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1. 发明申请

WO2017098756A1 １３族元素窒化物結晶基板および機能素子审中-公开
标题翻译： 13族元素氮化物晶体基板和功能元件
公开(公告)号：WO2017098756A1
公开(公告)日：2017-06-15
申请号：PCT/JP2016/075175
申请日：2016-08-29
申请人：日本碍子株式会社
发明人：岩井　真 , 吉野　隆史
IPC分类号： C30B29/38 , H01L21/20 , H01L21/205 , H01L21/208 , H01L33/32
CPC分类号： C30B29/38 , H01L21/20 , H01L21/205 , H01L21/208 , H01L33/32
摘要：結晶基板１は、１３族元素窒化物結晶からなり、第一の主面２ａおよび第二の主面２ｂを有する下地層２、および、下地層の第一の主面上に設けられた１３族元素窒化物からなる厚膜３を備える。下地層２が、第一の主面２ａと第二の主面２ｂとの間を貫通する低キャリア濃度領域５と高キャリア濃度領域４とを含んでおり、低キャリア濃度領域５のキャリア濃度が１０１７／ｃｍ３以下であり、低キャリア濃度領域５の欠陥密度が１０７／ｃｍ２以下であり、高キャリア濃度領域４のキャリア濃度が１０１９／ｃｍ３以上であり、高キャリア濃度領域４の欠陥密度が１０８／ｃｍ２以上であり、厚膜３のキャリア濃度が１０１８／ｃｍ３以上、１０１９／ｃｍ３以下であり、厚膜３の欠陥密度が１０７／ｃｍ２以下である。
摘要翻译：
晶体基板1由13族元素氮化物晶体的，具有第一主表面2a和第2主面2b和第一主下层的底层2 并且在表面上设置由13族元素氮化物制成的厚膜3。基底层2具有低载流子浓度区域5和在第一主面2a与第二主面2b之间贯通的高载流子浓度区域4，低载流子浓度区域5的载流子浓度为 10 ^{17 /厘米^{是3 或更低时，低载流子浓度的区域的缺陷密度5 10 ^{7 /厘米^{2 或更小，高载流子浓度区域4的载流子浓度不小于10 ^{19 /厘米^{3 或更多，高载流子浓度区域4的缺陷密度为10 ^{8 /厘米和^{2 或更多，厚膜3的载流子浓度为10 ^{18 /厘米^{3 或更多，10 ^{19 /厘米^{是3 或更小，厚膜3的缺陷密度为10 ^{7 /厘米^{2 或更小。}}}}}}}}}}}}}}

2. 发明申请

WO2017068933A1 下地基板、下地基板の製法及び１３族窒化物結晶の製法审中-公开
标题翻译：基础衬底，基础衬底和第13族氮化物晶体的制造方法的制造方法
公开(公告)号：WO2017068933A1
公开(公告)日：2017-04-27
申请号：PCT/JP2016/079009
申请日：2016-09-30
申请人：日本碍子株式会社
发明人：平尾　崇行 , 岩井　真 , 今井　克宏 , 吉野　隆史
IPC分类号： C30B29/38 , C30B19/12 , H01L21/20 , H01L21/208
CPC分类号： C30B19/12 , C30B19/02 , C30B25/18 , C30B29/38 , C30B29/406 , C30B33/12 , H01L21/02389 , H01L21/0243 , H01L21/0254 , H01L21/02634 , H01L21/20 , H01L21/208
摘要：本発明の一実施形態である下地基板１４は、サファイヤ基板１５上に１３族窒化物の種結晶層１６を備えている。種結晶層１６の主面には、凸部１６ａと凹部１６ｂとがストライプ状に繰り返し現れ、凸部１６ａの段差ｈａは０．３～４０μｍ、凸部１６ａの幅ｗａは５～１００μｍ、凹部１６ｂの厚みｔｂは２μｍ以上、凹部１６ｂの幅ｗｂは５０～５００μｍである。
摘要翻译：根据本发明的一个实施例的底部衬底14包括在蓝宝石衬底15上的第13族氮化物的籽晶层16。在籽晶层16时，凸部16a和凹部16b的主表面和重复出现在条纹台阶凸起16a的公顷为0.3〜40微米，宽度Wa为5〜100μm的凸部16a的米，该凹部16b中厚度tb为2μm以上，凹部16b的宽度wb为50〜500μm。

