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1. 发明申请

WO2013119559A1 LASER USING LOCALLY STRAINED GERMANIUM ON SILICON FOR OPTO-ELECTRONIC APPLICATIONS 审中-公开
标题翻译：使用局部应变的锗在硅上进行光电应用的激光
公开(公告)号：WO2013119559A1
公开(公告)日：2013-08-15
申请号：PCT/US2013/024759
申请日：2013-02-05
申请人： APIC CORPORATION , DUTT, Birendra
发明人： DUTT, Birendra
IPC分类号： H04B10/12
CPC分类号： H01L31/109 , H01L29/165 , H01L31/1804 , H01L31/1812 , H01S5/021 , H01S5/0264 , H01S5/0265 , H01S5/1071 , H01S5/1082 , H01S5/2063 , H01S5/2272 , H01S5/3027 , H01S5/3201 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： The subject matter disclosed herein relates to formation of silicon germanium devices with tensile strain. Tensile strain applied to a silicon germanium device in fabrication may improve performance of a silicon germanium laser or light detector.
摘要翻译：本文公开的主题涉及形成具有拉伸应变的硅锗器件。制造中施加到硅锗器件的拉伸应变可提高硅锗激光器或光检测器的性能。

2. 发明申请

WO2015189004A1 VERFAHREN ZUM ABSCHEIDEN EINER KRISTALLSCHICHT BEI NIEDRIGEN TEMPERATUREN, INSBESONDERE EINER PHOTOLUMINESZIERENDEN IV-IV-SCHICHT AUF EINEM IV-SUBSTRAT, SOWIE EIN EINE DERARTIGE SCHICHT AUFWEISENDES OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT 审中-公开
标题翻译： METHOD FOR晶体层在低温下，特别是光致发光的IV-IV层上的IV SUBSTRATE AND SUCH表现出光电子器件的层分离
公开(公告)号：WO2015189004A1
公开(公告)日：2015-12-17
申请号：PCT/EP2015/060881
申请日：2015-05-18
申请人： FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH GMBH
发明人： GRÜTZMACHER, Detlev , WIRTHS, Stephan , BUCA, Dan Mihai , MANTL, Siegfried
IPC分类号： C30B25/02 , C30B25/18 , C30B29/52 , C30B29/40 , C30B29/48 , C23C16/455 , H01L21/02
CPC分类号： C30B25/10 , C09K11/66 , C30B25/02 , C30B25/183 , C30B29/10 , C30B29/52 , C30B29/68 , G02B6/12 , H01L21/02381 , H01L21/0245 , H01L21/02452 , H01L21/02505 , H01L21/02532 , H01L21/02535 , H01L21/0262 , H01L31/02322 , H01S5/021 , H01S5/042 , H01S5/3027 , H01S5/3054
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum monolithischen Abscheiden einer einkristallinen, bei Anregung leuchtenden, aus mehreren Elementen der IV-Haupt-gruppe bestehende IV-IV-Schicht, insbesondere einer GeSn oder Si-GeSn Schicht mit einer Versetzungsdichtekleiner 6cm -2 auf einem IV-Substrat, insbesondere einem Silizium-oder Germanium-Substrat mit folgenden Schritten: Bereitstellen eines Hydrids eines ersten IV-Elementes (A) beispielsweise Ge 2 H 6 oder Si 2 H 6 ; Bereitstellen eines Halogenids eines zweiten IV-Elementes (B) beispielsweise SnCl 4 ; Aufheizen des Substrates auf eine Substrattemperatur, die geringer ist als die Zerlegungstemperatur des reinen Hydrids oder eines daraus gebildeten Radikals und ausreichend hoch ist, dass Atome des ersten Elementes (A) und des zweiten Elementes (B) in kristalliner Ordnung in die Oberfläche eingebaut werden, wobei die Substrattemperatur insbesondere in einem Bereich zwischen 300° C und 475° C liegt; Erzeugen eines Trägergasstroms aus einem inerten Trägergas, insbesondere N 2 , Ar, He, welches insbesondere kein H 2 ist; Transportieren des Hydrids und des Halogenids sowie daraus entstandene Zerfallsprodukte zur Oberfläche bei einem Totaldruck von maximal 300 mbar; Abscheiden der IV-IV-Schicht oder einer aus gleichartigen IV-IV-Schichten bestehende Schichtenfolge mit einer Dicke von mindestens 200 nm, wobei die abgeschiedene Schicht insbesondere eine Si y Ge 1-x-y Sn-Schicht ist, mit x > 0,08 und y ≤1.
摘要翻译：本发明涉及一种用于单片沉积单晶，从多个现有IV-IV层的IV主族元素的激发照明，特别是GeSn或Si-GeSn层IV基板上具有小于6厘米-2的位错密度，特别是硅或锗衬底，包括以下步骤：提供元件的第一氢化物IV（a）中，例如，Si2的H6或Ge2H6; 提供第二IV族元素（B）的卤化物，例如，四氯化锡; 加热衬底被安装在晶序中的衬底温度的表面，该表面比纯氢化物或由其形成的基团的分解温度较低，并且是足够高，使得原子，所述第一元件（A）和第二元件（B），其中，所述衬底温度最好在300℃和475℃之间的范围内; 产生的惰性载气的载气流，特别是N 2，氩，氦，这是特别不H2; 在最大300毫巴的总压输送氢化物和卤化物以及由此产生的任何降解产物的表面上; 沉积IV-IV-层或由类似的IV-IV层的层序列的具有厚度至少为200纳米，其中所述沉积的层是特别是SiyGe1-X-YSN层，其中x> 0.08和y≤ 第一

