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    • 3. 发明申请
    • 電磁駆動装置及び電磁駆動装置の製造方法
    • 电磁驱动装置及制造电磁驱动装置的方法
    • WO2015115298A1
    • 2015-08-06
    • PCT/JP2015/051647
    • 2015-01-22
    • アイシン・エィ・ダブリュ株式会社
    • 入江慶一郎田中智之
    • H01F7/06F16K31/06H01F7/16H01F27/32H01F41/12
    • H01F7/081F16K27/029F16K27/048F16K31/06F16K31/0613F16K31/0675H01F7/127H01F7/1607H01F27/325H01F41/125
    •  カバー部とコネクタ部とを樹脂により一体的に形成する場合に、コア本体部の変形を抑制することが可能な技術を実現する。コア本体部(16)は、軸方向(L)に互いに連結される第一本体部(11)と第二本体部(12)とを備える。第一本体部(11)は、軸方向(L)に延びる筒状に形成され、第一本体部(11)の内周面によって囲まれる空間が、当該内周面を軸方向(L)に摺動する摺動部材の収容空間(S)を形成する。第二本体部(12)の外周面とボビン本体部(21)の内周面とが接していると共に、第一本体部(11)の外周面と、軸方向(L)における第二本体部(12)から第一本体部(11)へ向かう側のボビン本体部(21)の端部である対象端部(21a)の内周面とが、周方向の少なくとも一部の領域において離間している。
    • 本发明实现了当盖部和连接器部由树脂一体形成时能够抑制芯体部的变形的技术。 芯体部分(16)设置有沿轴向(L)彼此联接的第一主体部分(11)和第二主体部分(12)。 第一主体部(11)形成为在轴向(L)上延伸的圆筒状,由第一主体部(11)的内周面包围的空间形成滑动部件 在轴向(L)上在内周面上滑动。 第二主体部(12)的外周面和筒管部(21)的内周面彼此接触,第一主体部(11)的外周面和内周面 从第二主体部分(12)沿轴向方向(L)朝着第一主体部分(11)的一侧的筒管主体部分(21)的端部的物体端部(21a)的表面与每个 在圆周方向上的至少一部分区域中的另一个。
    • 5. 发明申请
    • 電子部品及びその製造方法
    • 电子元件及其制造方法
    • WO2010150602A1
    • 2010-12-29
    • PCT/JP2010/058449
    • 2010-05-19
    • 株式会社村田製作所内田 勝之
    • 内田 勝之
    • H01F17/00H01F41/04
    • H01F27/2804H01F5/003H01F17/0013H01F17/0033H01F41/041H01F41/042H01F41/046H01F41/047H01F41/122H01F41/125H01F2017/0066H01F2027/2809Y10T29/49002Y10T29/4902Y10T29/49071Y10T29/49073Y10T29/49078
    •  各コイル導体の周囲を周回する磁束による磁気飽和の発生を抑制できる電子部品及びその製造方法を提供する。 第1のNi含有率をなす絶縁体層(19)を準備する。絶縁体層(19)上にコイル導体(18)を形成する。第1のNi含有率よりも高い第2のNi含有率をなす絶縁体層(16)を、絶縁体層(19)上のコイル導体(18)以外の部分に形成する。絶縁体層(16,19)及びコイル導体(18)は、単位層(17)を構成している。単位層(17)及び絶縁体層(15)を積層して積層体(12)を得る。この後、積層体(12)を焼成する。積層体(12)を焼成する工程の後には、絶縁体層(19)におけるコイル導体(18)にz軸方向の両側から挟まれている第1の部分でのNi含有率は、絶縁体層(19)における第1の部分以外の第2の部分でのNi含有率よりも低くなっている。
    • 提供一种能够抑制由绕线圈导体周围的磁通产生的磁饱和的电子部件及其制造方法。 制备具有第一Ni含量的绝缘层(19)。 线圈导体(18)形成在绝缘层(19)上。 在绝缘层(19)的不包括线圈导体(18)的部分上形成具有高于第一Ni含量的第二Ni含量的绝缘层(16)。 绝缘层(16,19)和线圈导体(18)构成单元层(17)。 通过层压单元层(17)和绝缘层(15)获得层压体(12)。 之后,层压体(12)被煅烧。 在层压体(12)的煅烧处理之后,从Z轴方向两侧的线圈导体(18)夹持的绝缘层(19)的第一部分的Ni含量低于 在绝缘层(19)的不包括第一部分的第二部分中的Ni含量。