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1. 发明申请

WO2010072942A1 PHOTODETECTEUR COMPRENANT UNE REGION SEMICONDUCTRICE TRES MINCE 审中-公开
标题翻译：具有非常薄的半导体区域的摄影机
公开(公告)号：WO2010072942A1
公开(公告)日：2010-07-01
申请号：PCT/FR2009/052526
申请日：2009-12-14
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES , LE PERCHEC, Jérôme , DESIERES, Yohan
发明人： LE PERCHEC, Jérôme , DESIERES, Yohan
IPC分类号： H01L31/0224
CPC分类号： H01L31/022408
摘要： L'invention concerne un photodétecteur comprenant au moins une portion d'une couche semiconductrice (33) formée directement sur au moins une portion d'une couche réfléchissante (31) et destinée à être éclairée par un faisceau lumineux (35), au moins un plot (37) étant formé sur la portion de la couche semiconductrice, en regard de la portion de couche réfléchissante, le plot et la portion de la couche réfléchissante étant métalliques ou en un matériau à permittivité négative, la cavité optique formée entre ladite au moins une portion de la couche réfléchissante et ledit au moins un plot a une épaisseur strictement inférieure au quart du rapport entre la longueur d'onde du faisceau lumineux et l'indice optique de la couche semiconductrice, typiquement de l'ordre du dixième de ce rapport.
摘要翻译：本发明涉及一种光电检测器，其包括直接形成在反射层（31）的至少一部分上并被光束（35）照射的半导体层（33）的至少一部分，至少一个焊盘 37）形成在与反射层部分相对的部分上，其中该焊盘和该反射层部分由金属或负介电常数材料制成，所述光学腔形成在所述至少一个反射层部分和所述至少一个焊盘具有严格低于光束波长与半导体层的光学折射率的比值的四分之一的厚度，并且通常表示所述比率的大约十分之一。

2. 发明申请

WO2016066570A1 PROCEDE DE FABRICATION D'UNE CELLULE PHOTOVOLTAÏQUE 审中-公开
标题翻译：制造光伏电池的方法
公开(公告)号：WO2016066570A1
公开(公告)日：2016-05-06
申请号：PCT/EP2015/074703
申请日：2015-10-26
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
发明人： LANTERNE, Adeline , GALL, Samuel , LE PERCHEC, Jérôme , PIROT, Marc
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0236
CPC分类号： H01L31/068 , H01L31/02363 , H01L31/1804 , H01L31/1864 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： Ce procédé de fabrication d'une cellule photovoltaïque comprend successivement : - à partir d'un substrat (1) semi-conducteur en silicium cristallin dopé selon un premier type de dopage, et comportant une première face (10) et une deuxième face (11) opposée à ladite première face (10), la réalisation d'une texturation (20) de surface d'au moins la première face (10) du substrat (1); - la réalisation, sur la première face (10) texturée, d'une première zone semiconductrice dopée (12) selon un deuxième type de dopage par implantation (21) de premiers éléments dopants constitués par des atomes de bore dans au moins une partie du substrat (1) et par activation (23) desdits premiers éléments dopants via une irradiation laser (4) de ladite première face (10), - la réalisation d'un recuit thermique (22) du substrat texturé (1) préalablement à l'irradiation laser de la première face (10), ledit recuit thermique préalable (22) étant réalisé à une température comprise entre 600 et 950°C, pendant une durée supérieure à une minute.
摘要翻译：本发明涉及一种用于制造太阳能电池的方法，该方法包括：从根据第一类型掺杂掺杂的晶体硅制成的半导体衬底（1），并包括第一表面（10）和第二表面表面（11）与所述第一表面（10）相对，使所述基底（1）的至少第一表面（10）的表面纹理化（20）。在所述第一纹理化表面（10）上形成第一半导体区（12），所述第一半导电区（12）根据第二类型的掺杂掺杂，所述掺杂通过在所述衬底的至少一部分中由硼原子注入（21）（1）和通过所述第一表面（10）的激光照射（4）激活（23）所述第一掺杂元件。在第一表面（10）的激光照射之前，经过纹理化的基板（1）的热退火（22），所述先前的热退火（22）在600℃至950℃的温度下进行一段时间等一下。

