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1. 发明申请

WO2004015437A1 MAGNETIC SENSING DEVICE 审中-公开
标题翻译：磁感应装置
公开(公告)号：WO2004015437A1
公开(公告)日：2004-02-19
申请号：PCT/US2003/023389
申请日：2003-07-23
申请人： HONEYWELL INTERNATIONAL INC.
发明人： WITCRAFT, William, F.
IPC分类号： G01R33/09
CPC分类号： G01R33/09 , Y10T428/1193
摘要： A magnetic sensing device is disclosed. The magnetic sensing device may have an integrated circuit and a magnetic sensor. A magnetic buffer layer of material may be deposited between the integrated circuit and the magnetic sensor to shield the magnetic sensor from stray electromagnetic fields generated by the integrated circuit. The magnetic buffer layer may also absorb electromagnetic fields generated by other internal sources of the magnetic sensing device.
摘要翻译：公开了一种磁感测装置。磁感测装置可以具有集成电路和磁传感器。可以在集成电路和磁传感器之间沉积材料的磁缓冲层，以将磁传感器屏蔽到由集成电路产生的杂散电磁场。磁缓冲层也可以吸收由磁感测装置的其它内部源产生的电磁场。

2. 发明申请

WO2002078021A1 MAGNETORESISTIVE SPIN-VALVE SENSOR AND READ HEAD 审中-公开
标题翻译：磁力传感器和读取头
公开(公告)号：WO2002078021A1
公开(公告)日：2002-10-03
申请号：PCT/JP2001/009447
申请日：2001-10-26
申请人： FUJITSU LIMITED , HONG, Jongill , KANAI, Hitoshi , KANE, Junichi , NOMA, Kenji
发明人： HONG, Jongill , KANAI, Hitoshi , KANE, Junichi , NOMA, Kenji
IPC分类号： H01F10/32
CPC分类号： B82Y25/00 , B82Y10/00 , G01R33/093 , G11B5/39 , G11B5/3903 , G11B2005/3996 , H01F10/324 , H01F41/325 , Y10T428/1121 , Y10T428/1164 , Y10T428/1193
摘要： A magnetoresistive spin-valve sensor is constructed to include a magnetic layer, a specular layer made of a metal oxide, a back layer made of Au, Cu, AuCu, AgCu, AuAgCu or an alloy thereof and interposed between the magnetic layer and the specular layer, and a metal layer disposed adjacent to the specular layer, opposite to the back layer, and made of a metal which improves GMR performance of the magnetoresistive spin-valve sensor.
摘要翻译：磁阻自旋阀传感器被构造为包括磁性层，由金属氧化物制成的镜面层，由Au，Cu，AuCu，AgCu，AuAgCu或其合金制成的背层，并且介于磁性层和镜面并且与背层相对设置的与镜面层相邻的金属层，并且由改善磁阻自旋阀传感器的GMR性能的金属制成。

3. 发明申请

WO2014062222A1 ARTICLES INCLUDING INTERMEDIATE LAYER AND METHODS OF FORMING 审中-公开
标题翻译：包括中间层的文章和形成方法
公开(公告)号：WO2014062222A1
公开(公告)日：2014-04-24
申请号：PCT/US2013/030659
申请日：2013-03-13
申请人： SEAGATE TECHNOLOGY LLC , PITCHER, Philip, George , BRAND, John, L. , REJDA, Edwin, F. , FULLER, Richard, M.
发明人： PITCHER, Philip, George , BRAND, John, L. , REJDA, Edwin, F. , FULLER, Richard, M.
IPC分类号： G11B5/31
CPC分类号： H01F10/30 , G11B5/313 , G11B5/3133 , G11B5/3163 , G11B5/3169 , H01F41/00 , Y10T428/1193 , Y10T428/261 , Y10T428/265
摘要： Articles that include a magnetic structure; an intermediate layer, the intermediate layer positioned on the magnetic structure, the intermediate layer having a thickness from about 3 Å to about 50 Å, the intermediate layer including a bottom interface layer, the bottom interface layer positioned adjacent the magnetic structure, the bottom interface layer including atoms of a metal bonded to atoms, compounds, or both of the magnetic structure; an interlayer, the interlayer positioned on the bottom interface layer, the interlayer including oxides of the metal; and a top interface layer, the top interface layer positioned adjacent the interlayer, the top interface layer including atoms of the metal, oxides of the metal, or some combination thereof bonded to atoms or compounds of the adjacent overcoat layer; and an overcoat layer, the overcoat layer positioned on the top interface layer of the intermediate layer.
摘要翻译：包括磁性结构的文章; 中间层，位于磁性结构上的中间层，中间层的厚度约为约至约为50埃，中间层包括底部界面层，底部界面层位于磁性结构附近，底部界面层，包括键合到原子，化合物或两者的磁性结构的金属的原子; 中间层，位于底部界面层上的中间层，包含金属的氧化物的中间层; 以及顶部界面层，所述顶部界面层位于所述中间层附近，所述顶部界面层包括所述金属的原子，所述金属的氧化物或其结合到所述相邻外涂层的原子或化合物的某些组合; 和外涂层，该外涂层位于中间层的顶部界面层上。

