基本信息:
- 专利标题： 含多层氧氮化物层的氧化物-氮化物-氧化物堆栈
- 申请号：CN200910134374.1 申请日：2009-04-10
- 公开(公告)号：CN101859702B 公开(公告)日：2016-12-07
- 发明人： 赛格·利维 , 克里希纳斯瓦米·库马尔 , 弗雷德里克·詹纳 , 萨姆·吉哈
- 申请人： 赛普拉斯半导体公司
- 申请人地址： 美国加利福尼亚州圣何塞市
- 专利权人： 赛普拉斯半导体公司
- 当前专利权人： 赛普拉斯半导体公司
- 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚州圣何塞市
- 代理机构： 北京安信方达知识产权代理有限公司
- 代理人： 周靖; 郑霞
- 主分类号： H01L21/316
- IPC分类号： H01L21/316 ; C23C16/44 ; H01L21/283 ; H01L29/792 ; H01L29/423
摘要：
本发明公开了一种含有多层电荷存储层的氧化物-氮化物-氧化物(ONO)堆栈的半导体器件及其形成方法。通常，该方法涉及：(i)形成ONO结构上的第一氧化物层；(ii)在第一氧化物层上形成含有氮化物的多层电荷存储层；以及(iii)在多层电荷储存层上形成ONO结构第二氧化物层。优选的是电荷存储层包含至少两个含有不同氧，氮，和/或硅化学组成比的硅氧氮化物层。更优选的是ONO结构是硅-氧化物-氮化物-氧化物-硅(SONOS)结构的一部分，且该半导体器件是SONOS存储晶体管。
公开/授权文献:
- CN101859702A 含多层氧氮化物层的氧化物-氮化物-氧化物堆栈 公开/授权日：2010-10-13
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/302 | .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割 |
| ------------------H01L21/314 | ......无机层 |
| --------------------H01L21/316 | .......由氧化物或玻璃状氧化物或以氧化物为基础的玻璃组成的无机层 |