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    • 2. 发明申请
    • METHODS AND STRUCTURES FOR PROCESSING SEMICONDUCTOR DEVICES
    • 用于处理半导体器件的方法和结构
    • WO2015017154A1
    • 2015-02-05
    • PCT/US2014/047426
    • 2014-07-21
    • MICRON TECHNOLOGY, INC.
    • GANDHI, Jaspreet S.
    • H01L21/58H01L21/56
    • H01L24/50H01L21/6835H01L21/76251H01L21/76254H01L21/78H01L2221/68318H01L2221/68327H01L2221/6834H01L2221/68381H01L2924/12042H01L2924/00012
    • Methods of forming a semiconductor structure include exposing a carrier substrate to a silane material to form a coating, removing a portion of the coating at least adjacent a periphery of the carrier substrate, adhesively bonding another substrate to the carrier substrate, and separating the another substrate from the carrier substrate. The silane material includes a compound having a structure of (XO)3Si(CH2)nY, (XO)2Si((CH2)nY)2, or (XO)3Si(CH2)nY(CH2)nSi(XO)3, wherein XO is a hydrolyzable alkoxy group, Y is an organofunctional group, and n is a nonnegative integer. Some methods include forming a polymeric material comprising Si O Si over a first substrate, removing a portion of the polymeric material, and adhesively bonding another substrate to the first substrate. Structures include a polymeric material comprising Si O Si disposed over a first substrate, an adhesive material disposed over the first substrate and at least a portion of the polymeric material, and a second substrate disposed over the adhesive material.
    • 形成半导体结构的方法包括将载体衬底暴露于硅烷材料以形成涂层,至少邻近载体衬底的周边去除涂层的一部分,将另一衬底粘合到载体衬底上,并分离另一衬底 从载体衬底。 硅烷材料包括具有(XO)3 Si(CH 2)n Y,(XO)2 Si((CH 2)n Y)2或(XO)3 Si(CH 2)n Y(CH 2)n Si(XO)3的结构的化合物,其中 XO是可水解的烷氧基,Y是有机官能团,n是非负整数。 一些方法包括在第一衬底上形成包含Si O Si的聚合物材料,去除聚合物材料的一部分,以及将另一衬底粘合到第一衬底上。 结构包括设置在第一基底上的Si O Si的聚合物材料,设置在第一基底上的粘合剂材料和聚合物材料的至少一部分,以及设置在粘合剂材料上的第二基底。
    • 8. 发明申请
    • 電子部品の打ち抜き装置及び打ち抜き方法
    • 电子元件冲击的装置和方法
    • WO2008111327A1
    • 2008-09-18
    • PCT/JP2008/050788
    • 2008-01-22
    • 芝浦メカトロニクス株式会社南浜 悦郎広瀬 圭剛
    • 南浜 悦郎広瀬 圭剛
    • H01L21/60H05K13/02
    • H01L24/79H01L24/50H01L24/86H01L2224/7955H01L2924/181H01L2924/00
    •  キヤリアテープ(1)が巻装された供給リール(7)と、供給リールに巻装されたキヤリアテープを巻き取る巻き取りリール(25)と、キヤリアテープの供給リールと巻き取りリールとの間で水平に支持された部分からキヤリアテープに実装された半導体チップを打ち抜く金型装置(9)を具備し、  金型装置は、上下方向に駆動可能に設けられ上昇方向に駆動されることでキヤリアテープの水平部分の下面を支持する下型(11)と、下型の上方に対向して上下所方向に駆動可能に設けられ下降方向に駆動されることでキヤリアテープの下型によって下面が支持された部分の上面を加圧してキヤリアテープから半導体チップを打ち抜く上型(12)とによって構成されている。
    • 电子部件冲孔装置设有供带盘(7),随后卷绕载带(1); 用于卷绕卷绕在供带盘上的载带的卷取卷轴(25) 以及用于从安装在载带上的半导体芯片从水平支撑在载带供带盘和载带卷取卷轴之间的部分冲出的模具装置(9)。 该模具装置由下模11构成,该下模11被设置为沿垂直方向驱动,以便通过向上驱动来支承载带的水平部分的下表面; 以及通过面向下模的上部而沿垂直方向驱动的上模(12),通过下模向下表面支承的载带部的上表面施加压力 被向下驱动,半导体芯片从载带上冲出。