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1. 发明申请

WO2011036307A1 CIRCUIT ARRANGEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREOF 审中-公开
标题翻译：电路布置及其制造方法
公开(公告)号：WO2011036307A1
公开(公告)日：2011-03-31
申请号：PCT/EP2010/064377
申请日：2010-09-28
申请人： ABB TECHNOLOGY AG , SCHULZ, Nicola , HARTMANN, Samuel
发明人： SCHULZ, Nicola , HARTMANN, Samuel
IPC分类号： H01L25/07 , H01L23/00
CPC分类号： H01L24/01 , H01L23/4985 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L25/072 , H01L25/18 , H01L2224/37599 , H01L2224/40137 , H01L2224/40139 , H01L2224/48091 , H01L2224/48195 , H01L2224/48229 , H01L2224/4846 , H01L2224/49111 , H01L2224/49175 , H01L2224/73219 , H01L2224/73221 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01042 , H01L2924/01047 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/15787 , H01L2924/19107 , H01L2924/30107 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599 , H01L2224/37099
摘要： The invention relates to a circuit arrangement (10) in which a power functional device (16) and a conductor element (18) are mounted, the arrangement (10) comprising a substrate (12), a wiring layer (14) provided on the substrate (12) and electrically connected to the functional device (16) and to the conductor element (18) and an intermediate electric contact device, which is mounted on the wiring layer (14) to provide on the side opposite to the wiring layer a contact region for contacting the conductor element (18). According to the invention the conductor element (18) is contacting the intermediate electric contact device in the contact region which is opposite to an area, in which the electric contact device is fixed to the wiring layer. The invention further relates to a corresponding manufacturing method of a circuit arrangement.
摘要翻译：本发明涉及一种其中安装了功率功能器件（16）和导体元件（18）的电路装置（10），该装置（10）包括一个衬底（12），一个布线层（14）基板（12）并与功能元件（16）和导体元件（18）电连接，并且中间电接点器件安装在布线层（14）上以在与布线层（a）相对的一侧接触区域用于接触导体元件（18）。根据本发明，导体元件（18）使接触区域中的中间电接触器件与电接触器件固定到布线层的区域相对。本发明还涉及电路装置的相应制造方法。

2. 发明申请

WO2012049087A2 SEMICONDUCTOR MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR MODULE 审中-公开
标题翻译：半导体模块和制造半导体模块的方法
公开(公告)号：WO2012049087A2
公开(公告)日：2012-04-19
申请号：PCT/EP2011/067558
申请日：2011-10-07
申请人： ABB RESEARCH LTD , SCHULZ, Nicola , HARTMANN, Samuel
发明人： SCHULZ, Nicola , HARTMANN, Samuel
IPC分类号： H01L23/00
CPC分类号： H01L23/49517 , H01L23/24 , H01L23/49822 , H01L23/49838 , H01L23/5383 , H01L23/5386 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/80 , H01L25/072 , H01L2224/32225 , H01L2224/45124 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48227 , H01L2224/48472 , H01L2224/73265 , H01L2924/01013 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/1203 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/15787 , H01L2924/19107 , H05K1/11 , H05K3/328 , H05K2201/09745 , H05K2203/049 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
摘要： The present invention relates to a semiconductor module (10), comprising a substrate (24), in particular formed of a ceramic insulator, and at least one metallic layer (26), in particular formed on the substrate (24), wherein the metallic layer (26) comprises a deepening (40) for placing and fixing a contact element (16), the contact element (16) being at least partially "L"-shaped and comprising a first arm (34) for fixing the contact element (16) at the deepening (40), and a second arm (36) for interconnecting the contact element (16), wherein the deepening (40) has a horizontal dimension which is about ≤ 0,5mm bigger than the horizontal dimension of the contact element (16). Semiconductor modules (10) according to the invention exhibit improved reliability and are furthermore producible in a highly reproducible manner.
摘要翻译：本发明涉及一种半导体模块（10），其包括特别由陶瓷绝缘体形成的衬底（24），以及特别形成在衬底（24）上的至少一个金属层（26），其中金属层（26）包括用于放置和固定接触元件（16）的加深（40），所述接触元件（16）至少部分地为“L”形并且包括用于固定接触元件的第一臂（34） 16），以及用于互连接触元件（16）的第二臂（36），其中所述加深件（40）的水平尺寸比接触件的水平尺寸大约= 0.5mm 元件（16）。根据本发明的半导体模块（10）表现出改进的可靠性，并且还可以以高度可重复的方式生产。