3. 发明申请

WO2004095591B1 LIGHT-EMITTING DIODE 审中-公开
标题翻译：发光二极管
公开(公告)号：WO2004095591B1
公开(公告)日：2005-01-27
申请号：PCT/JP2004005853
申请日：2004-04-23
申请人： HOYA CORP , KAWAZOE HIROSHI , ORITA MASAHIRO , YANAGITA HIROAKI , KOBAYASHI SATOSHI
发明人： KAWAZOE HIROSHI , ORITA MASAHIRO , YANAGITA HIROAKI , KOBAYASHI SATOSHI
IPC分类号： H01L33/02 , H01S5/30 , H01S5/323 , H01L33/00
CPC分类号： H01L33/025 , H01S5/3018 , H01S5/3027 , H01S5/32341
摘要： A light-emitting diode with high luminous efficiency is disclosed which is free from deformation or defect of crystal caused by a dopant. The light-emitting diode emits no light of unnecessary wavelengths and has a wide selection of emission wavelengths. The light-emitting diode comprises a light-emitting layer composed of an ambipolar semiconductor containing no dopant, and an electron implanting electrode, namely an n electrode and a hole implanting electrode, namely a p electrode joined to the light-emitting layer.
摘要翻译：公开了一种发光效率高的发光二极管，其不受掺杂剂引起的晶体变形或缺陷的影响。发光二极管不发出不必要的波长的光并具有广泛的发射波长选择。发光二极管包括由不含掺杂剂的双极半导体构成的发光层和电子注入电极，即n电极和空穴注入电极，即连接到发光层的p电极。

