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1. 发明申请

WO2022080288A1 ウェットエッチング方法审中-公开
公开(公告)号：WO2022080288A1
公开(公告)日：2022-04-21
申请号：PCT/JP2021/037501
申请日：2021-10-11
申请人：セントラル硝子株式会社
发明人：吉浦　一基 , 岡田　卓也 , 渡邉　謙太 , 公文　創一 , 中村　陽介 , 谷口　敬寿
IPC分类号： C23F1/10 , H01L21/308
摘要：本開示は、基板上の金属含有膜を、表面改質液で前処理し、次いでエッチング液を用いてエッチングするウェットエッチング方法であって、前記エッチング液が、トリフルオロメチル基とカルボニル基が結合したβ－ジケトンと、有機溶媒を含む溶液であり、前記金属含有膜が、前記β－ジケトンと錯体を形成可能な金属元素を含み、前記表面改質液が前記金属元素に対する酸化性物質を含み、前記表面改質液を前記金属含有膜に接触させて前記金属含有膜の表面に前記金属元素の酸化膜を形成する第一工程と、前記エッチング液を、前記酸化膜を有する前記金属含有膜に接触させる第二工程と、を含む、ウェットエッチング方法を提供する。

2. 发明申请

WO2020055529A1 ETCHING COMPOSITIONS 审中-公开
公开(公告)号：WO2020055529A1
公开(公告)日：2020-03-19
申请号：PCT/US2019/045631
申请日：2019-08-08
申请人： FUJIFILM ELECTRONIC MATERIALS U.S.A., INC.
发明人： TAKAHASHI, Tomonori , GONZALEZ, Frank
IPC分类号： C23F1/00 , C23F1/02 , C23F1/10 , C23F1/14 , C23F1/16
摘要： The present disclosure is directed to etching compositions that are useful, e.g., for selectively removing tungsten (W) and/or titanium nitride (TiN) from a semiconductor substrate as an intermediate step in a multistep semiconductor manufacturing process.

3. 发明申请

WO2020037450A1 一种表面耐腐膜的制造方法审中-公开
公开(公告)号：WO2020037450A1
公开(公告)日：2020-02-27
申请号：PCT/CN2018/101246
申请日：2018-08-20
申请人：唐建
发明人：唐建
IPC分类号： C23F1/30 , C23F1/16 , C23F1/14 , C23F1/10 , C23F1/00 , C23F1/28 , C23F15/00
摘要：一种表面耐腐膜的制造方法，腐蚀液包括盐酸、硝酸、硫酸、水、硫酸铜和三氯化铁；腐蚀反应过程：将所需腐蚀的铸件置于腐蚀槽中，将所述腐蚀液倒入腐蚀槽中，腐蚀液要没过铸件表面；当有黑色物质从铸件表面扩散时，腐蚀反应开始，腐蚀时间20-30min；腐蚀反应结束后，将铸件取出，用毛刷将反应后残留在铸件表面的黑色产物刷掉，然后用清水冲洗，即可得到表面光亮的宏观组织。经过抗腐蚀处理后的工件更加的耐腐蚀，能够经受油气田的处理和加工，可以进行不同工况的使用。