3. 发明申请

WO2013004289A1 METHOD FOR OBTAINING A LONG-TERM SHORT-CIRCUIT IN A POWER ELECTRONICS MODULE 审中-公开
标题翻译：在电力电子模块中获取长时间短路的方法
公开(公告)号：WO2013004289A1
公开(公告)日：2013-01-10
申请号：PCT/EP2011/061215
申请日：2011-07-04
申请人： ABB TECHNOLOGY AG , HÄFNER, Jürgen , COTTET, Didier , NISTOR, Iulian , STORASTA, Liutauras , RAHIMO, Munaf , SCHULZ, Nicola , STRASSEL, Thorsten , SCHNELL, Raffael
发明人： HÄFNER, Jürgen , COTTET, Didier , NISTOR, Iulian , STORASTA, Liutauras , RAHIMO, Munaf , SCHULZ, Nicola , STRASSEL, Thorsten , SCHNELL, Raffael
IPC分类号： H02H7/12 , H02M7/5387 , H03K17/08
CPC分类号： H02H7/12 , H02M1/088 , H02M2001/325
摘要： A method for simplifying short circuit failure mode (SCFM) transitions in a power electronics module. The method includes keeping at least one switch (101, 102, 103, 104) in closed position by means of a signal (109) supplied by a gate unit (110). Upon a failure of a first semiconductor chip (105) during which the failed chip enters an SCFM, the switch (102, 103, 104) is opened, wherein the gates of the second semiconductor chips (106, 107, 108) become floating. Thereby the blocking voltage of the semiconductor chips is reduced.
摘要翻译：一种用于简化电力电子模块中的短路故障模式（SCFM）转换的方法。该方法包括通过由门单元（110）提供的信号（109）将至少一个开关（101,102,103,104）保持在闭合位置。在故障芯片进入SCFM期间的第一半导体芯片（105）发生故障时，开关（102,103,104）被打开，其中第二半导体芯片（106,107,108）的栅极变为浮置。由此，半导体芯片的阻断电压降低。

4. 发明申请

WO2009100943A1 INFRAROT-HALBLEITERLASER 审中-公开
标题翻译：红外半导体激光
公开(公告)号：WO2009100943A1
公开(公告)日：2009-08-20
申请号：PCT/EP2009/001066
申请日：2009-02-16
申请人： FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. , SCHULZ, Nicola , RATTUNDE, Marcel , WAGNER, Joachim , RÖSENER, Benno
发明人： SCHULZ, Nicola , RATTUNDE, Marcel , WAGNER, Joachim , RÖSENER, Benno
IPC分类号： H01S5/04 , H01S5/343 , H01S5/34
CPC分类号： H01S5/041 , B82Y20/00 , H01S5/3407 , H01S5/34306 , H01S5/34346
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft einen Halbleiterlaser mit zumindest einem Quantenfilm, in welchem Elektron-Loch-Paare rekombinierbar sind, mit zumindest zwei Barrierenschichten zwischen denen jeweils einer der zumindest einen Quantenfilme, an diese flächig direkt oder über je einen Zwischenfilm angrenzend, angeordnet ist, sowie mit einer Pumpvorrichtung, wobei die Barriereschichten Al z Ga 1-z As y Sb 1-y , mit y grösser oder gleich Null oder kleiner oder gleich Eins und z kleiner oder gleich Eins und grösser als 0.4, aufweisen und daraus bestehen, und/oder Al z Ga u In v As y Sb 1-y mit z + u + v = 1 und z grösser als 0.25 aufweisen und daraus bestehen, wobei mit der Pumpvorrichtung die Elektron-Loch- Paare unmittelbar im Quantenfilm erzeugbar sind. Die Barriereschichten weisen einen möglichst geringen Ga-Anteil und einen möglichst hohen A1-Anteil auf.
摘要翻译：本发明涉及具有至少一个量子膜的半导体激光器，其中的电子 - 空穴对复合，与在它们之间的至少一个量子膜中的每一个，这是直接或通过相应的中间膜设置在相邻的表面上的至少两个阻挡层，和泵装置，其特征在于，Alz的GA1-zAsySb1-y，其中y是大于或等于零，或者小于或等于1且z小于或等于1且大于0.4，并且还通过由其的势垒层和/或AlzGauInvAsySb1-γùZ + + v = 1和z是大于0.25，和包括，电子 - 空穴对直接与泵装置在量子膜中产生。所述势垒层具有非常低的Ga含量和最高可能的A1份额。

