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1. 发明申请

WO2002065077A1 TEMPERATURE-SENSING COMPOSITION 审中-公开
标题翻译：温度感应组分
公开(公告)号：WO2002065077A1
公开(公告)日：2002-08-22
申请号：PCT/US2002/003283
申请日：2002-02-07
申请人： MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY , BARNEY, Alfred, A. , BAWENDI, Moungi, G. , NOCERA, Daniel, G. , RUDZINSKI, Christina, M. , SUNDAR, Vikram, C. , WALKER, Glen, W.
发明人： BARNEY, Alfred, A. , BAWENDI, Moungi, G. , NOCERA, Daniel, G. , RUDZINSKI, Christina, M. , SUNDAR, Vikram, C. , WALKER, Glen, W.
IPC分类号： G01K11/00
CPC分类号： G01K11/20 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , G01K2211/00 , H01L21/02477 , H01L21/02521 , H01L21/02557 , H01L21/0256 , H01L21/02601 , H01L21/02628 , Y10S977/778 , Y10S977/779 , Y10S977/785 , Y10S977/813 , Y10S977/815 , Y10S977/816 , Y10S977/818 , Y10S977/819 , Y10S977/82 , Y10S977/824
摘要： Temperature-sensing compositions can include an inorganic material, such as a semiconductor nanocrystal. The nanocrystal can be a dependable and accurate indicator of temperature. The intensity of emission of the nanocrystal varies with temperature and can be highly sensitive to surface temperature. The nanocrystals can be processed with a binder to form a matrix, which can be varied by altering the chemical nature of the surface of the nanocrystal. A nanocrystal with a compatibilizing outer layer can be incorporated into a coating formulation and retain its temperature sensitive emissive properties.
摘要翻译：温度感测组合物可以包括无机材料，例如半导体纳米晶体。纳米晶体可以是可靠和准确的温度指标。纳米晶体的发射强度随温度而变化，对表面温度的敏感性高。纳米晶体可以用粘合剂加工以形成基质，这可以通过改变纳米晶体的表面的化学性质来改变。可以将具有相容性外层的纳米晶体结合到涂层制剂中并保持其温度敏感的发射性质。

2. 发明申请

WO2017038487A1 半導体ナノ粒子、分散液、フィルムおよび半導体ナノ粒子の製造方法审中-公开
标题翻译：半导体纳米颗粒，分散液，膜和生产半导体纳米颗粒的方法
公开(公告)号：WO2017038487A1
公开(公告)日：2017-03-09
申请号：PCT/JP2016/074134
申请日：2016-08-18
申请人：富士フイルム株式会社
发明人：佐々木　勉
IPC分类号： C01B25/08 , B82Y5/00
CPC分类号： C09K11/565 , B82Y5/00 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , C01B25/08 , C09K11/06 , C09K11/70 , Y10S977/774 , Y10S977/816 , Y10S977/818 , Y10S977/819 , Y10S977/824 , Y10S977/892 , Y10S977/95
摘要：本発明は、発光効率が高く、耐久性にも優れた半導体ナノ粒子およびその製造方法、ならびに、半導体ナノ粒子を用いた分散液およびフィルムを提供することを課題とする。本発明の半導体ナノ粒子は、Ｘ線光電子分光分析により、酸素、亜鉛および硫黄が検出され、フーリエ変換赤外分光分析により、炭化水素基に由来する２８００ｃｍ－１～３０００ｃｍ－１に存在するピーク（ＩＣＨ３）と、ＣＯＯ－に由来する１４００ｃｍ－１～１６００ｃｍ－１に存在するピーク（ＩＣＯＯ）とが検出される、半導体ナノ粒子である。
摘要翻译：本发明解决提供具有高发光效率和优异耐久性的半导体纳米粒子及其制造方法以及分散液和使用该半导体纳米粒子的膜的问题。在这些半导体纳米颗粒中，通过X射线光电子能谱检测氧，锌和硫，并且存在于源于烃基的2800cm -1至3000cm -1的峰（ICH 3）和存在于1400cm- 通过傅里叶变换红外光谱法检测来自COO-的1至1600cm -1。

