基本信息:
- 专利标题： 压电薄膜元件及压电薄膜设备
- 专利标题（英）：Piezoelectric thin film element, and piezoelectric thin film device
- 申请号：CN201180009228.1 申请日：2011-02-15
- 公开(公告)号：CN102754232A 公开(公告)日：2012-10-24
- 发明人： 末永和史 , 柴田宪治 , 渡边和俊 , 野本明
- 申请人： 日立电线株式会社
- 申请人地址： 日本东京都
- 专利权人： 日立电线株式会社
- 当前专利权人： 住友化学株式会社
- 当前专利权人地址： 日本东京都
- 代理机构： 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理人： 金世煜; 苗堃
- 优先权： 2010-031289 2010.02.16 JP
- 国际申请： PCT/JP2011/053097 2011.02.15
- 国际公布： WO2011/102329 JA 2011.08.25
- 进入国家日期： 2012-08-06
- 主分类号： H01L41/187
- IPC分类号： H01L41/187 ; H01L41/09 ; H01L41/18 ; H01L41/22
摘要：
本发明提供能够实现压电特性的提高、并具有高性能、且能够实现制造成品率的提高的压电薄膜元件及压电薄膜设备。压电薄膜元件（1）具备基板（10）和压电薄膜（40），所述压电薄膜（40）设在基板（10）上，具有用通式（NaxKyLiz）NbO3（0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤0.2，x+y+z=1）表示、选自近似立方晶、正方晶、及斜方晶中的至少一种晶体结构，含有以质量比计为80ppm以下的非活性气体元素。
摘要（英）：
Disclosed are a piezoelectric thin film element and a piezoelectric thin film device which have improved piezoelectric properties and high performance and can be produced in improved yields. The piezoelectric thin film element (1) comprises: a substrate (10); and a piezoelectric thin film (40) which is arranged on the substrate (10), has at least one crystal structure represented by general formula (NaxKyLiz)NbO3 (0<=x<=1, 0<=y<=1, 0<=z<=0.2, x+y+z=1) and selected from the group consisting of a pseudo-cubic crystal, a hexagonal crystal and an orthorhombic crystal, and contains an inert gas element at a ratio of 80 ppm or less by mass.
公开/授权文献:
- CN102754232B 压电薄膜元件及压电薄膜设备 公开/授权日：2014-10-22
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H04 | 电通信技术 |
| ----H04R | 扬声器、送话器、唱机拾音器或类似的传感器 |
| ------H01L41/16 | .材料的选择 |
| --------H01L41/18 | ..用于压电器件或电致伸缩器件的 |
| ----------H01L41/187 | ...陶瓷合成物 |