4. 发明申请

WO2011010877A2 금속 배선 형성을 위한 식각액 조성물 审中-公开
标题翻译：用于形成金属线的蚀刻组合物
公开(公告)号：WO2011010877A2
公开(公告)日：2011-01-27
申请号：PCT/KR2010/004807
申请日：2010-07-22
申请人： 동우 화인켐 주식회사 , 임민기 , 양승재 , 이유진 , 박영철 , 권오병
发明人： 임민기 , 양승재 , 이유진 , 박영철 , 권오병
IPC分类号： C09K13/08 , C23F1/10
CPC分类号： C09K13/08 , C23F1/20 , C23F1/26 , C23F1/44 , H01L21/32134
摘要： 본 발명은 금속 배선 형성을 위한 식각액 조성물에 관한 것이다. 상기 식각액 조성물은 티타늄, 티타늄 합금, 알루미늄 및 알루미늄 합금으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 금속으로 형성된 단일막 또는 이중막 이상의 다중막을 일괄적으로 습식 식각할 수 있어서 식각 공정의 간소화 및 생산성 향상 효과를 제공한다. 또한, 식각속도가 빠르고, 하부막 및 장비에 대한 손상이 없으며, 균일한 에칭이 가능하여 우수한 식각 특성을 제공하며, 고가의 장비구성이 필요하지 않고 대면적화에 유리하여 매우 경제적인 이점을 제공한다.
摘要翻译：本发明涉及用于形成金属线的蚀刻剂组合物。蚀刻剂组合物可以一次性地湿法蚀刻由选自钛，钛合金，铝和铝合金的一种或多种金属形成的单层膜，或者包括双层的多层膜膜，从而简化了蚀刻工艺并提高了生产率。此外，本发明的蚀刻剂组合物具有高蚀刻速度，防止对下膜和设备的损害，能够均匀蚀刻，提供优异的蚀刻特性，消除对昂贵的设备的需要，在用于大型显示装置时是有利的，以及提供了显着的经济优势。

5. 发明申请

WO2018106816A1 SYSTEMS AND METHODS FOR COPPER ETCH RATE MONITORING AND CONTROL 审中-公开
公开(公告)号：WO2018106816A1
公开(公告)日：2018-06-14
申请号：PCT/US2017/064929
申请日：2017-12-06
申请人： UNIVERSITY OF NORTH TEXAS SYSTEM
发明人： CHYAN, Oliver Ming-Ren , LAMBERT, Alex
IPC分类号： C23F1/10 , C23F1/08 , H01L21/66 , H01L21/67 , G01N21/17 , G01J3/02
摘要： Systems and methods for copper etch monitoring and control are described. Certain embodiments include utilizing thin-film cells to measure the absorbance of a copper etch solution to determine the etch rate of the solution. In another embodiment, a method of controlling etch rate of a copper etch solution includes detecting characteristics of the copper etch solution utilizing a sensor device, e.g., flow cell and/or attenuated total reflection probe, calculating, based on the detected characteristics of the copper etch solution, the etch rate of the copper etch solution, and adjusting the etch rate of the copper etch solution in response to the calculated etch rate deviating from a specified value.

6. 发明申请

WO2014081085A1 전극의 제조 방법, 상기 방법에 따라 제조된 전극, 및 상기 전극을 포함하는 리튬 이차 전지 审中-公开
标题翻译：制造电极的方法，通过方法制造的电极和包括电极的锂二次电池
公开(公告)号：WO2014081085A1
公开(公告)日：2014-05-30
申请号：PCT/KR2013/002016
申请日：2013-03-13
申请人： 국립대학법인 울산과학기술대학교 산학협력단
发明人： 박수진 , 조재필 , 최신호 , 이정인
IPC分类号： H01M4/139 , H01M4/64 , C23F1/10 , H01M4/04
CPC分类号： H01M4/13 , H01M4/04 , H01M4/139 , H01M10/052
摘要： 습식 에칭 방법, 건식 에칭 방법, 또는 롤투롤 방법으로 집전체의 표면에 요철 패턴을 형성하는 단계, 및 상기 패턴화된 집전체의 표면에 활물질을 성장시키는 단계를 포함하는 전극의 제조 방법, 상기 방법에 따라 제조된 전극, 상기 전극을 포함하는 리튬 이차 전지 및 상기 전극을 포함하는 플렉서블 리튬 이차 전지에 관한 것이다.
摘要翻译：本发明涉及一种制造电极的方法，由该方法制造的电极，包括该电极的锂二次电池和包括该电极的柔性锂二次电池，该方法包括以下步骤：在通过使用湿式蚀刻法，干式蚀刻法或卷对卷方式的集电体的表面; 以及在集电器的图案化表面上生长活性材料。

