基本信息:
- 专利标题： 蚀刻方法、制造微观结构的方法和蚀刻装置
- 专利标题（英）：Etching method, method for manufacturing microstructure, and etching apparatus
- 申请号：CN201010591444.9 申请日：2010-12-16
- 公开(公告)号：CN102102211A 公开(公告)日：2011-06-22
- 发明人： 田家真纪子 , 速水直哉 , 佐藤伸良 , 米仓由里 , 平林英明 , 黑川祯明 , 小林信雄 , 加藤昌明 , 土门宏纪
- 申请人： 株式会社东芝 , 芝浦机械电子株式会社 , 氯工程株式会社
- 申请人地址： 日本东京都
- 专利权人： 株式会社东芝,芝浦机械电子株式会社,氯工程株式会社
- 当前专利权人： 株式会社东芝,芝浦机械电子株式会社,迪诺拉永久电极股份有限公司
- 当前专利权人地址： 日本东京都
- 代理机构： 永新专利商标代理有限公司
- 代理人： 过晓东
- 优先权： 285433/2009 2009.12.16 JP
- 主分类号： C25B1/30
- IPC分类号： C25B1/30 ; C25B1/28 ; C25B1/13 ; C25B15/02 ; C25B15/08
摘要：
在一个实施方案中，公开了一种蚀刻方法。该方法可以包括通过电解硫酸溶液产生氧化性物质、和通过控制氧化性物质的生成量来产生具有规定的氧化剂浓度的蚀刻溶液。该方法可包括将所生产的蚀刻溶液供应到工件表面。
摘要（英）：
In one embodiment, an etching method is disclosed. The method can include producing an oxidizing substance by electrolyzing a sulfuric acid solution, and producing an etching solution having a prescribed oxidizing species concentration by controlling a produced amount of the produced oxidizing substance. The method can include supplying the produced etching solution to a surface of a workpiece.
公开/授权文献:
- CN102102211B 蚀刻方法、制造微观结构的方法和蚀刻装置 公开/授权日：2013-01-23
IPC结构图谱:
| C | 化学；冶金 |
| --C25 | 电解或电泳工艺；其所用设备 |
| ----C25B | 生产化合物或非金属的电解工艺或电泳工艺；其所用的设备 |
| ------C25B1/00 | 无机化合物或非金属的电解生产 |
| --------C25B1/24 | .卤素或其化合物的 |
| ----------C25B1/30 | ..过氧化物 |