基本信息:
- 专利标题： 集成电路的元件、集成电路及其使用方法
- 专利标题（英）：Storage elements with disguised configurations and methods of using the same
- 申请号：CN200710139951.7 申请日：2007-08-03
- 公开(公告)号：CN101150127A 公开(公告)日：2008-03-26
- 发明人： 威廉·R.·唐迪 , 杨智超 , 杰克·A·曼德尔曼 , 许履尘
- 申请人： 国际商业机器公司
- 申请人地址： 美国纽约
- 专利权人： 国际商业机器公司
- 当前专利权人： 国际商业机器公司
- 当前专利权人地址： 美国纽约
- 代理机构： 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理人： 陈炜
- 优先权： 11/533,191 2006.09.19 US
- 主分类号： H01L27/02
- IPC分类号： H01L27/02 ; H01L23/525
摘要：
依照第一方面，提供了一种第一设备。第一设备是一集成电路(IC)元件，包括：(1)具有源极/漏极扩散区域的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)；(2)电熔丝(eFuse)，被耦合到所述MOSFET，使得一部分的eFuse充当所述MOSFET的栅极区；和(3)注入区域，被耦合到所述MOSFET的源极/漏极扩散区域，使得在所述源极/漏极扩散区域之间的通路作为短路或开路起作用。还提供了许多其它方面。
公开/授权文献:
- CN100514645C 集成电路的元件、集成电路及其使用方法 公开/授权日：2009-07-15