基本信息:
- 专利标题： 具有多层布线结构的半导体装置及其制造方法
- 专利标题（英）：Semiconductor device having multilayer wiring structure and manufacturing method of the same
- 申请号：CN201110279467.0 申请日：2011-09-20
- 公开(公告)号：CN102446888A 公开(公告)日：2012-05-09
- 发明人： 新井一能
- 申请人： 兆装微股份有限公司
- 申请人地址： 日本东京都
- 专利权人： 兆装微股份有限公司
- 当前专利权人： 兆探晶股份有限公司
- 当前专利权人地址： 日本东京都
- 代理机构： 永新专利商标代理有限公司
- 代理人： 徐殿军
- 优先权： 220481/2010 2010.09.30 JP
- 主分类号： H01L23/522
- IPC分类号： H01L23/522 ; H01L21/768
摘要：
半导体装置(1)具备半导体芯片(10)、层叠在半导体芯片(10)之上的多层布线结构(30)、以及埋设在多层布线结构(30)中的电子部件(60、80)。
摘要（英）：
Disclosed is a semiconductor device (1) comprising: a semiconductor chip (10); a multilayer wiring structure (30) stacked on the semiconductor chip (10); and an electronic component (60,80) embedded in the multilayer wiring structure (30).
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L23/00 | 半导体或其他固态器件的零部件 |
| --------H01L23/34 | .冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置 |
| ----------H01L23/522 | ..包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的 |