基本信息:
- 专利标题： 一种薄膜晶体管液晶显示器像素结构及其制造方法
- 专利标题（英）：Thin-film transistor LCD pixel structure and manufacturing method therefor
- 申请号：CN200610103865.6 申请日：2006-08-04
- 公开(公告)号：CN100449391C 公开(公告)日：2009-01-07
- 发明人： 邱海军 , 王章涛 , 陈旭 , 闵泰烨
- 申请人： 北京京东方光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
- 申请人地址： 北京市经济技术开发区西环中路8号
- 专利权人： 北京京东方光电科技有限公司,京东方科技集团股份有限公司
- 当前专利权人： 北京京东方光电科技有限公司,京东方科技集团股份有限公司
- 当前专利权人地址： 北京市经济技术开发区西环中路8号
- 代理机构： 北京同立钧成知识产权代理有限公司
- 代理人： 刘芳
- 主分类号： G02F1/136
- IPC分类号： G02F1/136 ; G02F1/1343 ; G02F1/1333 ; G03F7/20
摘要：
本发明公开了一种薄膜晶体管液晶显示器像素结构，包括：玻璃基板、栅线、栅电极等部分，其中栅电极和栅线上依次为第一绝缘层、有源层和掺杂层；第二绝缘层覆盖在玻璃基板上、栅线上及栅电极周边边缘处；像素电极与漏电极呈一体位于第二绝缘层上方，且在形成漏电极的位置与栅电极上的掺杂层搭接；源电极和数据线上方覆盖有透明像素电极层，该透明像素电极层在靠近沟道处搭接在栅电极上的掺杂层上；钝化层覆盖在像素电极及漏电极之外的部分。本发明同时公开了一种薄膜晶体管液晶显示器像素结构的制造方法。本发明在传统工艺的基础上，利用光刻工艺实现了三次光刻掩模版形成薄膜晶体管的方法，节约了阵列工艺的成本和占机时间，提高了产能。
公开/授权文献:
- CN101118355A 一种薄膜晶体管液晶显示器像素结构及其制造方法 公开/授权日：2008-02-06