基本信息:
- 专利标题： 用于存储器单元的SONOS结构腐蚀工艺
- 专利标题（英）：SONOS structure corrosion process used for memory cell
- 申请号：CN200710135518.6 申请日：2007-11-16
- 公开(公告)号：CN100499025C 公开(公告)日：2009-06-10
- 发明人： 肖志强 , 徐静 , 李俊 , 高向东 , 吴晓鸫
- 申请人： 无锡中微晶园电子有限公司
- 申请人地址： 江苏省无锡市新区长江路21号信息产业园A座203室
- 专利权人： 无锡中微晶园电子有限公司
- 当前专利权人： 无锡中微晶园电子有限公司,无锡中微掩模电子有限公司
- 当前专利权人地址： 江苏省无锡市新区长江路21号信息产业园A座203室
- 代理机构： 无锡市大为专利商标事务所
- 代理人： 曹祖良
- 主分类号： H01L21/28
- IPC分类号： H01L21/28 ; H01L21/3065 ; H01L21/311 ; G03F7/42
摘要：
本发明涉及CMOS制程中SONOS结构(Silicon-Oxide-Ntride-Oxide-Silicon)的腐蚀工艺，特别是存储器单元中超薄的ONO结构。本发明可以降低超薄SONOS结构腐蚀工艺中的损伤，且技术简单，适用于基于SONOS结构的存储器工艺制程。按照本发明提供的技术方案，用于存储器单元的SONOS结构腐蚀工艺包括依次叠加在衬底硅上面的底部隧道氧化层、中间SiN层、顶层SiO2层及多晶硅，其特征是：第一步，在多晶硅的局部表面进行光刻；第二步，用等离子体反应刻蚀未被光刻胶覆盖的多晶硅；第三步，用浓度约为0.5%的HF溶液腐蚀掉顶层SiO2层；第四步，去除上述光刻胶；第五步，用98%的H3PO4溶液腐蚀掉中间SiN层。
公开/授权文献:
- CN101179018A 用于存储器单元的SONOS结构腐蚀工艺 公开/授权日：2008-05-14
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/28 | ....用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的 |