3. 发明申请

WO2008043014A1 WATER BASED COLORANTS COMPRISING SEMICONDUCTOR NANOCRYSTALS AND METHODS OF MAKING AND USING THE SAME 审中-公开
标题翻译：包含半导体纳米晶的水基色素及其制备方法和使用方法
公开(公告)号：WO2008043014A1
公开(公告)日：2008-04-10
申请号：PCT/US2007/080436
申请日：2007-10-04
申请人： EVIDENT TECHNOLOGIES , HAYES, James , SANCHEZ, Luis
发明人： HAYES, James , SANCHEZ, Luis
IPC分类号： C09D129/04 , C09D131/04 , C09D133/00
CPC分类号： C09D129/04 , C09D131/04 , C09D133/02 , C09D133/08 , Y10S977/786 , Y10S977/787 , Y10S977/813 , Y10S977/814 , Y10S977/815 , Y10S977/816 , Y10S977/817 , Y10S977/819 , Y10S977/82 , Y10S977/821 , Y10S977/822 , Y10S977/823 , Y10S977/824 , Y10S977/834 , Y10S977/95 , Y10S977/961
摘要： A water based colorant that includes a polymer emulsion and semiconductor nanocrystals capable of emitting light. The colorants include paints, inks and/or dyes that can be applied to various substrates.
摘要翻译：一种水性着色剂，其包括聚合物乳液和能够发光的半导体纳米晶体。着色剂包括可应用于各种底物的油漆，油墨和/或染料。

4. 发明申请

WO2015190637A1 대면적의 수직 정렬된 갈륨비소 반도체 나노선 어레이 제작 공정 审中-公开
标题翻译：用于制备垂直分布的阿拉伯半导体纳米颗粒纳米颗粒的方法
公开(公告)号：WO2015190637A1
公开(公告)日：2015-12-17
申请号：PCT/KR2014/005645
申请日：2014-06-25
申请人： 한국표준과학연구원
发明人： 이우 , 신정호
IPC分类号： B82B3/00 , H01L21/306
CPC分类号： H01L29/0676 , B82B3/00 , B82B3/0014 , B82B3/0019 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , H01L21/30612 , H01L21/30635 , H01L21/3086 , H01L29/20 , Y10S977/762 , Y10S977/819 , Y10S977/888
摘要： 본 발명은 하향식 방식으로 GaAs 반도체 나노선을 제조하는 방법에 관한 것으로, 메쉬형태의 금속박막을 대면적으로 제작하는 경제적인 방법을 통해 만들어진 금속박막을 양극 (anode)으로 이용하여 외부로부터 전압 및 전류를 인가하여 갈륨비소 기판에 정공 (h + )을 주입시킴으로써 습식 에칭공정을 지속적으로 유도하여 수직 정렬된 갈륨비소 반도체 나노선 어레이를 대면적으로 제작하는 방법과 관련이 있다. 얻어지는 대면적의 수직 정렬된 갈륨비소 반도체 나노선은 태양전지, 트랜지스터, 발광다이오드 등 나노소자 제작에 응용될 수 있다. 본 발명에서 갈륨비소 반도체 나노선의 직경은 금속박막의 메쉬 크기의 제어를 통해 조절이 가능하며, 나노선의 길이는 에칭시간, 인가전압 및 인가전류 제어를 통해 자유롭게 조절될 뿐 아니라 다른 I I I-V 반도체 나노선 어레이의 제조에 응용될 수 있다.
摘要翻译：本发明涉及一种自底向上的GaAs半导体纳米线的制造方法，更具体地说，涉及通过施加电压和电流从大面积制造垂直取向的砷化镓半导体纳米线阵列的方法外部使用通过以大面积制造网状金属薄膜的经济方法制造的金属薄膜作为阳极，使得空穴（h +）注入到砷化镓衬底中，从而诱导湿法蚀刻工艺不断。所获得的大面积的垂直取向的砷化镓半导体纳米线可用于制造诸如太阳能电池，晶体管和发光二极管的纳米元件。根据本发明，可以通过控制金属薄膜的网孔尺寸来调整砷化镓半导体纳米线的直径，并且不仅可以通过控制蚀刻时间自由调节纳米线的长度，施加的电压和施加的电流，但是也可以应用于制造不同的III-V族半导体纳米线阵列。

