基本信息:
- 专利标题： 一种基于截止环的高压大功率IGBT芯片及其设计方法
- 专利标题（英）：High voltage and high power IGBT (Insulated Gate Bipolar Translator) chip based on cutoff rings and designing method of chip
- 申请号：CN201210432069.2 申请日：2012-11-02
- 公开(公告)号：CN103022114B 公开(公告)日：2015-04-29
- 发明人： 刘江 , 赵哿 , 高明超 , 金锐
- 申请人： 国网智能电网研究院 , 国家电网公司
- 申请人地址： 北京市昌平区小汤山镇大东流村路270号(未来科技城)
- 专利权人： 国网智能电网研究院,国家电网公司
- 当前专利权人： 南瑞联研半导体有限责任公司
- 当前专利权人地址： 北京市昌平区小汤山镇大东流村路270号(未来科技城)
- 代理机构： 北京安博达知识产权代理有限公司
- 代理人： 徐国文
- 主分类号： H01L29/739
- IPC分类号： H01L29/739 ; H01L29/06 ; H01L21/331
摘要：
本发明涉及一种IGBT芯片及其设计方法，具体涉及一种基于截止环的高压大功率IGBT芯片及其设计方法。截止环分布在终端基本单元及划片槽区域之间，用于与多晶场板或金属场板形成等电位，切断IGBT芯片表面漏电沟道，减少IGBT表面漏电；所述截止环应用在电网高压大功率的IGBT芯片中。本发明电网应用大功率IGBT截止环设计方法，将传统快恢复二极管的终端截止环设计应用于高压大功率IGBT芯片设计，工艺简单，适用不同终端结构IGBT芯片的设计，可行性强。
公开/授权文献:
- CN103022114A 一种基于截止环的高压大功率IGBT芯片及其设计方法 公开/授权日：2013-04-03
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/72 | ....晶体管型器件，如连续响应于所施加的控制信号的 |
| ----------------H01L29/739 | .....受场效应控制的 |