基本信息:
- 专利标题： 拓扑绝缘体结构
- 专利标题（英）：Topological insulator structure
- 申请号：CN201210559554.6 申请日：2012-12-21
- 公开(公告)号：CN103022344A 公开(公告)日：2013-04-03
- 发明人： 薛其坤 , 何珂 , 马旭村 , 陈曦 , 王立莉 , 常翠祖 , 冯硝 , 李耀义 , 贾金锋
- 申请人： 清华大学 , 中国科学院物理研究所
- 申请人地址： 北京市海淀区北京100084-82信箱
- 专利权人： 清华大学,中国科学院物理研究所
- 当前专利权人： 清华大学,中国科学院物理研究所
- 当前专利权人地址： 北京市海淀区北京100084-82信箱
- 代理机构： 深圳市鼎言知识产权代理有限公司
- 代理人： 哈达
- 主分类号： H01L43/08
- IPC分类号： H01L43/08 ; H01L43/10 ; C01B19/00
摘要：
本发明涉及一种拓扑绝缘体结构，包括：绝缘基底及设置在绝缘基底表面的磁性掺杂拓扑绝缘体量子阱薄膜；该磁性掺杂拓扑绝缘体量子阱薄膜的材料由化学式Cry(BixSb1-x)2-yTe3表示，其中0.05
摘要（英）：
The invention relates to a topological insulator structure which comprises an insulating substrate and a magnetic doped topological insulator quantum well film arranged on the surface of the insulating substrate. The magnetic doped topological insulator quantum well film is made of materials shown by a chemical formula Cry (BixSb1-x) 2-yTe3, 0.05 (x (0.3, 0 (y (0.3, 1:1 (x:y (2:1, and the thickness of the magnetic doped topological insulator quantum well film ranges from 3QL to 5QL.
公开/授权文献:
- CN103022344B 拓扑绝缘体结构 公开/授权日：2015-01-21
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L43/00 | 应用电—磁或者类似磁效应的器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L43/08 | .磁场控制的电阻器 |