基本信息:
- 专利标题： 隔离型功率晶体管的制造方法
- 专利标题（英）：Manufacture method of isolation type power transistor
- 申请号：CN201110242328.0 申请日：2011-08-23
- 公开(公告)号：CN102956487B 公开(公告)日：2014-12-10
- 发明人： 韩峰 , 段文婷
- 申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
- 申请人地址： 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
- 专利权人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
- 当前专利权人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司
- 当前专利权人地址： 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
- 代理机构： 上海浦一知识产权代理有限公司
- 代理人： 丁纪铁
- 主分类号： H01L21/336
- IPC分类号： H01L21/336 ; H01L21/331
摘要：
本发明公开了一种隔离型功率晶体管的制造方法，本发明方法通过在栅多晶硅顶部形成的绝缘介质层、以及绝缘介质层侧面形成的侧壁介质层作为刻蚀形成器件之间的隔离层沟槽的硬掩膜，不需要增加额外的掩膜版就能在晶体管之间形成绝缘隔离层，既不会降低芯片内晶体管的密度，又能减少器件之间的串扰影响，有利于提高减少晶体管尺寸和提高芯片内晶体管的密度，能获得具有更小的导通电阻、更低的饱和压降和更大的电流驱动能力的功率器件。本发明方法因为不需要增加额外的掩膜版，所以还能降低制造成本。
公开/授权文献:
- CN102956487A 隔离型功率晶体管的制造方法 公开/授权日：2013-03-06
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/335 | .....场效应晶体管 |
| ------------------H01L21/336 | ......带有绝缘栅的 |