4. 发明申请

WO2012170087A1 HIGH-CONCENTRATION ACTIVE DOPING IN SEMICONDUCTORS AND SEMICONDUCTOR DEVICES PRODUCED BY SUCH DOPING 审中-公开
标题翻译：半导体中的高浓度活性掺杂和由此类生成的半导体器件
公开(公告)号：WO2012170087A1
公开(公告)日：2012-12-13
申请号：PCT/US2012/027350
申请日：2012-03-01
申请人： MASSACHUSETTS INSTITUTE OF TECHNOLOGY , BESSETTE, Johathan, T , CAI, Yan , CAMACHO-AGUILERA, Rodolfo, E. , LIU, Jifeng , KIMERLING, Lionel , MICHEL, Jurgen
发明人： BESSETTE, Johathan, T , CAI, Yan , CAMACHO-AGUILERA, Rodolfo, E. , LIU, Jifeng , KIMERLING, Lionel , MICHEL, Jurgen
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/225
CPC分类号： H01S5/3027 , H01L21/0237 , H01L21/0245 , H01L21/02532 , H01L21/02576 , H01L21/0262 , H01L21/02661 , H01L21/02664 , H01L21/2254 , H01L21/26513 , H01S5/0421 , H01S5/0422 , H01S5/2214 , H01S5/227 , H01S5/3054 , H01S5/3086 , H01S5/3223
摘要： In a method of forming a photonic device, a first silicon electrode is formed, and then a germanium active layer is formed on the first silicon electrode while including n-type dopant atoms in the germanium layer, during formation of the layer, to produce a background electrical dopant concentration that is greater than an intrinsic dopant concentration of germanium. A second silicon electrode is then formed on a surface of the germanium active layer. The formed germanium active layer is doped with additional dopant for supporting an electrically-pumped guided mode as a laser gain medium with an electrically-activated n-type electrical dopant concentration that is greater than the background dopant concentration to overcome electrical losses of the photonic device.
摘要翻译：在形成光子器件的方法中，形成第一硅电极，然后在第一硅电极上形成锗活性层，同时在锗层中包含n型掺杂剂原子，在层的形成期间产生背景电子掺杂剂浓度大于锗的固有掺杂浓度。然后在锗活性层的表面上形成第二硅电极。所形成的锗活性层掺杂有额外的掺杂剂，用于支持电泵浦引导模式作为具有大于背景掺杂剂浓度的电活化的n型电掺杂剂浓度的激光增益介质，以克服光子器件的电损耗。

5. 发明申请

WO2008075795A1 ELECTRICALLY TUNABLE TERAHERTZ LASER OSCILLATION DEVICE 审中-公开
标题翻译：电动可调TERAHERTZ激光振荡装置
公开(公告)号：WO2008075795A1
公开(公告)日：2008-06-26
申请号：PCT/JP2007/075234
申请日：2007-12-20
申请人： CANON KABUSHIKI KAISHA , SEKIGUCHI, Ryota , OUCHI, Toshihiko
发明人： SEKIGUCHI, Ryota , OUCHI, Toshihiko
IPC分类号： H01S1/02 , H01S5/0625 , H01S5/34 , H01S5/227 , H01S5/30
CPC分类号： H01S1/02 , B82Y20/00 , H01S5/06255 , H01S5/06256 , H01S5/2213 , H01S5/227 , H01S5/3027 , H01S5/3031 , H01S5/3402 , H01S5/3422
摘要： To provide an oscillation device having a long oscillation wavelength (THz) in which wavelength variable width is relatively broad and wavelength sweep rate is relatively high. An oscillation device includes a gain medium (103) having a gain with respect to an electromagnetic wave to be oscillated, cavity structures (104, 105) for resonating the electromagnetic wave, and energy injection means (121, 122A) and for injecting pumping energy into the gain medium. The gain medium is sandwiched between a first negative permittivity medium (102, 112) and a second magnetic permittivity medium (101, 111) each of which real part of permittivity with respect to the electromagnetic wave is negative. Electric field application means (122B) is provided for at least one of the first negative permittivity medium and the second negative permittivity medium to apply an electric field for changing a depletion region formed at a boundary part with the gain medium.
摘要翻译：为了提供具有波长可变宽度相对较宽且波长扫描速率相对较高的长振荡波长（THz）的振荡装置。本发明公开了一种振荡装置，包括：相对于要振荡的电磁波具有增益的增益介质（103），用于谐振电磁波的腔结构（104,105），以及能量注入装置（121,122A），并用于注入泵浦能量进入增益介质。增益介质夹在第一负介电常数介质（102,112）和第二介电常数介质（101,111）之间，每个介质的介电常数相对于电磁波的实部为负值。为第一负介电常数介质和第二负介电常数介质中的至少一个提供电场施加装置（122B）以施加用于改变在与增益介质的边界部分处形成的耗尽区的电场。