3. 发明申请

WO2016148207A1 ＳｉＣ単結晶の製造方法审中-公开
标题翻译： SiC单晶生产方法
公开(公告)号：WO2016148207A1
公开(公告)日：2016-09-22
申请号：PCT/JP2016/058395
申请日：2016-03-16
申请人：新日鐵住金株式会社 , トヨタ自動車株式会社
发明人：関　和明 , 楠　一彦 , 亀井　一人 , 旦野　克典 , 大黒　寛典 , 土井　雅喜
IPC分类号： C30B29/36 , C30B19/10 , H01L21/208
CPC分类号： C30B19/10 , C30B9/06 , C30B19/04 , C30B29/36 , H01L21/02378 , H01L21/02529 , H01L21/02625 , H01L21/02628
摘要：　ＳｉＣ多結晶の発生を抑制可能な、ＳｉＣ単結晶の製造方法を提供する。　本実施形態によるＳｉＣ単結晶の製造方法は、溶液成長法によるＳｉＣ単結晶の製造方法である。本実施形態によるＳｉＣ単結晶の製造方法は、出力上昇工程（Ｓ１）と、接触工程（Ｓ２）と、成長工程（Ｓ４）とを備える。出力上昇工程（Ｓ１）では、誘導加熱装置（３）の高周波出力を結晶成長時の高周波出力に上げる。接触工程（Ｓ２）では、ＳｉＣ種結晶（８）をＳｉ－Ｃ溶液（７）に接触させる。接触工程（Ｓ２）における誘導加熱装置（３）の高周波出力は、結晶成長時の高周波出力の８０％より大きい。接触工程（Ｓ２）におけるＳｉ－Ｃ溶液（７）の温度は、結晶成長温度未満である。成長工程（Ｓ４）では、結晶成長温度でＳｉＣ単結晶を成長させる。
摘要翻译：提供可以抑制SiC多晶体的发生的SiC单晶制造方法。根据本实施例的SiC单晶制造方法是溶液生长方法，并且具有输出增加步骤（S1），接触步骤（S2）和生长步骤（S4）。在输出增加步骤（S1）中，感应加热装置（3）的高频输出在晶体生长期间升高到其高频输出。在接触步骤（S2）中，使SiC晶种（8）与Si-C溶液（7）接触。在接触步骤（S2）期间，感应加热装置（3）的高频输出在晶体生长期间大于其高频输出的80％。在接触步骤（S2）期间，Si-C溶液（7）的温度低于晶体生长温度。在生长步骤（S4）中，在晶体生长温度下生长SiC单晶。

4. 发明申请

WO2015160798A3 HIERARCHICAL CELLULAR MATERIALS AND METHOD OF MAKING AND USING THE SAME 审中-公开
标题翻译：分层细胞材料及其制备和使用方法
公开(公告)号：WO2015160798A3
公开(公告)日：2015-12-10
申请号：PCT/US2015025736
申请日：2015-04-14
申请人： UNIV VIRGINIA PATENT FOUND
发明人： WADLEY HAYDN N G , DESHPANDE VIKRAM
IPC分类号： H01L21/208
CPC分类号： C25D1/006 , C23C14/0005 , C23C14/34 , C25D1/08 , C25D1/20 , C25D5/56 , G03F7/0015
摘要： Cellular materials and methods of making and using the cellular materials. A method of making a cellular material comprising or consisting of conducting phase separation of block copolymers resulting in a particular morphology; selective removal of one polymer from the block copolymers to form a lattice; conducting metal deposition on the lattice; and dissolving a remaining polymer to obtain the cellular material.
摘要翻译：细胞材料和制造和使用细胞材料的方法。制备细胞材料的方法，其包含导致特定形态的嵌段共聚物的相分离或由其组成; 从嵌段共聚物中选择性除去一种聚合物以形成晶格; 在晶格上导电金属沉积; 并溶解剩余的聚合物以获得细胞材料。

