基本信息:
- 专利标题： 等离子体处理设备及盖组件
- 申请号：CN201210549648.5 申请日：2012-10-08
- 公开(公告)号：CN103050362B 公开(公告)日：2017-05-17
- 发明人： 詹姆斯·D·卡达希 , 哈密迪·塔瓦索里 , 阿吉特·巴拉克利斯纳 , 陈智刚 , 安德鲁·源 , 道格拉斯·A·小布什伯格 , 卡尔蒂克·贾亚拉曼 , 沙希德·劳夫 , 肯尼思·S·柯林斯
- 申请人： 应用材料公司
- 申请人地址： 美国加利福尼亚州
- 专利权人： 应用材料公司
- 当前专利权人： 应用材料公司
- 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚州
- 代理机构： 上海专利商标事务所有限公司
- 代理人： 侯颖媖
- 优先权： 61/543,565 20111005 US
- 主分类号： H01J37/32
- IPC分类号： H01J37/32
摘要：
本发明提供一种对称等离子体处理室。本发明实施例提供允许极其对称的电、热和气体传导通过室的室设计。通过提供这种对称，形成在室内的等离子体自然地在设置在室的处理区域中的衬底的表面上具有改进的均匀性。这种改进的对称性以及其他室的附加情况（诸如提供操纵上下电极之间以及在气体入口和被处理的衬底之间的间隙的能力）相较于传统的系统允许对等离子体处理和均匀性更好的控制。
公开/授权文献:
- CN103050362A 对称等离子体处理室 公开/授权日：2013-04-17