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1. 发明申请

WO2015183482A1 CASCODE SWITCHING CIRCUIT 审中-公开
标题翻译： CASCODE切换电路
公开(公告)号：WO2015183482A1
公开(公告)日：2015-12-03
申请号：PCT/US2015/029187
申请日：2015-05-05
申请人： UNITED SILICON CARBIDE, INC.
发明人： LI, Xueqing , BHALLA, Anup
IPC分类号： H03K17/10 , H03K17/16 , H03K17/567 , H03K17/687
CPC分类号： H03K17/687 , H03K17/063 , H03K17/102 , H03K17/107 , H03K17/162 , H03K17/567 , H03K17/6871 , H03K2017/066 , H03K2017/6875
摘要： Disclosed herein are cascode switching circuits that include a normally-on semiconductor device, a normally-off semiconductor device, and a gate driver. The normally-on semiconductor device and said normally-off semiconductor device each has a gate terminal, a drain terminal and a source terminal. The gate driver has a first output and a second output, the first output of said gate driver is coupled to said gate terminal of said normally-on semiconductor device, the second output of said gate driver is coupled to said gate terminal of said normally-off semiconductor device, and the drain terminal of said normally-off semiconductor device is coupled to said source terminal of said normally-on semiconductor device so that a current path is formed through said normally-on semiconductor device and said normally-off semiconductor device. Methods of making and using such circuits, and other various aspects of such circuits are also disclosed.
摘要翻译：这里公开了包括常闭半导体器件，常关半导体器件和栅极驱动器的共源共栅开关电路。常闭半导体器件和所述常关半导体器件均具有栅极端子，漏极端子和源极端子。栅极驱动器具有第一输出和第二输出，所述栅极驱动器的第一输出耦合到所述常开半导体器件的所述栅极端子，所述栅极驱动器的第二输出端耦合到所述正常导通的所述栅极端子，并且所述常关半导体器件的漏极端子耦合到所述常开半导体器件的所述源极端子，使得通过所述常开半导体器件和所述常闭半导体器件形成电流通路。还公开了制造和使用这种电路的方法以及这些电路的其它各个方面。

2. 发明申请

WO2015073980A1 METHOD AND CIRCUITRY FOR CONTROLLING A DEPLETION-MODE TRANSISTOR 审中-公开
标题翻译：用于控制分离模式晶体管的方法和电路
公开(公告)号：WO2015073980A1
公开(公告)日：2015-05-21
申请号：PCT/US2014/065978
申请日：2014-11-17
申请人： TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED , TEXAS INSTRUMENTS JAPAN LIMITED
发明人： SEEMAN, Michael, Douglas , BAHL, Sandeep, R. , ANDERSON, David, I.
IPC分类号： H01L27/098
CPC分类号： H03K17/0822 , H02H3/00 , H03K3/012 , H03K17/08 , H03K17/102 , H03K2017/0806 , H03K2017/6875 , Y10T307/766
摘要： In described examples, a first transistor has: a drain coupled to a source of a depletion-mode transistor; a source coupled to a first voltage node; and a gate coupled to a control node. A second transistor has: a drain coupled to a gate of the depletion-mode transistor; a source coupled to the first voltage node; and a gate coupled through at least one first logic device to an input node. A third transistor has: a drain coupled to the gate of the depletion-mode transistor; a source coupled to a second voltage node; and a gate coupled through at least one second logic device to the input node.
摘要翻译：在所述示例中，第一晶体管具有：漏极，其耦合到耗尽型晶体管的源极; 耦合到第一电压节点的源极; 以及耦合到控制节点的门。第二晶体管具有：漏极，其耦合到耗尽型晶体管的栅极; 耦合到所述第一电压节点的源极; 以及通过至少一个第一逻辑设备耦合到输入节点的门。第三晶体管具有：漏极，其耦合到耗尽型晶体管的栅极; 耦合到第二电压节点的源极; 以及通过至少一个第二逻辑设备耦合到输入节点的门。

