基本信息:
- 专利标题： 单晶金刚石
- 专利标题（英）：Single crystal diamond
- 申请号：CN200810127438.0 申请日：2003-09-19
- 公开(公告)号：CN101319360B 公开(公告)日：2012-12-26
- 发明人： G·A·斯卡斯布鲁克 , P·M·马蒂诺 , D·J·特威切恩
- 申请人： 六号元素有限公司
- 申请人地址： 英国男人岛
- 专利权人： 六号元素有限公司
- 当前专利权人： 六号元素有限公司
- 当前专利权人地址： 英国男人岛
- 代理机构： 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理人： 宁家成
- 优先权： 0221949.1 2002.09.20 GB
- 分案原申请号： 038222647 2003.09.19
- 主分类号： C30B29/04
- IPC分类号： C30B29/04 ; C30B25/02
摘要：
提供了一种从在基本上没有表面缺陷的基质上通过化学气相淀积(CVD)生长的CVD金刚石生产大面积的单晶金刚石板的方法。横截在其上面进行金刚石生长的基质的表面地切开所述均相外延CVD生长的金刚石和所述基质，以生产大面积的单晶CVD金刚石板。
摘要（英）：
A method of producing a large area plate of single crystal diamond from CVD diamond grown on a substrate substantially free of surface defects by chemical vapour deposition (CVD). The homoepitaxial CVD grown diamond and the substrate are severed transverse to the surface of the substrate on which diamond growth took place to produce the large area plate of single crystal CVD diamond.
公开/授权文献:
- CN101319360A 单晶金刚石 公开/授权日：2008-12-10