基本信息:
- 专利标题： 单晶金刚石材料
- 专利标题（英）：Single crystal diamond material
- 申请号：CN201080058400.8 申请日：2010-12-15
- 公开(公告)号：CN102959138A 公开(公告)日：2013-03-06
- 发明人： D·J·特威切恩 , H·K·迪隆 , G·A·斯卡斯布鲁克
- 申请人： 六号元素有限公司
- 申请人地址： 英国马恩岛巴拉萨拉
- 专利权人： 六号元素有限公司
- 当前专利权人： 六号元素有限公司
- 当前专利权人地址： 英国马恩岛巴拉萨拉
- 代理机构： 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理人： 李帆
- 优先权： 0922230.8 2009.12.21 GB
- 国际申请： PCT/EP2010/069825 2010.12.15
- 国际公布： WO2011/076642 EN 2011.06.30
- 进入国家日期： 2012-06-21
- 主分类号： C30B25/00
- IPC分类号： C30B25/00 ; C30B29/04 ; C30B25/10
摘要：
制备生长的单晶金刚石基材的方法，该方法包括：（a）提供呈现出（001）主表面的第一金刚石基材，该主表面受至少一个 边缘约束，所述至少一个 边缘的长度以至少1.3:1的比值超过与所述至少一个 边缘正交的表面的任何尺寸；和（b）在化学气相沉积（CVD）合成条件下在金刚石材料表面的（001）主表面上同质外延生长金刚石材料，金刚石材料垂直于主（001）表面生长，并且由此横向生长。
摘要（英）：
A method of producing a grown single crystal diamond substrate comprising: (a) providing a first diamond substrate which presents a (001) major surface, which major surface is bounded by at least one <100> edge, the length of the said at least one <100> edge exceeding any dimension of the surface that is orthogonal to the said at least one <100> edge by a ratio of at least 1.3 : 1; and (b) growing diamond material homoepitaxially on the (001) major surface of the diamond material surface under chemical vapour deposition (CVD) synthesis conditions, the diamond material growing both normal to the major (001) surface, and laterally therefrom.
公开/授权文献:
- CN102959138B 单晶金刚石材料 公开/授权日：2015-05-06