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1. 发明申请

WO2016182080A1 真空チャネルトランジスタおよびその製造方法审中-公开
标题翻译：真空通道晶体管及其制造方法
公开(公告)号：WO2016182080A1
公开(公告)日：2016-11-17
申请号：PCT/JP2016/064390
申请日：2016-05-13
申请人：国立大学法人山口大学
发明人：横川　俊哉 , 真田　篤志
IPC分类号： H01L21/28 , H01J19/02 , H01J21/10 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC分类号： H01J19/02 , H01J21/10 , H01L21/28 , H01L29/786
摘要：窒化ガリウム－窒化アルミニウム混晶半導体を使用した真空チャネルトランジスタにおいて、電子放出の効率を向上させ、電子放出のためのしきい電圧を低下させた真空チャネルトランジスタを提供する。　ゲート電極をなす導体基板１１と、前記導体基板の上に形成された絶縁体からなる絶縁層１２と、前記絶縁層の上に形成されたソース電極１３１と、前記絶縁層の上に形成され、前記ソース電極と対向するように設けられたドレイン電極１３２とを有する。そして、前記ソース電極は、窒化ガリウム－窒化アルミニウム混晶半導体のウルツ鉱型構造の結晶からなるものであり、電子の主要な放出方向と結晶構造のｃ軸方向とのなす角度が３０度以下となるように配置されたものである。
摘要翻译：提供了使用氮化镓 - 氮化铝混合晶体半导体的真空沟道晶体管，并且其中电子发射效率提高，并且电子发射的阈值电压降低。该真空通道晶体管包括：构成栅电极的导体基板11; 绝缘层12，其形成在导体基板上并由绝缘体形成; 在绝缘层上形成的源电极131; 以及形成在绝缘层上以与源电极相对的漏电极132。源电极由具有纤锌矿结构的氮化镓 - 氮化铝混合晶体半导体的晶体形成，并且被布置成使得电子的主发射方向与晶体结构的c轴方向之间的角度为30° 或更少。

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