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1. 发明申请

WO2016013766A1 Ｐ형 산화물 반도체와 유기물 광 센서가 적용된 이미지 센서 审中-公开
标题翻译：图像传感器采用P型氧化物半导体和有机光电传感器
公开(公告)号：WO2016013766A1
公开(公告)日：2016-01-28
申请号：PCT/KR2015/006168
申请日：2015-06-18
申请人： 실리콘 디스플레이 (주)
发明人： 허지호 , 한송이
IPC分类号： H01L27/16 , H01L29/786 , H01L21/47
CPC分类号： H01L21/47 , H01L27/16 , H01L29/786
摘要： 본 발명은 p형 산화물 반도체와 유기물 광 센서가 적용된 이미지 센서에 관한 것으로, 기판 상에 형성된 박막 트랜지스터; 상기 박막 트랜지스터의 데이터 전극과 접속되는 n형 산화물 반도체; 상기 n형 산화물 반도체 상에 형성되는 p형 산화물 반도체; 상기 p형 산화물 반도체 상에 형성되는 유기물 광 센서부; 및 상기 유기물 광 센서부 상에 형성되는 전극;을 포함하여 구성된다.
摘要翻译：本发明涉及一种采用p型氧化物半导体和有机光电传感器的图像传感器，包括：形成于基板上的薄膜晶体管; 连接到薄膜晶体管的数据电极的n型氧化物半导体; 形成在n型氧化物半导体上的p型氧化物半导体; 形成在p型氧化物半导体上的有机光电传感器单元; 以及形成在有机光电传感器单元上的电极。

2. 发明申请

WO2014201418A2 MULTI-LAYER MESOPOROUS COATINGS FOR CONDUCTIVE SURFACES, AND METHODS OF PREPARING THEREOF 审中-公开
标题翻译：用于导电表面的多层多孔涂料及其制备方法
公开(公告)号：WO2014201418A2
公开(公告)日：2014-12-18
申请号：PCT/US2014/042408
申请日：2014-06-13
申请人： ONESUN, LLC
发明人： BURKETT, Adam, J. , LARSSON, Mats, I. , ZEIRA, Eitan, C.
IPC分类号： H01L21/47
CPC分类号： H01G9/2031 , B01J21/063 , B01J23/005 , B01J23/14 , B01J27/135 , B01J35/0013 , B01J35/004 , B01J35/023 , B01J35/1061 , B01J35/1066 , B01J37/0219 , B01J37/0244 , H01L31/02167 , H01L31/02327 , Y02E10/50
摘要： Provided herein is a method of coating a conductive surface with a multi-layer mesoporous structure, by coating a conductive surface with a first photocatalytic dispersion to form a first layer over the conductive surface, curing or partially curing the first layer at temperatures of less than 400°C to form a porous structure, and coating the porous first layer with the one or more additional photocatalytic dispersions to form one or more additional layers that can penetrate or partially penetrate the pores of the structure in the first layer. The first photocatalytic dispersion includes photocatalytic particles, polymeric binder and a dispersion medium. The one or more additional photocatalytic dispersions include photocatalytic particles and a dispersion medium.
摘要翻译：本文提供了一种用多层中孔结构涂覆导电表面的方法，通过用第一光催化分散体涂覆导电表面以在导电表面上形成第一层，在小于等于的温度固化或部分固化第一层 400℃以形成多孔结构，并且用一种或多种另外的光催化分散体涂覆多孔第一层以形成一个或多个另外的层，其可渗透或部分地穿透第一层中的结构的孔。第一种光催化分散体包括光催化颗粒，聚合物粘合剂和分散介质。一种或多种另外的光催化分散体包括光催化颗粒和分散介质。