4. 发明申请

WO2008142965A1 トンネル型磁気検出素子审中-公开
标题翻译：隧道式磁力检测元件
公开(公告)号：WO2008142965A1
公开(公告)日：2008-11-27
申请号：PCT/JP2008/058244
申请日：2008-04-30
申请人：アルプス電気株式会社 , 西村和正 , 斎藤正路 , 井出洋介 , 中林亮 , 西山義弘 , 小林秀和 , 長谷川直也
发明人：西村和正 , 斎藤正路 , 井出洋介 , 中林亮 , 西山義弘 , 小林秀和 , 長谷川直也
IPC分类号： H01L43/10 , G11B5/39 , H01L21/8246 , H01L27/105
CPC分类号： H01L43/08 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G01R33/098 , G11B5/3906 , G11B5/3909 , H01F10/30 , H01F10/3254 , H01F10/3272 , Y10T428/1114 , Y10T428/1143 , Y10T428/1193 , Y10T428/266 , Y10T428/31678
摘要：【課題】　特に、絶縁障壁層をＭｇ－Ｏで形成したトンネル型磁気検出素子において、下地層とシード層の材質を改良することで、従来に比べて、抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を増大させることを可能としたトンネル型磁気検出素子を提供することを目的としている。【解決手段】　絶縁障壁層５は、Ｍｇ－Ｏで形成され、下地層１はＴｉで形成され、シード層２はＮｉ－Ｆｅ－Ｃｒ、あるいはＲｕのいずれかにより形成されている。これによりＲＡを従来と同程度に小さくしつつ、従来に比べて、抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を増大させることが可能である。
摘要翻译：为了提高具有由Mg-O形成的绝缘分隔层的隧道式磁检测元件中的底涂层和种子层的材料，为了提高电阻变化率（ΔR/ R），与传统的隧道式磁检测元件。解决问题的手段由Mg-O形成绝缘分隔层（5）。由Ti形成底涂层（1）。种子层（2）由Ni-Fe-Cr或Ru形成。因此，与常规技术相比，可以增加电阻变化率（ΔR/ R），同时将RA减小到与常规技术相同的程度。

5. 发明申请

WO2007124203A2 METHODS AND APPARATUS FOR A SYNTHETIC ANTI-FERROMAGNET STRUCTURE WITH REDUCED TEMPERATURE DEPENDENCE 审中-公开
标题翻译：具有降低温度依赖性的合成抗真菌结构的方法和装置
公开(公告)号：WO2007124203A2
公开(公告)日：2007-11-01
申请号：PCT/US2007063045
申请日：2007-03-01
申请人： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC , PIETAMBARAM SRINIVAS V , DAVE RENU W , SLAUGHTER JON M , SUN JIJUN
发明人： PIETAMBARAM SRINIVAS V , DAVE RENU W , SLAUGHTER JON M , SUN JIJUN
IPC分类号： H01L21/00 , G11B5/33
CPC分类号： B82Y25/00 , B82Y40/00 , G11B5/3906 , H01F10/3204 , H01F10/3254 , H01F10/3272 , H01F41/302 , H01L43/10 , Y10T428/1121 , Y10T428/1129 , Y10T428/1143 , Y10T428/1193
摘要： A synthetic antiferromagnet (SAF) structure includes a first ferromagnetic layer (210), a first insertion layer (208), a coupling layer (206), a second insertion layer (204), and a second ferromagnetic layer (202). The insertion layers comprise materials selected such that SAF exhibits reduced temperature dependence of antiferromagnetic coupling strength. The insertion layers may include CoFe or CoFeX alloys. The thickness of the insertion layers (208, 204) is selected such that they do not increase the uniaxial anisotropy or deteriorate any other properties.
摘要翻译：合成反铁磁体（SAF）结构包括第一铁磁层（210），第一插入层（208），耦合层（206），第二插入层（204）和第二铁磁层（202）。插入层包括选择的材料，使得SAF显示降低的反铁磁耦合强度的温度依赖性。插入层可以包括CoFe或CoFeX合金。选择插入层（208,204）的厚度使得它们不增加单轴各向异性或劣化任何其它性质。