5. 发明申请

WO2010062644A2 VERTICAL GROUP III-V NANOWIRES ON SI, HETEROSTRUCTURES, FLEXIBLE ARRAYS AND FABRICATION 审中-公开
标题翻译： SI上的垂直III-V族纳米结构，异质结构，柔性阵列和制造
公开(公告)号：WO2010062644A2
公开(公告)日：2010-06-03
申请号：PCT/US2009/062356
申请日：2009-10-28
申请人： THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA , WANG, Deli , SOCI, Cesare , BAO, Xinyu , WEI, Wei , JING, Yi , SUN, Ke
发明人： WANG, Deli , SOCI, Cesare , BAO, Xinyu , WEI, Wei , JING, Yi , SUN, Ke
IPC分类号： H01L21/20 , B82B3/00
CPC分类号： H01L21/0262 , B82Y10/00 , H01L21/02381 , H01L21/02543 , H01L21/02546 , H01L21/02549 , H01L21/02573 , H01L21/02603 , H01L21/02636 , H01L27/0605 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/0676 , H01L29/068 , H01L29/20 , H01L29/205 , H01L29/267 , H01L29/7784 , H01L29/88 , H01L31/035281 , H01L31/03529 , H01L31/074 , H01L33/08 , H01L33/20 , H01L33/32 , Y02E10/50 , Y10S438/938 , Y10S438/967 , Y10S438/974 , Y10S977/762 , Y10S977/763 , Y10S977/764 , Y10S977/765 , Y10S977/813 , Y10S977/815 , Y10S977/819 , Y10S977/825
摘要： Embodiments of the invention provide a method for direct heteroepitaxial growth of vertical III-V semiconductor nanowires on a silicon substrate. The silicon substrate is etched to substantially completely remove native oxide. It is promptly placed in a reaction chamber. The substrate is heated and maintained at a growth temperature. Group III-V precursors are flowed for a growth time. Preferred embodiment vertical Group III-V nanowires on silicon have a core-shell structure, which provides a radial homojunction or heterojunction. A doped nanowire core is surrounded by a shell with complementary doping. Such can provide high optical absorption due to the long optical path in the axial direction of the vertical nanowires, while reducing considerably the distance over which carriers must diffuse before being collected in the radial direction. Alloy composition can also be varied. Radial and axial homojunctions and heterojunctions can be realized. Embodiments provide for flexible Group III-V nanowire structures. An array of Group III-V nanowire structures is embedded in polymer. A fabrication method forms the vertical nanowires on a substrate, e.g., a silicon substrate. Preferably, the nanowires are formed by the preferred methods for fabrication of Group III-V nanowires on silicon. Devices can be formed with core/shell and core/multi-shell nanowires and the devices are released from the substrate upon which the nanowires were formed to create a flexible structure that includes an array of vertical nanowires embedded in polymer.
摘要翻译：本发明的实施例提供了一种用于在硅衬底上直接异质外延生长垂直III-V半导体纳米线的方法。蚀刻硅衬底以基本上完全去除自然氧化物。它被迅速放入反应室。衬底被加热并保持在生长温度。 III-V族前体流动一段时间。硅上的优选实施例垂直III-V族纳米线具有提供径向同质结或异质结的核 - 壳结构。掺杂的纳米线核心被具有互补掺杂的壳体包围。由于垂直纳米线的轴向方向上的长光路，这可以提供高光吸收，同时显着减小载流子在沿径向方向收集之前必须扩散的距离。合金成分也可以变化。可以实现径向和轴向同质结和异质结。实施例提供柔性的III-V族纳米线结构。一组III-V纳米线结构嵌入聚合物中。制造方法在衬底（例如硅衬底）上形成垂直纳米线。优选地，纳米线由用于在硅上制造III-V族纳米线的优选方法形成。器件可以由核/壳和核/多壳纳米线形成，并且器件从其上形成纳米线的衬底释放，以创建包括嵌入聚合物中的垂直纳米线阵列的柔性结构。