5. 发明申请

WO2015005340A1 熱電変換材料、熱電変換素子ならびにこれを用いた熱電発電用物品およびセンサー用電源审中-公开
标题翻译：热电转换材料，热电转换元件和热电发生件和传感器使用同时使用的电源
公开(公告)号：WO2015005340A1
公开(公告)日：2015-01-15
申请号：PCT/JP2014/068185
申请日：2014-07-08
申请人：富士フイルム株式会社
发明人：高橋　依里 , 林　直之 , 丸山　陽一
IPC分类号： H01L35/22 , B82Y30/00 , H01L21/208 , H01L35/34 , H02N11/00
CPC分类号： B82Y30/00 , H01L35/22 , H01L35/34
摘要：　基材上に第１の電極、熱電変換層および第２の電極を有する熱電変換素子であって、熱電変換層が単層カーボンナノチューブとバインダーとを含有し、単層カーボンナノチューブが半導体性単層カーボンナノチューブを９０％以上含有する電変換素子、この熱電変換素子を用いた熱電発電用物品およびセンサー用電源、ならびに、熱電変換層を形成するための熱電変換材料であって、この熱電変換材料が単層カーボンナノチューブとバインダーとを含有し、単層カーボンナノチューブが半導体性単層カーボンナノチューブを９０％以上含有する熱電変換材料。
摘要翻译：本发明提供一种使用所述热电转换元件的热电转换元件，热电发生物品和传感器用电源，以及用于形成热电转换层的热电转换材料。在热电转换元件中，在基板上设置第一电极，热电转换层和第二电极，所述热电转换层包含单壁碳纳米管和粘合剂，所述单壁碳纳米管含有至少90 ％半导体碳纳米管。热电转换材料包含单壁碳纳米管和粘合剂，单壁碳纳米管含有至少90％的半导体单壁碳纳米管。

6. 发明申请

WO2014020694A1 単結晶炭化珪素基板およびその作製方法审中-公开
标题翻译：单晶碳化硅基体及其制造方法
公开(公告)号：WO2014020694A1
公开(公告)日：2014-02-06
申请号：PCT/JP2012/069442
申请日：2012-07-31
申请人：株式会社エコトロン , 中村信彦
发明人：中村　信彦
IPC分类号： C30B29/36 , C30B19/04 , H01L21/208
CPC分类号： C30B19/04 , C30B19/06 , C30B29/36 , H01L21/02529
摘要：　ＭＳＥ法を用いて単結晶炭化珪素基板を作製する際、種基板に生じる反りを十分に抑制して、後工程の貼り付け工程における単結晶炭化珪素基板の割れの発生を抑制することができる単結晶炭化珪素基板の作製方法および単結晶炭化珪素基板を提供する。　準安定溶媒エピタキシャル法を用いた単結晶炭化珪素基板の作製方法であって、重石として、種基板と対向する側の面が炭化珪素により形成されている重石を用いて、単結晶炭化珪素基板を作製する単結晶炭化珪素基板の作製方法。重石が、炭化珪素により形成された重石や、少なくとも種基板と対向する側の面に炭化珪素の層が形成された重石である単結晶炭化珪素基板の作製方法。および前記単結晶炭化珪素基板の作製方法により作製されている単結晶炭化珪素基板。
摘要翻译：本发明提供：制造单晶碳化硅基板的方法，通过充分抑制在制造时的种子基板中产生的翘曲来抑制后续工序中的接合工序中的单晶碳化硅基板的断裂的产生单晶碳化硅基板采用MSE方法; 和单晶碳化硅基板。公开了一种使用亚稳溶剂外延制造单晶碳化硅基板的方法，具体地说：一种制造单晶碳化硅基板的方法，该方法以重量计，其表面面向由碳化硅形成的晶种基板; 以及制造单晶碳化硅基板的方法，其使用由碳化硅构成的重量或至少在面向种子基板的一侧的表面上形成有碳化硅层的重量作为重量。还公开了通过用于制造单晶碳化硅衬底的方法制造的单晶碳化硅衬底。

