基本信息:
- 专利标题： 形成集成电路装置的制造方法及相应的集成电路装置
- 专利标题（英）：Manufacturing method for forming an integrated circuit device and corresponding integrated circuit device
- 申请号：CN200810175274.9 申请日：2008-11-10
- 公开(公告)号：CN101436539A 公开(公告)日：2009-05-20
- 发明人： 奥勒·博斯霍尔姆 , 马尔科·莱佩尔 , 格茨·斯普林格 , 德特勒夫·韦伯 , 格里特·邦斯多夫 , 弗兰克·皮茨施曼
- 申请人： 奇梦达股份公司
- 申请人地址： 德国慕尼黑
- 专利权人： 奇梦达股份公司
- 当前专利权人： 奇梦达股份公司
- 当前专利权人地址： 德国慕尼黑
- 代理机构： 北京康信知识产权代理有限责任公司
- 代理人： 章社杲; 李慧
- 优先权： 11/983,899 2007.11.13 US
- 主分类号： H01L21/311
- IPC分类号： H01L21/311 ; H01L21/768 ; H01L21/60 ; H01L23/525 ; H01L23/485
摘要：
本发明提供了一种用于形成集成电路装置的制造方法，以及相应的集成电路装置。用于形成集成电路装置的制造方法包括以下步骤：在衬底上形成第一层级；在第一层级上方形成第二层级；在第二层级上形成覆盖层，其覆盖该层级的第一区并且不覆盖第二区；以及同时在第一区中蚀刻第一接触孔和在第二区中蚀刻第二接触孔，在第二区中相对于覆盖层进行选择性的蚀刻，并在第一区中将蚀刻进行至更深程度。
摘要（英）：
The present invention provides a manufacturing method for forming an integrated circuit device and to a corresponding integrated circuit device. The manufacturing method for forming an integrated circuit device comprises the steps of: forming a first level on a substrate; forming a second level above the first level; forming a cap layer on the second level which covers a first region of the level and leaves a second region uncovered; and simultaneously etching a first contact hole in the first region and a second contact hole in the second region such that the etching is selective to the cap layer in the second region and proceeds to a greater depth in the first region.
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/302 | .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割 |
| ------------------H01L21/3105 | ......后处理 |
| --------------------H01L21/311 | .......绝缘层的刻蚀 |