7. 发明申请

WO2012064001A1 금속막 식각용 조성물 审中-公开
标题翻译：用于蚀刻金属膜的组合物
公开(公告)号：WO2012064001A1
公开(公告)日：2012-05-18
申请号：PCT/KR2011/003427
申请日：2011-05-09
申请人： 오씨아이 주식회사 , 장욱 , 박종희 , 김지찬 , 한지현 , 양세인
发明人： 장욱 , 박종희 , 김지찬 , 한지현 , 양세인
IPC分类号： C23F1/44 , C23F1/10
CPC分类号： C23F1/18 , C23F1/26 , H01L21/32134 , H01L29/458 , H01L29/4908 , H01L29/66742
摘要： 본 발명은 금속막 식각용 조성물에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 산화제, 식각 조정제, 킬레이트제, 언더컷 방지제, 구리식각 억제제, 잔사 제거제 및 잔량의 물을 포함하는 평판디스플레이용 박막트랜지스터내 게이트 전극 및 데이터 전극으로 사용되는 금속막, 특히 구리, 몰리브덴, 티타늄 및 몰리브텐-티타늄 합금 중에서 선택한 1 종 이상을 포함한, 단일막 또는 다중막을 일괄 습식 식각하는 식각용 조성물에 관한 것이다. 본 발명의 조성물은 식각 공정에 적용시 새로운 킬레이트제를 활용하여 산화제와 구리 이온과의 급격한 반응을 억제함으로서 식각액의 수명과 안정성이 우수하며, 식각된 금속막의 경사각이 완만하고 CD 손실을 적절히 제어하며, 하부 몰리브덴, 티타늄 또는 몰리브덴-티타늄 합금막의 잔사를 억제하는 좋은 식각 프로파일을 얻을 수 있다. 또한, 휘발 억제제를 추가로 포함할 경우 식각 장비내 석출물 및 이물이 잘 발생되지 않기 때문에 식각 장비 운용에 대한 생산성 향상과 불량율 감소가 가능하다.
摘要翻译：本发明涉及一种用于蚀刻金属膜的组合物，更具体地，涉及一种蚀刻剂组合物，其包含氧化剂，蚀刻控制剂，螯合剂，底切抑制剂，铜腐蚀抑制剂，残余物去除剂及其余量的水，用于在用于平板显示器的薄膜晶体管中用作栅电极的金属膜和数据电极，特别是单层膜或由选自铜，钼，钛的一种或多种材料组成的多层膜，以及钼钛合金。本发明的组合物通过使用新的螯合剂施加到蚀刻工艺时，抑制氧化剂和铜离子的快速反应，从而提供具有优异的寿命和稳定性的蚀刻剂，具有缓慢斜率的蚀刻金属膜角度，CD损失的适当控制，以及抑制钼，钛或钼钛合金薄膜残留物的良好蚀刻曲线。此外，如果进一步添加挥发抑制剂，则蚀刻设备中的沉淀物和异物生成大大减少，因此可以提高相对于蚀刻设备操作的生产率并降低故障率。