6. 发明申请

WO2004051754A1 スピン注入素子及びスピン注入素子を用いた磁気装置审中-公开
标题翻译：旋转注入装置和使用旋转注入装置的磁性装置
公开(公告)号：WO2004051754A1
公开(公告)日：2004-06-17
申请号：PCT/JP2003/014830
申请日：2003-11-20
申请人：独立行政法人科学技術振興機構 , 猪俣浩一郎 , 前川禎道 , 高橋三郎
发明人：猪俣浩一郎 , 前川禎道 , 高橋三郎
IPC分类号： H01L29/82
CPC分类号： H01L29/66984 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G01R33/06 , G11B5/39 , G11B5/3903 , G11B5/3909 , H01L39/228 , H01L43/08 , Y10T428/1121 , Y10T428/1143 , Y10T428/1193
摘要：非磁性導電体（４）を共通の電極とし、他方の電極を強磁性体（６，８）とする第１と第２のトンネル接合（２，３）を、非磁性導電体（４）のスピン拡散長よりも短い間隔を置いて配置し、第１のトンネル接合（２）は強磁性金属（６）から非磁性導電体（４）にスピンを注入し、第２のトンネル接合（３）は第１のトンネル接合（２）のスピン注入に伴う電圧を強磁性金属（８）と非磁性導電体（４）の間で検出し、非磁性導電体（４）が金属よりもキャリア密度の低い非磁性導電体である。非磁性導電体（４）は半導体または半金属である。また、共通電極は超伝導体（４’）でもよい。低電流、かつ、低磁界で大きな信号電圧が得られると共に、微細化できるスピン注入素子及びスピン注入素子を用いた磁気装置を提供できる。
摘要翻译：第一隧道结（2）由非磁性导体（4）的公共电极和铁磁体（6）的电极组成，第二隧道结（3）由公共电极和电极铁磁体（8）。第一和第二隧道结（2,3）以比非磁性导体（4）的自旋扩散长度短的间隔隔开。在第一隧道结（2）中，自旋从铁磁金属（6）注入非磁性导体（4）; 在第二隧道结（3）中，通过铁磁金属（8）和非磁性导体（4）检测在第一隧道结（2）中由自旋注入产生的电压。非磁性导体（4）的载流子密度低于金属。非磁性导体（4）是半导体或半金属。公共电极可以是超导体（4'）。因此即使在较小的电流下也能够产生高的信号电压，并且即使在弱磁场中也可以产生高信号电压，并且提供了一种小型化的自旋喷射装置和包括这种自旋喷射装置的磁性装置。

7. 发明申请

WO2002099905A1 トンネル磁気抵抗素子审中-公开
标题翻译：隧道磁阻元件
公开(公告)号：WO2002099905A1
公开(公告)日：2002-12-12
申请号：PCT/JP2002/005049
申请日：2002-05-24
申请人：独立行政法人産業技術総合研究所 , 科学技術振興事業団 , 長濱太郎 , 湯浅新治 , 鈴木義茂
发明人：長濱太郎 , 湯浅新治 , 鈴木義茂
IPC分类号： H01L43/08
CPC分类号： H01L43/08 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G01R33/06 , G01R33/093 , G01R33/098 , G11B5/3909 , G11C11/16 , H01F10/3231 , H01F10/3254 , H01L27/222 , Y10T428/1114 , Y10T428/1143 , Y10T428/1157 , Y10T428/1193
摘要： A tunnel magnetoresistance element which increases a degree of spin polarization to obtain a larger magnetoresistance effect by varying only the film thickness of an existing substance excellent in magnetic characteristics without varying the chemical composition. The tunnel magnetoreistance element has a substrate film (non−magnetic or antiferromagnetic metal film) (1), an ultrathin ferromagnetic film (2) formed over this substrate film (1), an insulation film (3) formed over this ultrathin ferromagnetic film (2), and a ferromagnetic electrode (4) formed over this insulation film (3).
摘要翻译：一种隧道磁阻元件，其通过仅改变磁特性优异的现有物质的膜厚度而不改变化学组成而增加自旋极化程度以获得更大的磁阻效应。隧道磁电阻元件具有衬底膜（非磁性或反铁磁金属膜）（1），在该衬底膜（1）上形成的超薄铁磁膜（2），形成在该超薄铁磁膜上的绝缘膜（3） 2）和形成在该绝缘膜（3）上的铁磁电极（4）。

