基本信息:
- 专利标题： 具有IGBT和二极管的半导体器件
- 专利标题（英）：Semiconductor device having IGBT and diode
- 申请号：CN200710078983.0 申请日：2007-02-16
- 公开(公告)号：CN101026161A 公开(公告)日：2007-08-29
- 发明人： 尾关善彦 , 户仓规仁 , 都筑幸夫
- 申请人： 株式会社电装
- 申请人地址： 日本爱知县
- 专利权人： 株式会社电装
- 当前专利权人： 株式会社电装
- 当前专利权人地址： 日本爱知县
- 代理机构： 永新专利商标代理有限公司
- 代理人： 王英
- 优先权： 049300/2006 2006.02.24 JP
- 主分类号： H01L27/06
- IPC分类号： H01L27/06
摘要：
一种半导体器件，包括：半导体衬底(1)；IGBT区(IGBTREGION)，其包括位于衬底(1)的第一表面上并提供沟道形成区的第一区(2)，以及位于衬底(1)的第二表面上并提供集电极的第二区(3)；二极管区(DIODE REGION)，其包括位于第一表面上并提供阳极或阴极的第三区(4)和位于第二表面上并提供阳极或阴极的第四区(5)；外围区(PERIPERY REGION)，其包括位于第一表面上的第五区(6，6b－6g)和位于第二表面上的第六区(7a、7b)。第一、第三和第五区(2、4、6、6B－6g)共同且电气耦合，并且第二、第四和第六区(3、5、7a、7b)共同并电气地相互耦合。
摘要（英）：
A semiconductor device includes: a semiconductor substrate; a IGBT region including a first region on a first surface of the substrate and providing a channel-forming region and a second region on a second surface of the substrate and providing a collector; a diode region including a third region on the first surface and providing an anode or a cathode and a fourth region on the second surface and providing the anode or the cathode; a periphery region including a fifth region on the first surface and a sixth region on the second surface. The first, third and fifth regions are commonly and electrically coupled, and the second, fourth and sixth regions are commonly and electrically coupled with one another.
公开/授权文献:
- CN100559589C 具有IGBT和二极管的半导体器件 公开/授权日：2009-11-11
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L27/00 | 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件 |
| --------H01L27/02 | .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的 |
| ----------H01L27/04 | ..其衬底为半导体的 |
| ------------H01L27/06 | ...在非重复结构中包括有多个单个组件的 |