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    • 1. 发明申请
    • ELEKTRONISCHE ANSTEUERSCHALTUNG MIT LEISTUNGSTRANSISTOREN SOWIE VERFAHREN ZUR LEBENSDAUER-ÜBERWACHUNG DER LEISTUNGSTRANSISTOREN
    • 与功率晶体管和方法功率晶体管的寿命监测结果电子控制电路
    • WO2013075733A1
    • 2013-05-30
    • PCT/EP2011/070594
    • 2011-11-21
    • EBM-PAPST MULFINGEN GMBH & CO. KGLIPP, HelmutHAAS, GünterBÜRKERT, Martin
    • LIPP, HelmutHAAS, GünterBÜRKERT, Martin
    • G01K7/01G01R31/26H02M1/32
    • G01R31/282G01R31/2642G01R31/42H02M7/53875
    • Die vorliegende Erfindung betrifft eine elektronische Ansteuerschaltung (1) für ein elektrisches Gerät, insbesondere in einer Ausbildung als Kommutierungselektronik (2) eines EC-Motors (M), mit mehreren Leistungstransistoren (T1–T6), die in einem Betriebsmodus zum Ansteuern des Gerätes gesteuert werden. Ein zusätzlicher, gleichartiger, im Betriebsmodus der Leistungstransistoren (T1–T6) unbelasteter Referenztransistor (T test ) ist zusammen mit den Leistungstransistoren (T1–T6) auf einemgemeinsamen Träger oder Substrat angeordnet oder gebildet. Weiterhin sind Mittel zum Beaufschlagen des Referenztransistors (T test ) und mindestens eines der Leistungstransistoren (T1–T6) in einem Testmodus mit jeweils einem Prüfstrom und zum Messen der jeweils zugehörigen Sättigungsspannung (U CE sat ) sowie zum Auswerten einer aus den gemessenen Sättigungsspannungen (U CE sat ) des Referenztransistors (T test ) und des jeweiligen Leistungstransistors (T1–T6) resultierenden Sättigungsspannungsdifferenz unter Berücksichtigung der während der Messung herrschenden Träger-/Substrat-Temperatur als Kriterium für einen Alterungsprozess und eine noch zu erwartende Rest-Lebensdauer der Leistungstransistoren (T1–T6) vorgesehen. Ferner beschreibt die Erfindung ein Verfahren zum Überwachen von Leistungstransistoren (T1–T6) in einer solchen elektronischen Ansteuerschaltung (1) hinsichtlich ihrer zu erwartenden Rest-Lebensdauer.
    • 本发明涉及一种用于电气装置的电子控制电路(1),特别是在设计换向电子器件(2)EC电机(M),具有多个功率晶体管(T1-T6)的,这是在一个操作模式来控制用于驱动所述装置的 是。 一个附加的,相似的,在卸载参考晶体管的功率晶体管(T1-T6)(t检验)的操作模式是否与常用的载体或衬底或形成在功率晶体管(T1-T6)布置在一起。 此外,用于将所述参考晶体管(t检验),并在测试模式下的功率晶体管(T1-T6)中的至少一个,每一个测试电流和用于测量各个相关联的饱和电压是(UCE饱和)和(饱和UCE),用于从所测量的饱和电压评估 参考晶体管(t检验)和相应的功率晶体管(T1-T6)被提供在考虑测量载体/衬底温度作为老化过程的准则和功率晶体管(T1-T6)的静止预期剩余寿命期间存在的所得饱和电压差 , 此外,本发明描述了相对于它们的预期剩余使用寿命为在这样的电子驱动电路(1)的功率晶体管(T1-T6)的监视的方法。
    • 4. 发明申请
    • ELEKTRONISCHER SCHALTKREIS UND VERFAHREN ZUM ANSTEUERN EINES HALBLEITERSCHALTERS
    • 电子电路及其控制方法半导体开关
    • WO2013075749A1
    • 2013-05-30
    • PCT/EP2011/070988
    • 2011-11-24
    • EBM-PAPST MULFINGEN GMBH & CO. KGLIPP, HelmutWYSTUP, RalphSCHNEIDER, FabianSCHROTH, Sebastian
    • LIPP, HelmutWYSTUP, RalphSCHNEIDER, FabianSCHROTH, Sebastian
    • H03K17/16
    • H02P6/14H02P6/085H02P27/06H03K17/166Y02T10/7005
    • Die vorliegende Erfindung betrifft einen elektronischen Schaltkreis (1) mit mindestens einem mit seiner Schaltstrecke (D-S) in Reihe zu einer anzusteuernden induktiven Last (2) liegenden Halbleiterschalter (S) und mindestens einem während Schaltphasen mit dem Halbleiterschalter (S) zusammenwirkenden und dabei ebenfalls in Reihe zu der Last (2) liegenden Freilaufelement (FD). Eine Steuerung steuert einen Steueranschluss (G) des Halbleiterschalters (S) mit einem variablen Steuerstrom (i G (t)) in Abhängigkeit vom zeitlichen Verlauf einer an dem Freilaufelement (FD) gemessenen Spannung (u FD (t)) und/oder in Abhängigkeit vom zeitlichen Verlauf der an der Schaltstrecke (D-S) gemessenen Spannung (u DS (t)) an. Weiterhin betrifft die Erfindung ein Verfahren zum Ansteuern eines Halbleiterschalters (S) eines solchen Schaltkreises (1), der zum Umschalten mit einem variablen Steuerstrom (i G (t)) angesteuert wird, der in Abhängigkeit vom zeitlichen Verlauf einer an dem Freilaufelement (FD) gemessenen Spannung (u FD (t)) und/oder in Abhängigkeit vom zeitlichen Verlauf der an der Schaltstrecke (D-S) gemessenen Spannung (u DS (t)) vorgegeben wird. Vorteilhaft ist eine Anwendung zum Ansteuern von Halbleiterschaltern einer Brücken-Umrichterschaltung (10) insbesondere zum Betrieb eines EC-Motors.
    • 本发明涉及一种电子电路(1)具有串联连接的其开关路径(DS)中的至少一个被驱动感性负载(2)位于半导体开关(S)和半导体开关(S)的开关阶段期间至少一个协作并且同样在 躺在与负载串联(2)振荡元件(FD)。 控制器控制具有可变控制电流的半导体开关(S)(IG(t))的作为的一个续流元件(FD)的测量电压(UFD(t))和/或作为时间的函数的时间曲线的功能的控制端子(G) 当然所测量到在切换路径(DS)的电压(UDS(t))的的。 此外,本发明涉及一种用于驱动这种电路(1)的半导体开关(S),用于与可变控制电流((IG t))的开关被驱动时,所测量的相对于的所述续流元件的时间特性(FD) 电压(UFD(t))和/或在上的在开关路径的时间过程依赖性((UDS t))的(DS)测得的电压是预定的。 它有利的是使用用于驱动桥逆变器电路(10)的半导体开关,特别是用于操作EC电机。