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    • 1. 发明申请
    • マンガン酸化物薄膜積層体および酸化物積層体
    • 锰氧化物薄膜和氧化物层压板
    • WO2013121660A1
    • 2013-08-22
    • PCT/JP2012/081761
    • 2012-12-07
    • 富士電機株式会社
    • 荻本 泰史
    • C30B29/68C01G45/00C23C14/06C23C14/08C30B29/22H01L27/105H01L43/08H01L45/00H01L49/00
    • C30B23/02C01G45/1264C30B29/22C30B29/68H01L49/003
    •  室温でモット転移により相転移しスイッチング機能を実現する薄膜または積層体を提供する。互いに接している第1マンガン酸化物薄膜20と第2マンガン酸化物薄膜21とを備え基板1の面の上に形成されたマンガン酸化物薄膜積層体が提供される。第1マンガン酸化物薄膜の材質ではバルクでの単位胞体積の3乗根が基板の格子定数よりも大きいのに対し、第2マンガン酸化物の材質では小さい。第1および第2マンガン酸化物薄膜の材質は、組成式RMnO 3 および組成式LMnO 3 (ただし、RおよびLは、いずれもランタノイドから選択される少なくとも1種の、互いに異なるように選択される3価の希土類元素)である。両マンガン酸化物薄膜では、R(L)を含みMnを含まない原子層とMnを含みRを含まない原子層が基板面の垂直方向に向かって交互に積層され、互いに非等価な2つの結晶軸を基板面の面内方向に有している。
    • 提供了一种薄膜或层压板,它们在室温下通过Mott过渡进行相变以实现切换功能。 本发明提供一种形成在基板(1)的表面上并具有彼此接触的第一锰氧化物薄膜(20)和第二氧化锰薄膜(21)的氧化锰薄膜层压体。 在第一种氧化锰薄膜的材料中,本体中单元电池体积的立方根大于基板的晶格常数,但在第二氧化锰薄膜的材料中较小。 第一和第二氧化锰薄膜的材料具有组成式RMnO3和LMnO3(其中R和L各自为至少一种相互不同的选自镧系元素的三价稀土元素)。 在两种氧化锰薄膜中,含有R(L)且不含Mn的原子层和含有Mn且不含R的原子层交替地层叠在基板表面的垂直方向上,并且存在两个非等效晶体 轴在基板表面的面内方向上。