3. 发明申请

WO2017010674A1 자발 확산 효과를 이용한 초고속 유/무기 박막 제조방법 审中-公开
标题翻译：通过使用自发扩散效应制备有机/有机薄膜的超快速方法
公开(公告)号：WO2017010674A1
公开(公告)日：2017-01-19
申请号：PCT/KR2016/005336
申请日：2016-05-19
申请人： 한국과학기술원
发明人： 이정용 , 정선주 , 노종현
IPC分类号： H01L51/42 , H01L21/47 , H01L21/471 , H01L31/0256
CPC分类号： H01L21/47 , H01L21/471 , H01L31/0256 , H01L51/42 , Y02E10/549
摘要： 본 발명에 따른 자발 확산 효과를 이용한 초고속 유/무기 박막 제조방법은 하나 이상의 유/무기 물질을 용매에 녹여 용액을 형성하는 단계; 상기 형성된 용액을 액상 기판 상에 공급하여 유/무기 박막을 형성하는 단계; 및 상기 형성된 박막을 기판으로 전사하는 단계;를 포함하고, 상기 유/무기 박막 형성 단계는, 상기 액상 기판과 상기 용액 간의 표면 장력 차이에 의한 자발 확산 현상이 이루어지고, 상기 용매의 증발 및 액상 기판으로의 용매의 용해 과정이 이루어지는 것을 통해 상기 액상 기판 상에 상기 유/무기 물질이 박막을 이루는 것을 특징으로 한다. 본 발명은 액상 기판과 용액의 표면 장력을 이용하여 액상 기판에서 박막을 형성하는 방법에 대한 것으로서 유/무기 전자소자를 구현하게 한다.
摘要翻译：根据本发明，通过使用自扩散效应制备有机/无机薄膜的超快速方法包括以下步骤：通过将一种或多种有机/无机材料溶解在溶剂中形成溶液; 通过将形成的溶液供给到液体基材上形成有机/无机薄膜; 并将形成的薄膜转移到基板上，其中形成有机/无机薄膜的步骤通过由表面差引起的自扩散现象从有机/无机材料在液体基板上形成薄膜液体基质和溶液之间的张力，以及溶剂的蒸发和溶剂溶解于液体基质的溶解过程的发生。本发明涉及通过使用液体基板和溶液之间的表面张力在液体基板上形成薄膜的方法，并且允许实现有机/无机电子器件。

4. 发明申请

WO2015008720A1 膜形成用組成物およびその膜、並びにそれを用いる有機半導体素子の製造方法审中-公开
标题翻译：成膜组合物，成膜片及使用其制造有机半导体元件的方法
公开(公告)号：WO2015008720A1
公开(公告)日：2015-01-22
申请号：PCT/JP2014/068663
申请日：2014-07-14
申请人：セントラル硝子株式会社
发明人：照井　貴陽 , 小森谷　治彦 , 小林　史人 , 原　由香里 , 原　育成
IPC分类号： H01L21/47 , C08K5/02 , C08K5/06 , C08L27/12 , H01L21/027 , H01L21/308 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L51/05 , H01L51/40 , H01L51/50 , H01L21/312
CPC分类号： H01L51/0018 , C08K5/02 , C08K5/06 , C09D133/16 , G03F7/0002 , G03F7/0046 , G03F7/0048 , H01L51/0019 , H01L51/0052 , H01L51/0558
摘要：　本発明の膜形成用組成物は、一般式（１）で表わされる繰り返し単位を含むフッ素樹脂と、フッ素系溶剤を含む。（Ｒ 1 は、それぞれ独立に、水素原子、フッ素原子、メチル基またはトリフルオロメチル基である。Ｒ 2 は、それぞれ独立に、炭素数１～１５の直鎖状、炭素数３～１５の分岐鎖状または炭素数３～１５の環状の含フッ素炭化水素基であり、炭化水素基中の水素原子がフッ素原子で置換されていてもよく、繰り返し単位中に少なくとも１個のフッ素原子を含む。）該組成物は、有機半導体膜上に膜の形成が可能であって、フォトリソグラフィー等において有機半導体の精緻なパターンを得る際に、エッチング溶剤に耐性があり、有機半導体素子の製造方法に有用である。
摘要翻译：该成膜组合物含有氟树脂和氟系溶剂，所述氟树脂含有可以由通式（1）表示的重复单元。（每个R 1各自独立地表示氢原子，氟原子，甲基或三氟甲基，各自独立地表示C1-15直链含氟烃基或C3-15支链或环状含氟所述烃基中的氢原子可以被取代，并且每个重复单元含有至少一个氟原子。）该组合物可用于制备有机半导体元件的方法，因为所述组合物能够形成在有机半导体膜的顶部上的膜，当使用光刻法等形成详细的有机半导体图案时，所述组合物耐蚀刻溶剂。

5. 发明申请

WO2012045258A1 一种半导体纳米圆环的制备方法审中-公开
公开(公告)号：WO2012045258A1
公开(公告)日：2012-04-12
申请号：PCT/CN2011/079525
申请日：2011-09-09
申请人：北京大学 , 黄如 , 艾玉杰 , 郝志华 , 浦双双 , 樊捷闻 , 孙帅 , 王润声 , 安霞
发明人：黄如 , 艾玉杰 , 郝志华 , 浦双双 , 樊捷闻 , 孙帅 , 王润声 , 安霞
IPC分类号： H01L21/47 , G03F1/14
CPC分类号： B82Y40/00
摘要：本发明公开了一种半导体纳米圆环的制备方法，该方法首先在半导体衬底上涂正性光刻胶，然后基于泊松衍射的原理，通过微米级直径的圆形掩膜版对光刻胶进行曝光，得到圆环形的光刻胶，再在圆环形光刻胶的保护下对衬底进行等离子体刻蚀，在衬底表面形成壁厚为纳米尺寸的圆环形结构。本发明采用微米尺寸的光刻设备和微米尺寸的圆形掩膜制备出纳米尺寸的圆环形结构，克服了对先进光刻技术的依赖，从而有效降低了圆环形纳米结构的制备成本。