6. 发明申请

WO2016017763A1 量子ドット太陽電池审中-公开
标题翻译：量子太阳能电池
公开(公告)号：WO2016017763A1
公开(公告)日：2016-02-04
申请号：PCT/JP2015/071668
申请日：2015-07-30
申请人：京セラ株式会社
发明人：久保　新太郎 , 仲山　徹 , 二宮　寿一 , 村本　和也 , 藤田　浩平
IPC分类号： H01L31/0352 , B82Y20/00
CPC分类号： H01L31/035218 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B19/007 , C01B33/021 , C01G11/00 , C01G21/21 , C01P2004/16 , C01P2004/30 , C01P2004/32 , C01P2004/64 , C01P2006/40 , H01L31/028 , H01L31/0304 , H01L31/0322 , H01L31/0324 , H01L31/0326 , H01L31/0352 , H01L31/035281 , H02S40/44 , Y10S977/762 , Y10S977/774 , Y10S977/814 , Y10S977/819 , Y10S977/824 , Y10S977/948
摘要：　【課題】　光吸収係数の高い量子ドット太陽電池を提供する。　【解決手段】　複数の量子ドット１が集積された量子ドット層３を備えている量子ドット太陽電池であって、量子ドット層３は、量子ドット１の平均粒径をｘ、前記量子ドットの標準偏差をσとしたときに、粒径のばらつきを表す指標σ／ｘが５％以上である第１量子ドット層３Ａを有している。量子ドット層３は、第１量子ドット層３Ａの光の入射面３ｂ側および／または出射面３ｃ側に、第１量子ドット層３Ａよりも平均粒径およびσ／ｘの小さい第２量子ドット層３Ｂを備えている。
摘要翻译： [问题]提供具有高光吸收系数的量子点太阳能电池。 [解决方案]该量子点太阳能电池设置有多个量子点1一体化的量子点层3。量子点层3包括第一量子点层3A，将量子点1的平均粒径x定义为量子点的标准偏差σ，代表粒径变化的指标σ/ x ，大于或等于5％。量子点层3在第一量子点层3A的光入射面3b和/或出射面3c侧设置有第二量子点层3B，第二量子点层3B的平均粒径和第二量子点层的σ/ x 量子点层3B小于第一量子点层3A的量子点层3B。

7. 发明申请

WO2006101015A1 InP微粒子の製造方法およびその方法で得られたInP微粒子分散液审中-公开
标题翻译：用于生产InP微生物和由工艺生产的InP微生物分散溶液的方法
公开(公告)号：WO2006101015A1
公开(公告)日：2006-09-28
申请号：PCT/JP2006/305312
申请日：2006-03-10
申请人： HOYA株式会社 , 徳光秀造
发明人：徳光秀造
IPC分类号： C01B25/08 , C09K11/08 , C09K11/70
CPC分类号： C09K11/70 , C01B25/087 , Y10S977/813 , Y10S977/815 , Y10S977/816 , Y10S977/818 , Y10S977/819 , Y10S977/82 , Y10S977/823 , Y10S977/824 , Y10S977/896
摘要： InP微粒子をナノメートルサイズで短時間に効率よく、工業的に有利に製造する方法およびInP微粒子分散液を提供することを目的とするものであり、溶媒中において、2種以上のIn化合物からなるIn原料と1種以上のP化合物からなるP原料を反応させてInP微粒子を製造する方法であって、前記2種以上のIn化合物として、In-P結合の形成に際し、In原子に隣接するP原子をもつP化合物の官能基と反応して脱離を生じさせる基を有する第1のIn化合物1種以上と、前記第1のIn化合物よりも化合物中のIn原子の電子密度が低い第2のIn化合物1種以上を用い、かつ前記溶媒として、ルイス塩基性溶媒を用いるInP微粒子の製造方法、およびこの方法で得られたInP微粒子分散液である。
摘要翻译：公开了以工业规模有利地在短时间内以良好的效率生产纳米尺寸的InP微粒的方法; 和InP微粒分散液。 1.一种生产InP微粒的方法，包括使包含至少两种In化合物的源源材料与包含至少一种P化合物的P源材料在溶剂中反应以产生InP微粒，至少一种具有基团的第一In化合物对于形成In-P结合物，其可以与具有与In原子相邻的P原子的P化合物上的官能团反应，导致官能团在P化合物上的分离和至少一种第二In化合物其中In原子的电子密度低于用作至少两种In化合物的第一种In化合物的电子密度，并且使用路易斯碱性溶剂作为溶剂; 和通过该方法生产的InP微粒分散液。