3. 发明申请

WO2011128535A1 FILTRE OPTIQUE MONO OU MULTI-FRÉQUENTIEL ET DÉTECTEUR COMPORTANT UN TEL FILTRE 审中-公开
标题翻译：单声道或多频光学滤波器，以及包含这种滤波器的检测器
公开(公告)号：WO2011128535A1
公开(公告)日：2011-10-20
申请号：PCT/FR2011/050398
申请日：2011-02-25
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES , LE PERCHEC, Jérôme
发明人： LE PERCHEC, Jérôme
IPC分类号： H01L31/0232 , G02B6/12 , G02B5/18
CPC分类号： G02B6/12007 , G02B5/1809 , G02B5/204 , G02B5/208 , G02B6/12004 , G02B2006/12107
摘要： Un filtre optique mono-fréquentiel (10) comprend des éléments réflecteurs (12) formés sur une face d'une couche de support diélectrique (16) et définissant au moins un réseau périodique de fentes traversantes parallèles (14), dont la périodicité, la hauteur, et la largeur sont choisies de manière à former une structure sélective en longueur d'onde dans une gamme prédéterminée de longueurs d'onde. Selon l'invention; l'épaisseur et l'indice de réfraction de la couche de support (16) sont choisis de manière à ce que ladite couche (16) forme une lame demi-onde pour une longueur d'onde de la gamme prédéterminée de longueurs d'onde; le filtre comprend, au contact de la face de la couche de support (16), opposée à celle sur laquelle est formé le réseau de fentes (14), un milieu (18) dont l'indice de réfraction est inférieur à celui de la couche de support (16) de manière à obtenir à obtenir un mode guidé résonnant dans la couche de support (16); la période du ou de chaque réseau périodique de fentes (14) est comprise entre environ Formule (I) et environ Formule (II) où λ est une longueur d'onde de la gamme prédéterminée de longueurs d'onde, et n1 est l'indice de réfraction de la couche de support; et les indices de réfraction de la couche de support (16) et du milieu (18) satisfont la relation Formule (III), où n1 est l'indice de la couche de support, et n2 est l'indice du milieu (18).
摘要翻译：本发明涉及一种单频滤光器（10），其包括反射元件（12），其形成在电介质支撑层（16）的一个表面上并且限定穿过其的平行凹槽的至少一个周期性阵列（14）。选择所述周期性凹槽阵列的周期性，高度和宽度以形成其波长可以在预定波长范围内选择的结构。根据本发明，选择支撑层（16）的厚度和折射率，使得所述层（16）形成用于波长为预定波长范围的半波片。当与形成有凹槽阵列（14）的表面相对的与支撑层（16）的表面接触的过滤器包括介质（18），其折射率小于支撑层（16），以获得在支撑层（16）中共振的引导模式。每个周期性凹槽阵列（14）的周期在近似式（I）和近似式（II）之间，其中是预定波长范围的波长，n1是支撑层的折射率。此外，支撑层（16）和介质（18）的折射率满足式（III）关系，其中n1是载体层指数，n2是介质的指数（18）。

4. 发明申请

WO2013030482A1 DISPOSITIF REFLECTEUR POUR FACE ARRIERE DE DISPOSITIFS OPTIQUES 审中-公开
标题翻译：光器件后面的反射器件
公开(公告)号：WO2013030482A1
公开(公告)日：2013-03-07
申请号：PCT/FR2012/051796
申请日：2012-07-30
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES , LE PERCHEC, Jérôme
发明人： LE PERCHEC, Jérôme
IPC分类号： G02B5/18 , H01L31/052
CPC分类号： H01L31/022425 , G02B5/1809 , G02B5/26 , H01L31/022466 , H01L31/056 , Y02E10/52
摘要： Un dispositif réflecteur comporte un réseau (26) de motifs (28), périodique selon au moins une direction prédéterminée (Y), intercalé entre un premier et un deuxième milieux différents (14, 30), le premier milieu (14) étant en matériau semi-conducteur. En outre : ■ l'indice de réfraction n2 des motifs (28) est inférieur à l'indice de réfraction i\ du premier milieu (14); ■ l'indice de réfraction n3 du second milieu (30) est inférieur ou égal à l'indice de réfraction n2 des motifs (28); ■ le réseau (26) est défini par les relations : o P = reg-n 3 s où p est la période du réseau (26) selon la direction prédéterminée (Y), et reg est une longueur d'onde de réglage du réseau (26) -inférieure à la longueur d'onde correspondant à la bande interdite du matériau semi-conducteur du premier milieu (14); W o 0,2≤ W — P ≤ 0,9, où W est la largeur des motifs (28) du réseau (26) selon la direction prédéterminée (Y); et o h 1 ≤ n 2 reg, où h 1 est l'épaisseur des motifs (28) du réseau (26).
摘要翻译：反射器装置包括沿着至少一个预定方向（Y）周期性的图案阵列（26），并且介于第一和第二不同介质（14,30）之间，第一介质（14））是半导体材料。此外：|图案（28）的折射率n2低于第一介质（14）的折射率n1; |第二介质（30）的折射率n3低于或等于图案（28）的折射率n2; 数组（26）由以下关系定义：P =Δreg/ n3，其中P是在预定方向（Y）上的阵列（26）的周期，并且Δreg是阵列的调整波长（ 26），其小于对应于第一介质（14）的半导体材料的禁带的波长; 0.2 = W / P = 0.9，其中W是阵列（26）沿预定方向（Y）的图案（28）的宽度; 和h1 = n2×λrc/ 2，其中h1是阵列（26）的图案（28）的厚度。