3. 发明申请

WO2013153937A1 半導体ダイオード装置审中-公开
标题翻译：半导体二极管器件
公开(公告)号：WO2013153937A1
公开(公告)日：2013-10-17
申请号：PCT/JP2013/058354
申请日：2013-03-22
申请人：次世代パワーデバイス技術研究組合
发明人：上野　勝典
IPC分类号： H01L27/095 , H01L21/337 , H01L21/338 , H01L21/8232 , H01L21/8234 , H01L23/48 , H01L27/06 , H01L27/098 , H01L29/778 , H01L29/808 , H01L29/812 , H01L29/861 , H01L29/868
CPC分类号： H01L29/7787 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L27/0605 , H01L27/095 , H01L27/098 , H01L29/861 , H01L29/872 , H01L2224/4813 , H01L2224/48137 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/49173 , H01L2224/49175 , H01L2224/49177 , H01L2924/00014 , H01L2924/12032 , H01L2924/13062 , H01L2924/13091 , H01L2924/30107 , H03K17/102 , H03K17/6871 , H03K2017/6875 , H01L2924/00 , H01L2224/45099
摘要：　ワイドバンドギャップ型半導体材料で構成された、ノーマリオン型の高耐圧トランジスタ１４と、前記高耐圧トランジスタ１４に直列に接続し、前記高耐圧トランジスタ１４よりも耐圧が低く、かつしきい値電圧が０．３Ｖ以上、１Ｖ以下であるＭＯＳＦＥＴ１３と、を備え、前記ＭＯＳＦＥＴ１３のゲートとソースとが、接続されている。これによって、低い順方向電圧降下と低いリーク電流とを同時に実現できる半導体ダイオード装置を提供することができる。
摘要翻译：该半导体二极管装置包括由宽带隙半导体材料制成的常开高电压晶体管（14）和与高压晶体管（14）串联连接的MOSFET（13），具有较低的耐受电压高于高压晶体管（14），并且具有从0.3V至1V（包括）的阈值电压，其中MOSFET（13）的栅极和源极被连接。因此，可以提供能够同时实现低正向压降和低泄漏电流的半导体二极管器件。

4. 发明申请

WO2013052833A2 HIGH POWER SEMICONDUCTOR ELECTRONIC COMPONENTS WITH INCREASED RELIABILITY 审中-公开
标题翻译：高功率半导体电子元件具有增加的可靠性
公开(公告)号：WO2013052833A2
公开(公告)日：2013-04-11
申请号：PCT/US2012/059007
申请日：2012-10-05
申请人： TRANSPHORM INC.
发明人： LAL, Rakesh K. , COFFIE, Robert , WU, Yifeng , PARIKH, Primit , DORA, Yuvaraj , MISHRA, Umesh , CHOWDHURY, Srabanti , FICHTENBAUM, Nicholas
IPC分类号： H01L21/8238
CPC分类号： H01L27/0288 , H01L21/8236 , H01L25/00 , H01L27/0629 , H01L28/20 , H01L29/2003 , H01L29/42376 , H01L29/4238 , H01L29/7786 , H01L29/872 , H01L2924/0002 , H03K17/102 , H03K2017/6875 , Y10T29/49117 , H01L2924/00
摘要： An electronic component includes a depletion-mode transistor, an enhancement-mode transistor, and a resistor. The depletion-mode transistor has a higher breakdown voltage than the enhancement-mode transistor. A first terminal of the resistor is electrically connected to a source of the enhancement-mode transistor, and a second terminal of the resistor and a source of the depletion-mode transistor are each electrically connected to a drain of the enhancement-mode transistor. A gate of the depletion-mode transistor can be electrically connected to a source of the enhancement-mode transistor.
摘要翻译：电子部件包括耗尽型晶体管，增强型晶体管和电阻。耗尽型晶体管具有比增强型晶体管更高的击穿电压。电阻器的第一端子电连接到增强型晶体管的源极，并且电阻器的第二端子和耗尽型晶体管的源极电连接到增强型晶体管的漏极。耗尽型晶体管的栅极可以电连接到增强型晶体管的源极。

5. 发明申请

WO2012063563A1 ドライバ回路、及び、インバータ回路审中-公开
标题翻译：驱动电路和逆变器电路
公开(公告)号：WO2012063563A1
公开(公告)日：2012-05-18
申请号：PCT/JP2011/071829
申请日：2011-09-26
申请人：シャープ株式会社 , 木原誠一郎
发明人：木原　誠一郎
IPC分类号： H02M7/537 , H02M1/08 , H02M7/48 , H02M7/5387
CPC分类号： H02H7/1222 , H02H3/20 , H02M1/32 , H02M1/38 , H02M7/5387 , H03K17/063 , H03K2017/066 , H03K2017/6875
摘要：　ノーマリーオン型のスイッチング素子を用いてハーフブリッジ回路を構成し、ドライバ回路もしくはインバータ回路として使用する場合のアーム短絡を防止し、安全な回路を提供する。入出力端子対の一端が高圧側の第１の電源電圧Ｖ１に接続する第１のスイッチング素子１４と第２のスイッチング素子１５とが直列に接続されたハーフブリッジ回路において、第２のスイッチング素子１５と低圧側の第２の電源電圧Ｖ２の間にノーマリーオフ型の第３のスイッチング素子１６を挿入したドライバ回路であり、第３のスイッチング素子１６は、制御回路用電源１３ａ，１３ｂにより供給される動作電圧ＶＨ又はＶＬが制御回路１１の動作に不十分な場合にオフされる。
摘要翻译：提供一种安全电路，其中在使用常开开关元件配置半桥电路并用作驱动电路或逆变器电路的情况下，防止臂短路。具体地提供一种驱动电路，其中常闭型第三开关元件（16）插入在半桥电路中的第二开关元件（15）和低电压侧第二电源电压（V2）之间，其中第一开关元件（14），其输入/输出端子对的一端连接到高压侧第一电源电压（V1）和第二开关元件（15）串联连接。在从用于控制电路的电源（13a或13b）提供的工作电压（VH或VL）不足以用于控制电路（11）的操作的情况下，第三开关元件（16）被断开。