6. 发明申请

WO2004068555A3 REPAIR AND RESTORATION OF DAMAGED DIELECTRIC MATERIALS AND FILMS 审中-公开
标题翻译：损坏的电介质材料和膜的修复和恢复
公开(公告)号：WO2004068555A3
公开(公告)日：2005-02-03
申请号：PCT/US2004002252
申请日：2004-01-26
申请人： HONEYWELL INT INC , FAN WENYA , LU VICTOR , THOMAS MICHAEL , DANIELS BRIAN , NGUYEN TIFFANY , ZHOU DE-LING , NAMAN ANANTH , JIN LEI , BHANAP ANIL
发明人： FAN WENYA , LU VICTOR , THOMAS MICHAEL , DANIELS BRIAN , NGUYEN TIFFANY , ZHOU DE-LING , NAMAN ANANTH , JIN LEI , BHANAP ANIL
IPC分类号： H01L21/312 , H01L21/47 , H01L21/76
CPC分类号： H01L21/31058 , H01L21/3105 , H01L21/76801 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Methods of repairing voids in a material are described herein that include: a) providing a material having a plurality of reactive silanol groups; b) providing at least one reactive surface modification agent; and c) chemically capping at least some of the plurality of reactive silanol groups with the at least one of the reactive surface modification agents. Methods of carbon restoration in a material are also described that include: a) providing a carbon-deficient material having a plurality of reactive silanol groups; b) providing at least one reactive surface modification agent; and c)chemically capping at least some of the plurality of reactive silanol groups with the at least one of the reactive surface modification agents. In addition, methods are described herein for reducing the condensation of a film and/or a carbon-deficient film that include: a) providing a film having a plurality of reactive silanol groups; b) placing the film into a plasma chamber; c) introducing a plurality of reactive organic moieties-containing silanes into the chamber; and d) allowing the silanes to react with at least some of the reactive silanol groups. Dielectric materials and low-k dielectric materials are described herein that comprise: a) an inorganic material having a plurality of silicon atoms; and b) a plurality of organic moiety-containing silane compounds, wherein the silane compounds are coupled to the inorganic material through at least some of the silicon atoms.
摘要翻译：本文描述了修复材料中空隙的方法，其包括：a）提供具有多个反应性硅烷醇基团的材料; b）提供至少一种反应性表面改性剂; 和c）使所述多个反应性硅烷醇基团中的至少一些与至少一种反应性表面改性剂化学封端。还描述了材料中碳修复的方法，其包括：a）提供具有多个反应性硅烷醇基团的缺碳材料; b）提供至少一种反应性表面改性剂; 和c）使所述多个反应性硅烷醇基团中的至少一些与至少一种反应性表面改性剂化学封端。此外，本文描述了用于减少膜和/或缺碳膜的冷凝的方法，其包括：a）提供具有多个反应性硅烷醇基团的膜; b）将膜放入等离子体室中; c）将多个含反应性有机部分的硅烷引入所述室中; 和d）允许硅烷与至少一些反应性硅烷醇基团反应。介质材料和低k介电材料在本文中描述，其包括：a）具有多个硅原子的无机材料; 和b）多个含有机部分的硅烷化合物，其中硅烷化合物通过至少一些硅原子与无机材料偶联。

7. 发明申请

WO2021163202A1 METHOD FOR FORMING COMPONENTS WITHOUT ADDING TABS DURING ETCHING 审中-公开
公开(公告)号：WO2021163202A1
公开(公告)日：2021-08-19
申请号：PCT/US2021/017470
申请日：2021-02-10
申请人： HUTCHINSON TECHNOLOGY INCORPORATED
发明人： OLSEN, Clark, T. , RIBAR, Jeffery, G.
IPC分类号： H01L21/302 , H01L21/47 , H01L21/48 , H01L21/683
摘要： A method for producing a component without tabs during etching. The method includes: applying a wafer tape to the plated side of the substrate; depositing a resist layer on a metal layer on a metal side of the substrate that is opposite of the plated side; exposing the resist layer to UV light; developing the resist layer; and etching the metal layer.

