基本信息:
- 专利标题： 含多层氧氮化物层的氧化物-氮化物-氧化物堆栈
- 专利标题（英）：Oxide-nitride-oxide stack containing a plurality of oxynitrides layers
- 申请号：CN200910134374.1 申请日：2009-04-10
- 公开(公告)号：CN101859702A 公开(公告)日：2010-10-13
- 发明人： 赛格·利维 , 克里希纳斯瓦米·库马尔 , 弗雷德里克·詹纳 , 萨姆·吉哈
- 申请人： 赛普拉斯半导体公司
- 申请人地址： 美国加利福尼亚州圣何塞市
- 专利权人： 赛普拉斯半导体公司
- 当前专利权人： 赛普拉斯半导体公司
- 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚州圣何塞市
- 代理机构： 北京银龙知识产权代理有限公司
- 代理人： 钟晶
- 主分类号： H01L21/316
- IPC分类号： H01L21/316 ; C23C16/44 ; H01L21/283 ; H01L29/792 ; H01L29/423
The invention discloses a semiconductor device of an oxide-nitride-oxide (ONO) stack containing a plurality of charge storage layers and a forming method thereof. Generally, the method comprises the following steps of: firstly, forming a first oxide layer on an ONO structure; secondly, forming the plurality of charge storage layers containing nitride on the first oxide layer; and thirdly, forming a second oxide layer in the ONO structure on the plurality of charge storage layers. Preferably, each charge storage layer comprises at least two silicon oxynitride layers with two chemical constitutional ratios of oxygen, nitrogen and/or silicon. More preferably, the ONO structure is a part of a silicon-oxide-nitride-oxide-silicon (SONOS) structure, and the semiconductor device is an SONOS memory transistor.
公开/授权文献:
- CN101859702B 含多层氧氮化物层的氧化物-氮化物-氧化物堆栈 公开/授权日：2016-12-07
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/302 | .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割 |
| ------------------H01L21/314 | ......无机层 |
| --------------------H01L21/316 | .......由氧化物或玻璃状氧化物或以氧化物为基础的玻璃组成的无机层 |