6. 发明申请

WO2004095591A1 発光ダイオード审中-公开
标题翻译：发光二极管
公开(公告)号：WO2004095591A1
公开(公告)日：2004-11-04
申请号：PCT/JP2004/005853
申请日：2004-04-23
申请人： HOYA株式会社 , 川副博司 , 折田政寛 , 柳田裕昭 , 小林哲
发明人：川副博司 , 折田政寛 , 柳田裕昭 , 小林哲
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/025 , H01S5/3018 , H01S5/3027 , H01S5/32341
摘要： A light-emitting diode with high luminous efficiency is disclosed which is free from deformation or defect of crystal caused by a dopant. The light-emitting diode emits no light of unnecessary wavelengths and has a wide selection of emission wavelengths. The light-emitting diode comprises a light-emitting layer composed of an ambipolar semiconductor containing no dopant, and an electron implanting electrode, namely an n electrode and a hole implanting electrode, namely a p electrode joined to the light-emitting layer.
摘要翻译：公开了一种发光效率高的发光二极管，其不受掺杂剂引起的晶体变形或缺陷的影响。发光二极管不发出不必要的波长的光并具有广泛的发射波长选择。发光二极管包括由不含掺杂剂的双极半导体构成的发光层和电子注入电极，即n电极和空穴注入电极，即连接到发光层的p电极。

7. 发明申请

WO2013117765A2 SEMICONDUCTOR COMPONENTS WITH STEEP PHOSPHORUS PROFILE IN A GERMANIUM LAYER 审中-公开
标题翻译：急倾斜磷PROFILE半导体器件，锗层
公开(公告)号：WO2013117765A2
公开(公告)日：2013-08-15
申请号：PCT/EP2013052699
申请日：2013-02-11
申请人： IHP GMBH
发明人： YAMAMOTO YUJI , TILLACK BERND
CPC分类号： H01L29/365 , H01L21/22 , H01L29/165 , H01L29/167 , H01L29/66159 , H01L29/864 , H01L33/0054 , H01L33/025 , H01L33/343 , H01S5/18341 , H01S5/18361 , H01S5/18377 , H01S5/3027 , H01S5/305 , H01S5/3072
摘要： The invention relates to a semiconductor component and to a method for limiting a dopant diffusion, in particular a phosphorus diffusion in germanium. According to the invention, an Si spike is used for this purpose.
摘要翻译：本发明涉及一种半导体器件，在锗限制掺杂剂扩散，特别是磷扩散的方法。根据本发明，使用在Si穗。

8. 发明申请

WO2004092694A3 TERAHERTZ FREQUENCY BAND WAVELENGTH SELECTOR 审中-公开
标题翻译： TERAHERTZ频带波长选择器
公开(公告)号：WO2004092694A3
公开(公告)日：2005-02-03
申请号：PCT/US2004011140
申请日：2004-04-09
申请人： UNIV DELAWARE , KOLODZEY JAMES , ADAM THOMAS N , PRATHER DENNIS
发明人： KOLODZEY JAMES , ADAM THOMAS N , PRATHER DENNIS
IPC分类号： H01S5/30 , G02B6/12 , H01L33/00 , H01S5/34
CPC分类号： H01S5/30 , H01S5/3027 , H01S5/3031 , H01S5/305
摘要： A terahertz (THz) frequency radiation source to emit radiation in a narrow wavelength band within a range of about 3 µm to 3000 pm. This source includes: a broad bandwidth emitter to generate a broad bandwidth emitted wavelength band within the wavelength range; a first planar waveguide optically coupled to the broad bandwidth emitter to transmit the broad bandwidth radiation; a disk resonator evanescently coupled to the first planar waveguide with a resonance wavelength band within the emitted wavelength band; and a second planar waveguide evanescently coupled to the disk resonator to transmit radiation in the narrow wavelength band. The emitted wavelength band has a bandwidth greater than or equal to about .01 times a mid-band wavelength. The resonance wavelength band has a resonance wavelength bandwidth of less than or equal to about .25 times the emitted bandwidth. The narrow wavelength band is substantially equal to the resonance wavelength band.
摘要翻译：太赫兹（THz）频率辐射源，其发射在约3μm至3000μm的范围内的窄波段中的辐射。该源包括：宽带发射器，以在波长范围内产生宽带宽发射波长带; 光学耦合到宽带宽发射器以传输宽带宽辐射的第一平面波导; 光盘谐振器在发射的波长带内以共振波长带ev逝地耦合到第一平面波导; 以及第二平面波导湮灭地耦合到盘谐振器以传输窄波段中的辐射。发射波长带的带宽大于或等于中频带波长的大约0.01倍。谐振波长带的共振波长带宽小于或等于发射带宽的大约0.25倍。窄波长带基本上等于谐振波长带。