7. 发明申请

WO2013088948A1 ＳｉＣ結晶の結晶成長方法およびＳｉＣ結晶基板审中-公开
标题翻译： SiC晶体和SiC晶体基板的生长方法
公开(公告)号：WO2013088948A1
公开(公告)日：2013-06-20
申请号：PCT/JP2012/080590
申请日：2012-11-27
申请人：株式会社豊田自動織機 , 国立大学法人名古屋大学 , 柴田顕次 , 宇治原徹 , 原田俊太 , 関和明
发明人：柴田　顕次 , 宇治原　徹 , 原田　俊太 , 関　和明
IPC分类号： C30B29/36 , C30B19/12 , H01L21/205 , H01L21/208
CPC分类号： C30B19/12 , C30B29/36 , H01L21/02378 , H01L21/02447 , H01L21/02529 , H01L21/02625 , H01L21/02628
摘要：　ＳｉＣ結晶を種結晶にしてＳｉＣ結晶をエピタキシャル成長させる結晶成長方法を提供する。この方法では、種結晶に用いるＳｉＣ結晶を真空中で加熱して表面を構成しているＳｉを昇華させてＣを主体とする膜を形成する工程が付加されている。その工程を経たＳｉＣ結晶を種結晶にしてＳｉＣ結晶をエピタキシャル成長させる。
摘要翻译：提供了一种用于生长晶体并且以SiC晶体外延生长SiC晶体作为晶种的方法。在该方法中，添加用于在真空中加热用作晶种的SiC晶体的步骤，使构成表面的Si升华，形成主要为C的膜。通过该步骤之后，使用SiC晶体作为籽晶外延生长SiC晶体。

8. 发明申请

WO2012082323A1 SECTIONAL WAFER CARRIER 审中-公开
公开(公告)号：WO2012082323A1
公开(公告)日：2012-06-21
申请号：PCT/US2011/061615
申请日：2011-11-21
申请人： VEECO INSTRUMENTS INC. , GURARY, Alexander I. , KRAUS, Joseph Arthur , PARANJPE, Ajit , QUINN, William, E. , CREWE, David Albert
发明人： GURARY, Alexander I. , KRAUS, Joseph Arthur , PARANJPE, Ajit , QUINN, William, E. , CREWE, David Albert
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/208 , C23C16/458 , H01L21/68
CPC分类号： C23C16/4584 , C23C16/4585 , C23C16/4586 , H01L21/67754 , H01L21/68707 , H01L21/6875 , H01L21/68764 , H01L21/68771
摘要： A structure for a chemical vapor deposition reactor includes a support element (50) defining oppositely-facing substantially planar upper and lower surfaces and a vertical rotational axis (52) substantially perpendicular to the upper and lower surfaces, and a plurality of carrier sections (70) releasably engaged with the support element. Each carrier section (70) can include oppositely-facing substantially planar top and bottom surfaces and at least one aperture (73) extending between the top and bottom surfaces. The carrier sections (70) can be disposed on the support element (50) with the bottom surfaces (79) of the carrier sections facing toward the upper surface (59) of the support element, so that (wafers 30) can be held in the apertures (73) of the carrier sections with one surface (32) of each wafer confronting the support element and an opposite surface (31) exposed at the top (surface 78) of the carrier sections.
摘要翻译：用于化学气相沉积反应器的结构包括限定相对面对的基本平坦的上表面和下表面的支撑元件（50）和基本上垂直于上表面和下表面的垂直旋转轴线（52），以及多个承载部分）可释放地与支撑元件接合。每个载体部分（70）可以包括相对面对的基本平坦的顶部和底部表面以及在顶部和底部表面之间延伸的至少一个孔（73）。载体部分（70）可以设置在支撑元件（50）上，载体部分的底表面（79）面向支撑元件的上表面（59），使得（晶片30）可以保持在载体部分的孔（73）具有面对支撑元件的每个晶片的一个表面（32）和暴露在载体部分的顶部（表面78）处的相对表面（31）。