6. 发明申请

WO2012053264A1 ドライバ回路审中-公开
标题翻译：驱动电路
公开(公告)号：WO2012053264A1
公开(公告)日：2012-04-26
申请号：PCT/JP2011/066831
申请日：2011-07-25
申请人：シャープ株式会社 , 木原誠一郎 , 仲嶋明生
发明人：木原　誠一郎 , 仲嶋　明生
IPC分类号： H03K17/06 , H03K17/687
CPC分类号： H03K17/687 , H03K17/063 , H03K17/6871 , H03K2017/066 , H03K2017/6875 , H03K2217/0081
摘要：　絶縁電源を別に設けることなくハイサイド側の回路に負のゲート電圧を供給することが可能なゲートドライバ回路を実現する。第１トランジスタ２１と第２トランジスタが直列に接続されたハーフブリッジ回路において、ハイサイド側の第１トランジスタ２１に負のゲート電圧を第１の制御回路１１を介して供給するためのコンデンサ１３、及び、ローサイド側の第２トランジスタ２２に負のゲート電圧を第２の制御回路１２を介して供給するための制御回路電源１４を備え、コンデンサ１３の一端をスイッチ素子３０を介して制御回路電源１４の－端子側の負電圧ＶＥＥと接続し、他端を出力端子４の電圧と接続するように構成したドライバ回路１であって、スイッチ素子３０は、第２トランジスタ２２がオン状態となるタイミングでオンされるように制御される。
摘要翻译：实现的栅极驱动电路能够在不设置单独的绝缘电源的情况下向高边电路提供负栅极电压。具有串联连接的第一晶体管（21）和第二晶体管的半桥电路中的驱动电路（1）具有：用于向第一晶体管（21）的高侧提供负栅极电压的电容器（13）经由第一控制电路（11）; 以及用于经由第二控制电路（12）向第二晶体管（22）的低侧提供负栅极电压的控制电路电源（14）。驱动器电路（1）以使得电容器（13）的一端经由开关元件（30）连接到控制电路电源（14）的端子侧的负电压VEE的方式配置，并且另一端连接到输出端子（4）的电压。此外，开关元件（30）被控制为当第二晶体管（22）导通时导通。

7. 发明申请

WO2008134225A3 INTEGRATED CIRCUIT SWITCHING DEVICE, STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURE 审中-公开
标题翻译：集成电路开关器件，结构和制造方法
公开(公告)号：WO2008134225A3
公开(公告)日：2009-05-22
申请号：PCT/US2008060170
申请日：2008-04-14
申请人： DSM SOLUTIONS INC , VORA MADHU P
发明人： VORA MADHU P
IPC分类号： H01L21/8232 , H01L27/085 , H01L27/098 , H03K19/177
CPC分类号： H03K19/17748 , H01L21/8232 , H01L27/085 , H01L27/088 , H01L27/098 , H03K17/567 , H03K17/6872 , H03K19/1778 , H03K2017/6875
摘要： An integrated circuit device can include a plurality of field effect transistors (FETs) having channel depths no greater than a first depth, and at least a first switch junction FET (JFET) having a source coupled to a signal transmission input node, a drain coupled to a signal transmission output node, and a gate. The first switch JFET has a channel depth greater than the first depth. Switch JFETs can enable low resistance configurable switch paths to be created for interconnecting different portions of a same integrated circuit device.
摘要翻译：集成电路器件可以包括具有不大于第一深度的沟道深度的多个场效应晶体管（FET），以及至少第一开关结FET（JFET），其具有耦合到信号传输输入节点的源极，漏耦合到信号传输输出节点和门。第一开关JFET具有大于第一深度的通道深度。开关JFET可以实现低电阻可配置的开关路径，用于互连同一集成电路器件的不同部分。