9. 发明申请

WO2003033781A1 LOW TEMPERATURE EPITAXIAL GROWTH OF QUATERNARY WIDE BANDGAP SEMICONDUCTORS 审中-公开
标题翻译：季度宽带半导体的低温外延生长
公开(公告)号：WO2003033781A1
公开(公告)日：2003-04-24
申请号：PCT/US2002/033134
申请日：2002-10-16
申请人： ARIZONA BOARD OF REGENTS, a body corporate acting on behalf of Arizona State University , TSONG, Ignatius, S. T. , KOUVETAKIS, John , ROUCKA, Radek , TOLLE, John
发明人： TSONG, Ignatius, S. T. , KOUVETAKIS, John , ROUCKA, Radek , TOLLE, John
IPC分类号： C30B25/00
CPC分类号： H01L33/26 , C30B25/02 , C30B29/38 , C30B29/52 , H01L21/02378 , H01L21/02381 , H01L21/02447 , H01L21/02458 , H01L21/02529 , H01L21/0254 , H01L21/0262 , H01L21/02631 , H01S5/30 , H01S5/3027 , H01S5/32 , H01S2304/02
摘要： A low temperature method for growing quaternary epitaxial films having the formula XCZN wherein X is a Group IV element and Z is a Group III element. A Gaseous flux of precursor H3XCN and a vapor flux of Z atoms are introduced into a gas-source molecular beam epitaxial (MBE) chamber to form thin film of XCZN on a substrate preferably of silicon or silicon carbide. Silicon substrates may comprise a native oxide layer, thermal oxide layer, A1N/silicon structures or an interface of A1-O-Si-N formed from interlayers of A1 on the Si02 layer. Epitaxial thin film SiCA1N and GeCA1N are provided. Bandgap engineering is disclosed. Semiconductor devices produced by the present method exhibit bandgaps and spectral ranges which make them useful for optoelectronic and microelectronic applications. SiCA1N deposited on large-diameter silicon wafers are substrates for growth of conventional Group III nitrides such as A1N. The quaternary compounds exhibit extreme hardness.
摘要翻译：用于生长具有式XCZN的四元外延膜的低温方法，其中X是IV族元素，Z是III族元素。将前体H3XCN的气体通量和Z原子的蒸气通量引入气体分子束外延MBE室中，以在硅或碳化硅的衬底上形成XCZN的薄膜。硅衬底可以包括自然氧化物层，热氧化物层，AlN /硅结构或由SiO 2层上的Al的中间层形成的Al-O-Si-N的界面。提供外延薄膜SiCA1N和GeCA1N。公开了带隙工程。通过本方法制造的半导体器件表现出带隙和光谱范围，使得它们可用于光电子和微电子应用。沉积在大直径硅晶片上的SiCA1N是用于生长常规III族氮化物如AlN的衬底。四元化合物表现出极高的硬度。

10. 发明申请

WO2019077210A1 STRUCTURE COMPRENANT UNE COUCHE SEMICONDUCTRICE CONTRAINTE SUR UN DISSIPATEUR THERMIQUE 审中-公开
公开(公告)号：WO2019077210A1
公开(公告)日：2019-04-25
申请号：PCT/FR2017/052881
申请日：2017-10-19
申请人： STMICROELECTRONICS (CROLLES 2) SAS , CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE , UNIVERSITE PARIS SUD
发明人： ELBAZ, Anas , EL KURDI, Moustafa , AASSIME, Abdelhanin , BOUCAUD, Philippe , BOEUF, Frédéric
IPC分类号： H01S5/10 , H01S5/34
CPC分类号： H01S5/1075 , H01S5/02461 , H01S5/1042 , H01S5/3027 , H01S5/3218 , H01S5/3403 , H01S2301/176
摘要： L'invention concerne une structure comprenant, sur un support semiconducteur (5), une portion (3) d'une couche semiconductrice, ou d'un empilement de couches semiconductrices, comprenant du germanium, et une couche de nitrure de silicium (7) entourant et appliquant une contrainte sur la portion (3), dans laquelle le support semiconducteur (5) est séparé de la couche en nitrure de silicium (7) par un pied en métal (22).

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