8. 发明申请

WO2004033758A2 COMPOSITIONS OF TRANSITION METAL SPECIES IN DENSE PHASE CARBON DIOXIDE AND METHODS OF USE THEREOF 审中-公开
标题翻译：渗透二氧化碳中过渡金属物质的组成及其使用方法
公开(公告)号：WO2004033758A2
公开(公告)日：2004-04-22
申请号：PCT/US0330702
申请日：2003-09-30
申请人： MICELL TECHNOLOGIES INC , MCCLAIN JAMES B , GROSS STEPHEN M , DEYOUNG JAMES P , WAGNER MARK I
发明人： MCCLAIN JAMES B , GROSS STEPHEN M , DEYOUNG JAMES P , WAGNER MARK I
IPC分类号： C23F1/10 , H01L21/306 , H01L21/311 , H01L21/3205 , H01L21/3213 , C23F
CPC分类号： C23F1/10 , H01L21/02052 , H01L21/31116 , H01L21/32051 , H01L21/32134
摘要： Compositions useful for cleaning metal from a substrate or coating metal onto a substrate are described: Such compositions comprise (a) a densified carbon dioxide continuous phase; (b) a polar discrete phase in said carbon dioxide continuous phase; (c) a metal in said discrete phase (i.e., a metal removed from the substrate, or to be coated onto the substrate); (d) at least one ligand in said continuous phase, said discrete phase, or both said continuous and said discrete phase.
摘要翻译：描述了用于从基材或涂覆金属清洗金属到基底上的组合物：这样的组合物包含（a）致密化的二氧化碳连续相; （b）所述二氧化碳连续相中的极性离散相; （c）所述离散相中的金属（即，从基底去除或要涂覆在基底上的金属）; （d）所述连续相中的至少一种配体，所述离散相或所述连续和所述离散相两者。

9. 发明申请

WO99015832A1 METHOD FOR REDUCING LEAD LEACHING IN FIXTURES 审中-公开
标题翻译：减少铅笔漏水的方法
公开(公告)号：WO99015832A1
公开(公告)日：1999-04-01
申请号：PCT/US1998/019675
申请日：1998-09-21
IPC分类号： C23F1/00 , C23F1/10 , F23J1/00 , F16K31/00
CPC分类号： C23F1/10 , C23F1/00
摘要： A method for treating a brass fixture (2) having a fluid-contacting surface (4) with lead dispersoids (10) exposed thereon to recuce lead leaching into a fluid supply by contacting the brass fixture (2) with a liquid metal solution selected from the group consisting of a liquid sodium solution, a liquid potassium solution and a liquid metal alloy solution to dissolve lead dispersoids (8) from the fixture, wherein the metal alloy comprises a metal selected from the group consisting of sodium and potassium.
摘要翻译：一种用于处理具有暴露于其上的铅分散体（10）的流体接触表面（4）的黄铜固定装置（2）的方法，以通过使黄铜固定装置（2）与选自由液体钠溶液，液体钾溶液和液态金属合金溶液组成的组，以从固定装置溶解铅分散体（8），其中金属合金包含选自钠和钾的金属。

10. 发明申请

WO2017086758A1 구리 식각용 조성물 및 과산화수소계 금속 식각용 조성물 审中-公开
标题翻译：用于铜蚀刻的组合物和用于蚀刻过氧化氢基金属的组合物
公开(公告)号：WO2017086758A1
公开(公告)日：2017-05-26
申请号：PCT/KR2016/013412
申请日：2016-11-21
申请人： 오씨아이 주식회사
发明人： 김윤철 , 박종희 , 권윤경 , 장욱
IPC分类号： C23F1/10 , C23F1/14 , C23F1/16 , C23F1/18
CPC分类号： C23F1/10 , C23F1/14 , C23F1/16 , C23F1/18
摘要： 본 발명은 구리 식각용 조성물 및 과산화수소계 금속 식각용 조성물에 관한 것이며, 보다 구체적으로 구리와 유기물 사이에 형성된 킬레이트 결합의 안정성을 높여 식각용 조성물로부터 구리 침전물의 발생을 억제할 수 있는 구리 식각용 조성물 및 과산화수소계 금속 식각용 조성물 내 과산화수소의 분해 및 다른 성분들의 변성을 방지할 수 있는 과산화수소계 금속 식각용 조성물에 관한 것이다.
摘要翻译：本发明涉及用于铜蚀刻的组合物和用于蚀刻过氧化氢基金属的组合物，并且更具体地涉及用于提高在铜和有机材料之间形成的螯合键的稳定性的方法，本发明涉及能够抑制过氧化氢蚀刻用组合物中的过氧化氢等的分解的铜蚀刻用组合物。

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