8. 发明申请

WO2009035643A1 COMMON GATE CONNECTED HIGH VOLTAGE TRANSIENT BLOCKING UNIT 审中-公开
标题翻译：普通门连接高电压瞬态阻塞单元
公开(公告)号：WO2009035643A1
公开(公告)日：2009-03-19
申请号：PCT/US2008/010627
申请日：2008-09-10
申请人： FULTEC SEMICONDUCTOR, INC. , MORRISH, Andrew, J.
发明人： MORRISH, Andrew, J.
IPC分类号： H01L27/02 , H02H9/02
CPC分类号： H01L27/0266 , H02H9/025 , H03K17/302 , H03K17/6871 , H03K17/74 , H03K2017/6875
摘要： When a series protective element such as a transient blocking unit (TBU) is used in combination with a shunt protective element such as a gas discharge tube (GDT), firing of the GDT can cause a transient having the potential to damage the TBU. This problem can be alleviated by placing a TBU core in series between depletion mode transistors having their gates connected. With this arrangement, the GDT transient causes a transient in the TBU circuit that has the effect of switching the transistors around the TBU hard off, thereby protecting the TBU from the GDT transient.
摘要翻译：当与诸如气体放电管（GDT）的分流保护元件组合使用诸如瞬态阻断单元（TBU）的串联保护元件时，GDT的点火可引起具有损坏TBU的潜在的瞬态。通过将TBU核串联连接在其栅极连接的耗尽型晶体管之间可以缓解该问题。通过这种布置，GDT瞬变会导致TBU电路中的瞬变，其具有切换TBU周围的晶体管的作用，从而保护TBU免受GDT瞬变。

9. 发明申请

WO2008147801A2 HALF-BRIDGE CIRCUITS EMPLOYING NORMALLY ON SWITCHES AND METHODS OF PREVENTING UNINTENDED CURRENT FLOW THEREIN 审中-公开
标题翻译：正常使用开关的半桥电路及防止意外流过的方法
公开(公告)号：WO2008147801A2
公开(公告)日：2008-12-04
申请号：PCT/US2008/064339
申请日：2008-05-21
申请人： SEMISOUTH LABORATORIES, INC. , MAZZOLA, Michael, S. , KELLEY, Robin, L.
发明人： MAZZOLA, Michael, S. , KELLEY, Robin, L.
IPC分类号： H02M3/00 , H03K17/94
CPC分类号： H03K17/164 , H02M1/08 , H03K17/08122 , H03K17/08128 , H03K17/162 , H03K17/6871 , H03K2017/6875 , H03K2217/0036 , Y02B70/1483
摘要： A method for rendering a half-bridge circuit containing normally on switches such as junction field effect transistors (JFETs) inherently safe from uncontrolled current flow is described. The switches can be made from silicon carbide or from silicon. The methods described herein allow for the use of better performing normally on switches in place of normally off switches in integrated power modules thereby improving the efficiency, size, weight, and cost of the integrated power modules. As described herein, a power supply can be added to the gate driver circuitry. The power supply can be self starting and self oscillating while being capable of deriving all of its source energy from the terminals supplying electrical potential to the normally on switch through the gate driver. The terminal characteristics of the normally on switch can then be coordinated to the input-to-output characteristics of the power supply.
摘要翻译：描述了一种用于使包含正常在半导体电路上形成的半桥电路的方法，该半桥电路本身就不会受到不受控制的电流的安全影响，因此开关如结型场效应晶体管（JFET）。开关可以由碳化硅或硅制成。这里描述的方法允许在开关中使用更好的正常运行来代替集成功率模块中的常闭开关，从而提高集成功率模块的效率，尺寸，重量和成本。如本文所述，可以将电源添加到栅极驱动器电路。电源可以是自启动和自振荡，同时能够从通过栅极驱动器向正常开关提供电势的端子导出其所有源能量。然后，常开开关的端子特性可以与电源的输入到输出特性协调。

10. 发明申请

WO2008134225A2 INTEGRATED CIRCUIT SWITCHING DEVICE, STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURE 审中-公开
标题翻译：集成电路开关器件，结构和制造方法
公开(公告)号：WO2008134225A2
公开(公告)日：2008-11-06
申请号：PCT/US2008/060170
申请日：2008-04-14
申请人： DSM SOLUTIONS, INC. , VORA, Madhu, P.
发明人： VORA, Madhu, P.
CPC分类号： H03K19/17748 , H01L21/8232 , H01L27/085 , H01L27/088 , H01L27/098 , H03K17/567 , H03K17/6872 , H03K19/1778 , H03K2017/6875
摘要： An integrated circuit device can include a plurality of field effect transistors (FETs) having channel depths no greater than a first depth, and at least a first switch junction FET (JFET) having a source coupled to a signal transmission input node, a drain coupled to a signal transmission output node, and a gate. The first switch JFET has a channel depth greater than the first depth. Switch JFETs can enable low resistance configurable switch paths to be created for interconnecting different portions of a same integrated circuit device.
摘要翻译：集成电路器件可以包括具有不大于第一深度的沟道深度的多个场效应晶体管（FET），以及至少第一开关结FET（JFET），其具有耦合到信号传输输入节点的源极，漏耦合到信号传输输出节点和门。第一开关JFET具有大于第一深度的通道深度。开关JFET可以实现低电阻可配置的开关路径，用于互连同一集成电路器件的不同部分。

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