有机发光二极管是一种可将电能转换成光能且具有高转换效率 的半导体元件，常见的用途为指示灯、显示面板以及光学读写头的发 光元件等等。由于有机发光二极管元件具备一些特性，如无视角、工 艺简易、低成本、高应答速度、使用温度范围广泛与全彩化等，符合 多媒体时代显示器特性的要求，近年来已成为研究的热潮。
有机发光二极管的基本结构包含玻璃基板、金属电极、氧化铟锡 (ITO)电极以及有机发光层(Emitting Layer，EL)。有机发光二极管的 基本发光原理为利用金属电极为阴极，并以氧化铟锡电极为阳极。当 一顺向偏压加诸于两极之间时，电子与空穴分别由金属电极与氧化铟 锡电极接口注入发光层。两种载子在发光层中相遇，经由辐射性结合 (Radiative Recombination)的方式产生光子(Photon)，进而达到放光现 象。
而有机发光二极管的氧化铟锡电极膜表面的粗糙度，会影响有机 发光二极管元件的表现以及其寿命。这是因为有机发光二极管元件 中，有机发光层所需的电流是由铟锡氧化层来传导，因此若是氧化铟 锡膜的表面尖锐程度太大，电流可能会因尖端放电的效应，而使尖端 区域的有机发光层承受较大的电场与电流，如此非但会影响元件发光 均匀度的表现，而且尖端区域的有机发光层降级(Degradation)的情况 可能会提早发生，而影响元件的寿命。因此，通常在有机发光二极管 的制造过程中，都会对氧化铟锡电极膜的表面粗糙度作监测，以确保 氧化铟锡电极膜的平整度有符合标准值。
公知量测氧化铟锡电极膜的表面粗糙度的方法，是利用原子力显 微镜(Atomic Force Microscopy，AFM)来扫描氧化铟锡膜表面，然后 直接利用原子力显微镜的其中一种功能，而取得Rms与Rp-v两数值 来判断表面粗糙度。其中，Rms表示的是扫描区域所有尖峰的均方根 值，而Rp-v表示的是扫描区域中最高尖峰与最低尖峰两者的差值。 公知的方法就是利用Rms与Rp-v两数值的高低来作为判断氧化铟锡 电极膜表面粗糙度的依据。
然而，公知的方法并不是非常的客观，因此不能确实的反映出氧 化铟锡电极膜表面的起伏状态。换言之，在某些情况之下，Rms与 Rp-v并无法真正的反映出薄膜表面的粗糙度。例如，请参照图1A与 图1B，图1A与图1B两种薄膜表面，以公知的方法分析，Rms与 Rp-v两数值所呈现的结果会是相同的，换言之，以公知方法分析的 结果是图1A与图1B两者会具有相同的粗糙度。但事实上，图1A与 图1B两者的尖锐程度是不同的(图1A的尖锐度较图1B的尖锐度高)。

因此，本发明的目的就是在提供一种分析薄膜表面粗糙度的方 法，以解决公知分析方法无法确实反映出薄膜表面粗糙度的问题。
本发明的另一目的就是在提供一种分析薄膜表面粗糙度的方法， 以避免因薄膜表面粗糙度过大，而对元件的表现及寿命造成不良的影 响。
本发明提出一种分析薄膜表面粗糙度的方法，此方法首先利用一 原子力显微镜(AFM)扫描一薄膜的表面，而取得薄膜表面的一波峰信 号。接着，取得此波峰信号在一半高度的一高度值(H)，并且取得此 波峰信号在一半高度的一宽度值(D)。之后，将上述的高度值除以上 述的宽度值(H/D)，即为薄膜表面的尖锐度。倘若薄膜表面的尖锐度 小于一标准值，即表示薄膜表面粗糙度系符合标准。
在本发明中，将波峰信号在一半高度的高度值(H)除以波峰信号 在一半高度的一截面积(A)，亦可以表示成薄膜表面的尖锐度。
倘若本发明是应用在分析有机发光二极管的电极膜表面粗糙度 时，所计算出的电极膜表面的尖锐度若小于0.015，则表示电极膜表 面的粗糙度是符合标准的。换言之，若所计算出的电极膜表面的尖锐 度若大于0.015，则表示电极膜表面的粗糙度过大，而恐会对元件的 表面及寿命造成不良的影响。
本发明的分析薄膜表面粗糙度的方法可以真实的反映出薄膜表 面的粗糙度，因此，本发明的方法可以改善公知方法会有将两种粗糙 度误判成具有相同粗糙度的缺点。
另外，本发明亦可扩大应用在取得波峰信号在一固定比例高度 的高度值，然后取得波峰信号在该高度位置的宽度值或取得该波峰信 号在该高度位置的截面积，再将上述的高度值除以上述的宽度值或将 上述的高度值除以上述的截面积，所得到的数值亦可以表示成薄膜表 面的尖锐度。
附图说明
图1A与图1B是两种不同尖锐程度的示意图；
图2是依照本发明一较佳实施例的分析薄膜表面粗糙度的流程 图；
图3是于扫描薄膜表面后所取得的一波峰信号示意图；以及
图4是比较两元件的寿命的示意图，其中此两元件的Rms与Rp-v 两数值是相同的。
100、102、104、106、108：步骤
200：波峰信号
202：波峰信号的高度
204：波峰信号的一半高度
206：波峰信号于一半高度的宽度(或截面积)