9. 发明申请

WO2012023973A3 LIQUID PRECURSOR FOR DEPOSITION OF INDIUM SELENIDE 审中-公开
标题翻译：用于沉积硒化物的液体前体
公开(公告)号：WO2012023973A3
公开(公告)日：2012-04-19
申请号：PCT/US2011001434
申请日：2011-08-16
申请人： HELIOVOLT CORP , ALLIANCE SUSTAINABLE ENERGY , CURTIS CALVIN J , MIEDANER ALEXANDER , VAN HEST MARINUS FRANCISCUS ANTONIUS MARIA , GINLEY DAVID S , HERSH PETER A , ELDADA LOUAY , STANBERY BILLY J
发明人： CURTIS CALVIN J , MIEDANER ALEXANDER , VAN HEST MARINUS FRANCISCUS ANTONIUS MARIA , GINLEY DAVID S , HERSH PETER A , ELDADA LOUAY , STANBERY BILLY J
IPC分类号： H01L21/208
CPC分类号： H01L21/02568 , C23C18/1204 , H01L21/02628 , H01L31/0322 , H01L31/20 , Y02E10/541
摘要： Liquid precursors containing indium and selenium suitable for deposition on a substrate to form thin films suitable for semiconductor applications are disclosed. Methods of preparing such liquid precursors and method of depositing a liquid precursor on a substrate are also disclosed.
摘要翻译：公开了含有铟和硒的液体前体，其适于沉积在衬底上以形成适合于半导体应用的薄膜。还公开了制备这种液体前体的方法和在基底上沉积液体前体的方法。

10. 发明申请

WO2012008545A1 窒化アルミニウム結晶の製造方法审中-公开
标题翻译：生产氮化铝晶体的方法
公开(公告)号：WO2012008545A1
公开(公告)日：2012-01-19
申请号：PCT/JP2011/066146
申请日：2011-07-14
申请人：住友金属鉱山株式会社 , 国立大学法人東北大学 , 福山博之 , 安達正芳 , 田中明和 , 前田一夫
发明人：福山　博之 , 安達　正芳 , 田中　明和 , 前田　一夫
IPC分类号： C30B29/38 , C30B19/02 , H01L21/208
CPC分类号： C30B19/12 , C30B9/06 , C30B9/10 , C30B19/04 , C30B29/403 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02625 , H01L33/007 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：　安価で良質な窒化アルミニウム結晶の製造方法を提供する。Ｇａ－Ａｌ合金融液４に窒素ガスを導入し、Ｇａ－Ａｌ合金融液４中の種結晶基板３上に窒化アルミニウム結晶をエピタキシャル成長させる。窒化アルミニウム結晶の育成温度を１０００℃以上１５００℃以下の範囲とすることにより、ＧａＮを金属Ｇａと窒素ガスに分解させる。
摘要翻译：提供了一种生产便宜的优质氮化铝晶体的方法。将氮气引入到Ga-Al合金熔液（4）中，并且在Ga-Al合金熔液（4）中的氮化镓结晶在晶种基板（3）上进行外延生长。通过使氮化铝晶体生长温度在1000℃至1500℃的范围内，将GaN分解为金属Ga和氮气。

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