基本信息:
- 专利标题： 微型场发射电子器件
- 专利标题（英）：Mini-field electron transmitting device
- 申请号：CN200610061707.9 申请日：2006-07-19
- 公开(公告)号：CN101110306A 公开(公告)日：2008-01-23
- 发明人： 陈丕瑾 , 胡昭复 , 刘亮 , 范守善
- 申请人： 清华大学 , 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
- 申请人地址： 北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心310号
- 专利权人： 清华大学,鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
- 当前专利权人： 清华大学,鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
- 当前专利权人地址： 北京市海淀区清华大学清华-富士康纳米科技研究中心310号
- 主分类号： H01J1/304
- IPC分类号： H01J1/304 ; H01J1/46 ; H01J7/04 ; H01J7/14
The invention relates to a minisize field electron transmission device, which comprises a base; a first insulation layer and a second insulation are positioned at certain distance on the base; an anode electrode layer and a cathode electrode layer are respectively positioned on the first insulation layer and the second insulation layer; a field transmission end in the cathode electrode layer is positioned directly in opposition to the anode electrode layer; inert gas is sealed in the invention and satisfies with the condition formula of: h and lt; Lambadae. Wherein, h refers to the distance between the field transmission end of the cathode electrode layer and the anode electrode layer; Lambada e refers to the free path of electron in the environment of inert gas.
公开/授权文献:
- CN100583350C 微型场发射电子器件 公开/授权日：2010-01-20