8. 发明申请

WO2005110916A2 III-V SEMICONDUCTOR NANOCRYSTAL COMPLEXES AND METHODS OF MAKING SAME 审中-公开
标题翻译： III-V半导体纳米复合物及其制备方法
公开(公告)号：WO2005110916A2
公开(公告)日：2005-11-24
申请号：PCT/US2005/016481
申请日：2005-05-10
申请人： EVIDENT TECHNOLOGIES , PENG, Zuoyan (Adam) , LIU, Wei , LANDRY, Daniel
发明人： PENG, Zuoyan (Adam) , LIU, Wei , LANDRY, Daniel
IPC分类号： C01B19/00
CPC分类号： C30B7/00 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , C01G9/08 , C01G11/02 , C01G13/00 , C01G21/21 , C01G25/00 , C01P2004/64 , C01P2006/40 , C09K11/02 , C09K11/025 , C09K11/565 , C09K11/62 , C09K11/661 , C09K11/70 , C09K11/7492 , C09K11/75 , C09K11/88 , C09K11/883 , C09K11/892 , C23C18/00 , C23C18/1204 , C23C18/1295 , C30B29/605 , C30B33/00 , Y10S977/773 , Y10S977/774 , Y10S977/813 , Y10S977/815 , Y10S977/816 , Y10S977/817 , Y10S977/818 , Y10S977/819 , Y10S977/82 , Y10S977/821 , Y10S977/822 , Y10S977/823 , Y10S977/834 , Y10T428/12528 , Y10T428/12535 , Y10T428/1266 , Y10T428/12785 , Y10T428/2982 , Y10T428/2991
摘要： A semiconductor nanocrystal complex that is stable and has high luminescent quantum yield. The semiconductor nanocrystal complex has a semiconductor nanocrystal core of a III-V semiconductor nanocrystal material. A method of making a semiconductor nanocrystal complex is also provided. The method includes synthesizing a semiconductor nanocrystal core of a III-V semiconductor nanocrystal material, and forming a metal layer on the semiconductor nanocrystal core after synthesis of the semiconductor nanocrystal core.
摘要翻译：一种稳定且具有高发光量子产率的半导体纳米晶体复合物。半导体纳米晶体复合体具有III-V族半导体纳米晶体材料的半导体纳米晶体核。还提供了制造半导体纳米晶体复合物的方法。该方法包括合成III-V族半导体纳米晶体材料的半导体纳米晶体核心，并在半导体纳米晶体核心合成后在半导体纳米晶体核心上形成金属层。

9. 发明申请

WO2016124324A1 ELECTRONIC ELEMENT AND DISPLAY 审中-公开
标题翻译：电子元件和显示器
公开(公告)号：WO2016124324A1
公开(公告)日：2016-08-11
申请号：PCT/EP2016/000160
申请日：2016-02-01
申请人： MERCK PATENT GMBH , YISSUM RESEARCH DEVELOPMENT COMPANY OF THE HEBREW UNIVERSITY OF JERUSALEM, LTD.
发明人： RIEGER, Bernhard , BOEHM, Edgar , HILARIUS, Volker , PFLUMM, Christof , BANIN, Uri
IPC分类号： H01L27/32 , H01L51/50 , H01L51/52 , G02F1/1335 , G02F1/017 , C09K11/62 , C09K11/88
CPC分类号： H01L27/322 , B82Y20/00 , B82Y40/00 , C09K11/02 , C09K11/883 , G02B5/206 , G02B2207/101 , G02F2001/01791 , G02F2001/133614 , G02F2202/101 , G02F2202/102 , G02F2202/106 , G02F2202/107 , G02F2202/36 , H01L27/3213 , H01L27/3244 , H01L2251/5369 , Y10S977/774 , Y10S977/813 , Y10S977/816 , Y10S977/818 , Y10S977/819 , Y10S977/82 , Y10S977/824 , Y10S977/892 , Y10S977/95 , Y10S977/952
摘要： The present invention relates inter alia to a color display comprising nanoparticles and color filters.
摘要翻译：本发明特别涉及包括纳米颗粒和滤色器的彩色显示器。

10. 发明申请

WO2016086567A1 发光器件及其制作方法、显示装置、光检测装置审中-公开
公开(公告)号：WO2016086567A1
公开(公告)日：2016-06-09
申请号：PCT/CN2015/076723
申请日：2015-04-16
申请人：京东方科技集团股份有限公司
发明人：谷敬霞 , 舒适 , 吕志军 , 张锋
IPC分类号： H01L51/50 , H01L51/54
CPC分类号： H01L51/502 , B82Y20/00 , H01L27/288 , H01L51/0042 , H01L51/0078 , H01L51/0096 , H01L51/50 , H01L51/5056 , H01L51/5072 , H01L51/5088 , H01L51/5206 , H01L51/5221 , H01L51/56 , H01L2251/5369 , Y10S977/774 , Y10S977/814 , Y10S977/818 , Y10S977/819 , Y10S977/824 , Y10S977/95
摘要：一种发光器件及其制作方法，以及包括该发光器件的显示装置和光检测装置。发光器件包括：基板（1）及依次层叠于基板（1）上的阳极（2）、空穴注入层（3）、空穴传输层（4）、发光层（5）、电子传输层（6）和阴极（7），空穴传输层（4）和/或电子传输层（6）的形成材料包括光导电高分子材料。

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