8. 发明申请

WO2010059736A3 NEAR-FIELD TRANSDUCERS FOR FOCUSING LIGHT 审中-公开
标题翻译：用于聚焦光的近场传感器
公开(公告)号：WO2010059736A3
公开(公告)日：2010-09-10
申请号：PCT/US2009065004
申请日：2009-11-18
申请人： LEE LIEN , JIN XUHUI , GAO KAIZHONG , ITAGI AMIT VASANT , CHALLENER WILLIAM ALBERT , SEAGATE TECHNOLOGY LLC
发明人： LEE LIEN , JIN XUHUI , GAO KAIZHONG , ITAGI AMIT VASANT , CHALLENER WILLIAM ALBERT
IPC分类号： G11B7/12 , G11B7/135 , G11B11/105
CPC分类号： G11B5/314 , G11B5/4866 , G11B5/6088 , G11B7/122 , G11B7/1384 , G11B7/1387 , G11B11/10536 , G11B2005/0005 , G11B2005/0021 , Y10T428/11 , Y10T428/1171 , Y10T428/1193
摘要： An apparatus includes a waveguide shaped to direct light to a focal point, and a near-field transducer positioned adjacent to the focal point, wherein the near-field transducer includes a dielectric component and a metallic component positioned adjacent to at least a portion of the dielectric component. An apparatus includes a waveguide shaped to direct light to a focal point, and a near-field transducer positioned adjacent to the focal point, wherein the near-field transducer includes a first metallic component, a first dielectric layer positioned adjacent to at least a portion of the first metallic component, and a second metallic component positioned adjacent to at least a portion of the first dielectric component.
摘要翻译：一种装置包括：成形为将光引导至焦点的波导;以及位于焦点附近的近场换能器，其中近场换能器包括电介质部件和位于电极的至少一部分附近的金属部件介电元件。一种设备包括：成形为将光引导到焦点的波导;以及定位成与焦点相邻的近场换能器，其中近场换能器包括第一金属部件，第一介电层位于与第一介电层的至少一部分第一金属部件的第一金属部件以及与第一介电部件的至少一部分相邻定位的第二金属部件。

9. 发明申请

WO2010059736A2 NEAR-FIELD TRANSDUCERS FOR FOCUSING LIGHT 审中-公开
标题翻译：用于聚焦光的近场传感器
公开(公告)号：WO2010059736A2
公开(公告)日：2010-05-27
申请号：PCT/US2009/065004
申请日：2009-11-18
申请人： LEE, Lien , JIN, Xuhui , GAO, Kaizhong , ITAGI, Amit, Vasant , CHALLENER, William, Albert , SEAGATE TECHNOLOGY LLC
发明人： LEE, Lien , JIN, Xuhui , GAO, Kaizhong , ITAGI, Amit, Vasant , CHALLENER, William, Albert
IPC分类号： G11B7/12 , G11B7/135 , G11B11/105
CPC分类号： G11B5/314 , G11B5/4866 , G11B5/6088 , G11B7/122 , G11B7/1384 , G11B7/1387 , G11B11/10536 , G11B2005/0005 , G11B2005/0021 , Y10T428/11 , Y10T428/1171 , Y10T428/1193
摘要： An apparatus includes a waveguide shaped to direct light to a focal point, and a near-field transducer positioned adjacent to the focal point, wherein the near-field transducer includes a dielectric component and a metallic component positioned adjacent to at least a portion of the dielectric component. An apparatus includes a waveguide shaped to direct light to a focal point, and a near-field transducer positioned adjacent to the focal point, wherein the near-field transducer includes a first metallic component, a first dielectric layer positioned adjacent to at least a portion of the first metallic component, and a second metallic component positioned adjacent to at least a portion of the first dielectric component.
摘要翻译：一种装置包括成形为将光引导到焦点的波导和邻近焦点定位的近场换能器，其中近场换能器包括介电部件和金属部件，该金属部件邻近至少一部分介电元件。一种装置包括成形为将光引导到焦点的波导和邻近焦点定位的近场换能器，其中近场换能器包括第一金属部件，第一介电层位于与至少一部分的第一金属部件和与第一介电部件的至少一部分相邻定位的第二金属部件。

10. 发明申请

WO2008112558A1 DAMPER FOR USE IN DATA STORAGE APPLICATIONS 审中-公开
标题翻译：用于数据存储应用的阻尼器
公开(公告)号：WO2008112558A1
公开(公告)日：2008-09-18
申请号：PCT/US2008/056244
申请日：2008-03-07
申请人： INTRI-PLEX TECHNOLOGIES, INC. , HANRAHAN, Kevin P.
发明人： HANRAHAN, Kevin P.
IPC分类号： G11B17/00
CPC分类号： G11B33/08 , Y10T428/115 , Y10T428/1193
摘要： A damper for a data storage device having a viscoelastic material and a constraint material disposed on the viscoelastic material, the constraint material covers the sides of the viscoelastic material to reduce exposure of the viscoelastic material from debris in the surrounding environment.
摘要翻译：用于具有粘弹性材料和设置在粘弹性材料上的约束材料的数据存储装置的阻尼器，约束材料覆盖粘弹性材料的侧面以减少粘弹性材料暴露在周围环境中的碎片。

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