优先权： 2008-117571 2008.04.28 JP
- 分案原申请号： 2009801149491 2009.04.28
- 主分类号： H01L51/50
- IPC分类号： H01L51/50 ; H05B33/10 ; H01L51/56
摘要：
本发明是用于形成空穴注入传输层的含过渡金属的纳米粒子及其制造方法。提供一种制造工艺简单且可以实现长寿命的器件。所述器件的特征在于，具有在基板上对置的2个以上电极和配置在其中的2个电极间的空穴注入传输层，所述空穴注入传输层含有含过渡金属的纳米粒子，所述含过渡金属的纳米粒子包含至少含过渡金属氧化物的过渡金属化合物及过渡金属和保护剂，或者包含至少含过渡金属氧化物的过渡金属化合物和保护剂。
公开/授权文献:
- CN103107289A 用于形成空穴注入传输层的含过渡金属的纳米粒子及其制造方法 公开/授权日：2013-05-15