图2，其为依照本发明一较佳实施例的分析薄膜表面粗糙度的流 程图。
请参照图2，本发明的分析薄膜表面粗糙度的方法系首先扫描一 薄膜的表面，以取得一波峰信号(步骤100)。其中，扫描薄膜表面的 方法例如是利用一原子力显微镜来扫描。而取得的波峰信号200如图 3所示。
接着，取得此波峰信号于一半高度的一高度值(H)(步骤102)。其 中，取得此波峰信号于一半高度的高度值(H)的方法可以直接使用原 子力显微镜既有的一项功能。请参照图3，此波峰信号200的总高度 为202，而此波峰信号的一半高度为204，因此此波峰信号于一半高 度的高度值(H)指针号204所指的高度值。
随后，又取得此波峰信号于一半高度的一宽度值(D)或是一截面 积(A)(步骤104)。其中，取得此波峰信号于一半高度的宽度值(D)或 是截面积(A)的方法亦可以直接使用原子力显微镜既有的一项功能。 请参照图3，此波峰信号于一半高度204处的宽度为标号206所指之 处，其为此波峰信号于一半高度的宽度值(D)。同样的，此波峰信号 于一半高度204处的截面积即为标号206所指之处的截面积，其为此 波峰信号于一半高度的截面积(A)。
之后，进行步骤106，将波峰信号于一半高度的高度值(H)除以波 峰信号于一半高度的宽度值(D)，即为此薄膜表面的尖锐度，或是将 波峰信号于一半高度的高度值(H)除以波峰信号于一半高度的截面积 (A)，亦可以表示薄膜表面的尖锐度，其数学式如下所列：
尖锐度＝(H/D)或是  尖锐度＝(H/A)
H：波峰信号于一半高度的高度值
D：波峰信号于一半高度的宽度值
A：波峰信号于一半高度的截面积
在计算出薄膜表面的尖锐度之后，即可以判断此尖锐度是否小于 一标准值(步骤108)。倘若此尖锐度小于标准值，则表示此薄膜表面 的粗糙度符合标准，倘若此尖锐度大于标准值，则表示此薄膜表面的 粗糙度过大而不符合标准。另外，本发明亦可扩大应用在取得波峰信 号在一固定比例高度的高度值(例如：波峰信号的四分之三高度的高 度值、三分之二高度的高度值或其它比例高度的高度值)，然后取得 波峰信号在该高度位置的宽度值或取得该波峰信号在该高度位置的 截面积，再将上述的高度值除以上述的宽度值或将上述的高度值除以 上述的截面积，所得到的数值亦可以表示成薄膜表面的尖锐度。
本发明的分析薄膜表面粗糙度的方法可以应用在任何薄膜的检 测上。以下的实施例为例举有机发光二极管的氧化铟锡电极膜表面粗 糙度的分析来作详细说明，但并非用以限定本发明。
由于有机发光二极管的氧化铟锡电极膜表面的粗糙度，会影响有 机发光二极管元件的表现以及有机发光二极管的寿命。因此氧化铟锡 电极膜表面的平整度对有机发光二极管元件而言是相当重要的。因为 有机发光二极管元件中，有机发光层所需的电流是由铟锡氧化层来传 导，因此若是氧化铟锡膜的表面尖锐程度太大，电流可能会因尖端放 电的效应，而使尖端区域的有机发光层承受较大的电场与电流，如此 非但会影响元件发光均匀度的表现，而且尖端区域的有机发光层降级 的情况可能会提早发生，而影响元件的寿命。
为了有效掌握有机发光二极管元件的氧化铟锡电极膜表面之粗 糙度，在氧化铟锡电极膜的溅镀工艺执行完之后，可以利用上述的方 法(如图1所示)，来监测氧化铟锡电极膜表面的粗糙度。其中以波峰 信号一半高度的高度值(H)除以一半高度的宽度值(D)的尖锐度(H/D) 的实施例中，倘若最后计算出来的尖锐度值小于0.015，则表示此氧 化铟锡电极膜的粗糙度有符合标准。如此，才能确保有机发光二极管 的元件表现以及寿命会有较佳的表现。
为了证明利用本发明的分析方法确实可以反映出有机发光二极 管的元件表现及寿命，以下比较两有机发光二极管元件，其以公知方 法量测两元件的表面粗糙度的结果是相同的，但以本发明计算出的尖 锐度是不相同的。
图4所示，其为比较两元件的寿命的示意图，其中此两元件的 Rms与Rp-v两数值是相同的。
请参照图4，图中的纵轴为亮度，横轴为时间。在此，A元件的 ITO膜与B元件的ITO膜的Rms均为15埃，且A元件的ITO膜与 B元件的ITO膜的Rp-v均为195埃。但利用本发明的分析方法所计 算出来的尖锐度值却不相同，A元件的ITO膜的尖锐度为0.069，B 元件的ITO膜的尖锐度为0.014。当元件持续发光的情况之下，B元 件的可以持续发光150小时以上(如图4中B元件曲线所示)，而A 元件发光的时间却不到1小时(因发光时间过短故图中难以表示)。
因此，由上述比较可以证明，利用公知方法所判断的具有相同粗 糙度的薄膜，并非真实的反映出薄膜表面的粗糙度。
综合以上所述，本发明的分析薄膜表面粗糙度的方法确实可以真 实的反映出薄膜表面的粗糙度，因此，本发明的方法可以改善公知方 法会有将两种粗糙度误判成具有相同粗糙度的缺点。