基本信息:
- 专利标题： 离子注入方法和装置
- 专利标题（英）：Ion implantation method and apparatus
- 申请号：CN200410098236.X 申请日：2004-11-30
- 公开(公告)号：CN100382226C 公开(公告)日：2008-04-16
- 发明人： 松本贵雄 , 长井宣夫
- 申请人： 日新意旺机械股份公司
- 申请人地址： 日本京都府
- 专利权人： 日新意旺机械股份公司
- 当前专利权人： 日新意旺机械股份公司
- 当前专利权人地址： 日本京都府
- 代理机构： 北京市柳沈律师事务所
- 代理人： 邵亚丽; 马莹
- 优先权： 046213/04 2004.02.23 JP
- 主分类号： H01J37/317
- IPC分类号： H01J37/317 ; H01L21/265
摘要：
本发明的离子注入方法包括通过由电场或磁场在X方向上往复扫描离子束和在与X方向正交的Y方向上往复机械驱动基片，以便在基片的整个表面注入离子。通过改变在离子束入射到基片上的区域中的离子束的扫描速度和基片的驱动速度中的至少一个，来形成在基片的平面中非均匀的剂量分布。
公开/授权文献:
- CN1661763A 离子注入方法和装置 公开/授权日：2005-08-31
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01J | 放电管或放电灯 |
| ------H01J37/00 | 有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管,如为了对其检验或加工的 |
| --------H01J37/02 | .零部件 |
| ----------H01J37/317 | ..用于改变物体的特性或在其上加上薄层的，如离子注入 |