5. 发明申请

WO2016174352A1 PROCEDE DE FABRICATION D'UNE CELLULE PHOTOVOLTAÏQUE 审中-公开
标题翻译：制造光伏电池的方法
公开(公告)号：WO2016174352A1
公开(公告)日：2016-11-03
申请号：PCT/FR2016/050990
申请日：2016-04-27
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
发明人： LE PERCHEC, Jérôme , CABAL, Raphaël
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0216
CPC分类号： H01L31/1804 , H01L31/02167 , H01L31/068 , H01L31/0682 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： Ce procédé comporte les étapes a) prévoir un substrat (1) semi-conducteur comportant une première surface (10) et une seconde surface (11) opposée, le substrat (1) comportant une première zone semi-conductrice (100) comprenant des atomes de bore, la première zone semi-conductrice (100) étant destinée à être en contact avec une électrode (E), le procédé étant remarquable en ce qu'il comporte les étapes b) former une couche diélectrique (2) à la seconde surface (11) du substrat (1), la couche diélectrique (2) comportant des atomes de phosphore ou d'arsenic, c) appliquer un recuit thermique adapté pour diffuser les atomes de phosphore ou d'arsenic de la couche diélectrique (2) jusqu'à la seconde surface (11) du substrat (1) de manière à former une deuxième zone semi-conductrice (110) destinée à être en contact avec une électrode (E), et pour former une couche d'oxyde (3) thermique à la première surface (10) du substrat (1).
摘要翻译：该方法包括以下步骤：a）提供具有第一表面（10）和相对的第二表面（11）的半导体衬底（1），所述衬底（1）包括含有硼原子的第一半导体区（100）半导体区（100）旨在与电极（E）接触，该方法值得注意的是其包括以下步骤：b）在衬底（1）的第二表面（11）上形成介电层（2），所述介电层（2）包括磷或砷原子，以及c）施加适于从所述介电层（2）扩散所述磷或砷原子的热退火至所述基板（1）的第二表面（11）以形成旨在与电极（E）接触的第二半导体区（110），并在衬底（1）的第一表面（10）上形成热氧化物层（3）。

6. 发明申请

WO2015132532A1 PROCÉDÉ DE RÉALISATION D'UNE CELLULE PHOTOVOLTAÏQUE À DOPAGE SÉLECTIF 审中-公开
标题翻译：用于创建具有选择性掺杂的光伏电池的方法
公开(公告)号：WO2015132532A1
公开(公告)日：2015-09-11
申请号：PCT/FR2015/050540
申请日：2015-03-05
申请人： COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
发明人： LE PERCHEC, Jérôme , MONNA, Rémi
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/068 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/1864 , H01L31/02168 , H01L31/022425 , H01L31/022441 , H01L31/068 , H01L31/0682 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： Le procédé de réalisation d'une cellule photovoltaïque à dopage sélectif comporte les étapes suivantes : - prévoir un substrat semi-conducteur dopé d'un premier type de conductivité; - former dans le substrat une première région dopée, la première région ayant une première concentration d'éléments dopants; - former, par implantation ionique d'éléments dopants dans le substrat, au moins un jeu de motifs d'alignement, dont la plus grande des dimensions est inférieure au millimètre, et une deuxième région voisine de la première région, ayant une deuxième concentration d'éléments dopants supérieure à la première concentration; - soumettre le substrat à un traitement thermique, de manière à activer les éléments dopants et à former une couche d'oxyde en surface du substrat, par- dessus les motifs d'alignement, la première région et la deuxième région, la deuxième concentration et les conditions du traitement thermique étant choisies de sorte que la couche d'oxyde ait une épaisseur au-dessus des motifs d'alignement supérieure d'au moins 10 nm à l'épaisseur de la couche d'oxyde au-dessus d'une zone du substrat adjacente aux motifs d'alignement; - déposer une couche antireflet sur la couche d'oxyde; et - déposer, au travers d'un écran, une électrode sur la couche antireflet, en regard de la deuxième région, l'écran étant positionné par rapport au substrat au moyen des motifs d'alignement.
摘要翻译：本发明涉及一种用于制造具有选择性掺杂的光伏电池的方法，其包括以下步骤：提供掺杂有第一导电类型的半导体衬底; 在所述衬底中形成第一掺杂区域，所述第一区域具有掺杂元素的第一浓度; 通过离子注入衬底中的掺杂元素形成至少一组最大尺寸小于1毫米的对准单元和与第一区相邻的第二区，并具有第二掺杂元素浓度高于第一浓度; 对衬底进行热处理以激活掺杂元件，并在对准单元，第一区域和第二区域上的衬底表面形成氧化物层，选择第二浓度和热处理条件，使得氧化物层的厚度高于比与对准单元相邻的衬底的面积以上的氧化物层的厚度大至少10nm的对准单元的厚度; 在氧化物层上沉积抗反射层; 以及通过与第二区域相对的屏幕将电极沉积到抗反射涂层上。屏幕通过对准单元相对于基板定位。

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