8. 发明申请

WO2010030613A1 BOUNDARY LAYER DISRUPTIVE PRECONDITIONING IN ATMOSPHERIC-PLASMA PROCESS 审中-公开
标题翻译：大气等离子体工艺中的边界层破坏预处理
公开(公告)号：WO2010030613A1
公开(公告)日：2010-03-18
申请号：PCT/US2009/056272
申请日：2009-09-08
申请人： SIGMA LABORATORIES OF ARIZONA, LLC , DAI, Xin , ELLWANGER, Richard, E. , YIALIZIS, Angello
发明人： DAI, Xin , ELLWANGER, Richard, E. , YIALIZIS, Angello
IPC分类号： H01L21/47
CPC分类号： B29C59/14 , B05D3/0486 , B05D3/144 , B29C2059/145 , B41M5/0011 , H05H1/48 , H05H2001/485
摘要： The boundary layer of a substrate (14) is exposed to a low-energy inert-gas atmospheric plasma that disrupts the layer's bonds, thereby permitting the removal of most oxygen from the surface of the substrate. The substrate (14) is then passed through an exhaust section (82) to remove the disrupted boundary layer prior to conventional plasma treatment. The subsequent plasma treatment is carried out in conventional manner in a substantially oxygen-free environment. As a result of the invention, the high surface- energy levels provided by plasma treatment are more lasting and plasma applications requiring a substantially oxygen-free environment are more efficient.
摘要翻译：衬底（14）的边界层暴露于破坏层的键的低能惰性气体大气等离子体，从而允许从衬底的表面去除大部分氧。然后在常规等离子体处理之前，将衬底（14）通过排气部分（82）以去除破裂的边界层。随后的等离子体处理在常规方式中在基本上无氧的环境中进行。作为本发明的结果，通过等离子体处理提供的高表面能级更持久，并且需要基本上无氧环境的等离子体应用更有效。

9. 发明申请

WO9910939A9 A method of manufacturing a field-effect transistor substantially consisting or organic materials 审中-公开
标题翻译：一种制造基本上由有机材料构成的场效应晶体管的方法
公开(公告)号：WO9910939A9
公开(公告)日：2006-05-26
申请号：PCT/IB9801144
申请日：1998-07-27
申请人： KONINKL PHILIPS ELECTRONICS NV , PHILIPS SVENSKA AB
发明人： MUTSAERS CORNELIS MARCUS JOHAN , DE LEEUW DAGOBERT MICHEL , DRURY CHRISTOPHER JOHN
IPC分类号： H01L51/05 , H01L29/786 , H01L51/00 , H01L51/10 , H01L51/30 , H01L51/40 , H01L21/312 , H01L21/47
CPC分类号： H01L51/0516 , H01L51/0034 , H01L51/0035 , H01L51/0036 , H01L51/0541
摘要： A practical method of manufacturing an organic field-effect transistor is disclosed. By applying the insulating layer having a thickness of 0.3 µm or less to a substantially planar electrode layer, an organic field-effect transistor can be made having a channel length down to 2 µm, satisfying the condition for voltage amplification at voltages well below 10 V, and having an on/off ratio of about 25.
摘要翻译：公开了制造有机场效应晶体管的实用方法。通过将厚度为0.3μm以下的绝缘层施加到基本平面的电极层，可以制造具有低于2μm的沟道长度的有机场效应晶体管，满足在远低于10V的电压下的电压放大条件，并且具有约25的开/关比。

10. 发明申请

WO2004041972A3 GAS LAYER FORMATION MATERIALS 审中-公开
标题翻译：气体层形成材料
公开(公告)号：WO2004041972A3
公开(公告)日：2004-07-15
申请号：PCT/US0334816
申请日：2003-10-31
申请人： HONEYWELL INT INC , LI BO , ZHOU DE-LING , NAMAN ANANTH , APEN PAUL
发明人： LI BO , ZHOU DE-LING , NAMAN ANANTH , APEN PAUL
IPC分类号： C08G61/02 , C08L65/00 , H01L21/312 , H01L21/316 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L23/532 , H01B3/30 , H01L21/47 , H01L21/4763
CPC分类号： H01L21/76829 , C08G61/02 , C08L65/00 , H01L21/312 , H01L21/3121 , H01L21/31695 , H01L21/76801 , H01L21/76808 , H01L21/7682 , H01L23/5222 , H01L23/5329 , H01L2221/1036 , H01L2924/0002 , H01L2924/09701 , H01L2924/12044 , H01L2924/00
摘要： The present invention provides gas layer formation material selected from the group consisting of acenaphthylene homopolymers; acenaphthylene copolymers; poly(arylene ether); polyamide; B-staged multifunctional acrylate/methacrylate; crosslinked styrene divinyl benzene polymers; and copolymers of styrene and divinyl benzene with maleimide or bis-maleimides. The formed gas layers (72) are used in microchips and multichip modules.
摘要翻译：本发明提供选自苊烯均聚物的气层形成材料; 苊烯共聚物; 聚（亚芳基醚）; 聚酰胺; B阶多功能丙烯酸酯/甲基丙烯酸酯; 交联苯乙烯二乙烯基苯聚合物; 苯乙烯和二乙烯基苯与马来酰亚胺或双马来酰亚胺的共聚物。形成的气体层（72）用于微芯片和多芯片模块。

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