![表征电子元件对损毁机制的敏感度的方法](/CN/2011/8/6/images/201180033072.jpg)
基本信息:
- 专利标题: 表征电子元件对损毁机制的敏感度的方法
- 申请号:CN201180033072.0 申请日:2011-06-30
- 公开(公告)号:CN102959416B 公开(公告)日:2016-02-03
- 发明人: 弗洛伦特·米勒 , 塞巴斯蒂安·莫兰德
- 申请人: 欧洲航空防务与空间公司-EADS法国
- 申请人地址: 法国巴黎
- 专利权人: 欧洲航空防务与空间公司-EADS法国
- 当前专利权人: 欧洲航空防务与空间公司-EADS法国
- 当前专利权人地址: 法国巴黎
- 代理机构: 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理人: 李春晖; 李德山
- 优先权: 1055292 2010.07.01 FR
- 国际申请: PCT/EP2011/061034 2011.06.30
- 国际公布: WO2012/001119 FR 2012.01.05
- 进入国家日期: 2012-12-31
- 主分类号: G01R31/28
- IPC分类号: G01R31/28 ; G01R31/00 ; G01R31/311
摘要:
本发明的目标在于表征电子元件对天然辐射事件的敏感度的表征方法,其中:使电子元件投入使用;对于给定的粒子或入射束的特征,如能量和/或入射角和/或路径,确定SOA电压范围,超过该电压范围将发生所述元件的损毁事件;在接近所确定的SOA电压范围的最大电压值的工作条件中,用粒子或入射束的特征激励投入使用的电子元件;确定被放大的瞬时事件的有效截面,该有效截面对应所述元件的损毁现象的估值;修正所述粒子或所述入射束的特征,和重复对所述元件的激励;对于特征的每次修正,确定有效截面。
公开/授权文献:
- CN102959416A 表征电子元件对损毁机制的敏感度的方法 公开/授权日:2013-03-06
IPC结构图谱:
G | 物理 |
--G01 | 测量;测试 |
----G01R | 测量电变量;测量磁变量(通过转换成电变量对任何种类的物理变量进行测量参见G01类名下的 |
------G01R31/00 | 电性能的测试装置;电故障的探测装置;以所进行的测试在其他位置未提供为特征的电测试装置 |
--------G01R31/28 | .电路的测试,例如用信号故障寻测器 |