5. 发明申请

WO2007087959A1 HALBLEITERANORDNUNG FÜR EINEN OPTISCH GEPUMPTEN OBERFLÄCHENEMITTIERENDEN HALBLEITERLASER 审中-公开
标题翻译：半导体布置于光学泵浦表面发射半导体激光器
公开(公告)号：WO2007087959A1
公开(公告)日：2007-08-09
申请号：PCT/EP2007/000124
申请日：2007-01-09
申请人： FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. , SCHULZ, Nicola , RATTUNDE, Marcel , WAGNER, Joachim , BEYERTT, Svent-Simon , BRAUCH, Uwe , KÜBLER, Thomas , GIESEN, Adolf
发明人： SCHULZ, Nicola , RATTUNDE, Marcel , WAGNER, Joachim , BEYERTT, Svent-Simon , BRAUCH, Uwe , KÜBLER, Thomas , GIESEN, Adolf
IPC分类号： H01S5/183 , H01S5/04 , H01S5/14 , H01S5/34
CPC分类号： H01S5/14 , B82Y20/00 , H01S5/02484 , H01S5/041 , H01S5/18383 , H01S5/34306
摘要： 1. Halbleiteranordnung für einen optisch gepumpten oberflächenemittierenden Halbleiterlaser 2. Bei einer Halbleiteranordnung für einen optisch gepumpten oberflächenemittierenden Halbleiterlaser mit einem Halbleiterkörper (2) mit mehreren Gruppen (9, 10, 11, 12, 13) von Quantentöpfen und mit wenigstens einer zwischen zwei Gruppen angeordneten Absorptionsschicht (3, 4, 5, 6, 7, 8), die in einem Resonator angeordnet sind, ist gemäß der Erfindung vorgesehen, dass wenigstens zwei Gruppen von Quantentöpfen voneinander verschiedene Anzahlen von Quantentöpfen aufweisen. Die Struktur kann durch diese Maßnahme dahingehend optimiert werden, dass auch bei einer ungleichmäßigen Verteilung des Pumpfeldes in jedem der Quantentöpfe vergleichbare Ladungsträgerdichten erzeugt werden.
摘要翻译：布置1.一种半导体器件，光学泵浦表面发射半导体激光器2中的半导体器件的用于光学泵浦表面发射半导体激光器包括一半导体本体的情况下（2），具有量子阱的多个组（9，10，11，12，13）和两个基团之间的至少一个吸收层（3，4，5，6，7，8），其被布置在谐振器中根据本发明的该量子阱的至少两个基团具有彼此量子阱的不同数量的设置。该结构可以通过这个措施，可比较的电荷载流子密度也在每个量子阱的泵场的非均匀分布而产生被优化。

6. 发明申请

WO2012107482A3 POWER SEMICONDUCTOR MODULE 审中-公开
公开(公告)号：WO2012107482A3
公开(公告)日：2012-08-16
申请号：PCT/EP2012/052118
申请日：2012-02-08
申请人： ABB RESEARCH LTD , KICIN, Slavo , SCHULZ, Nicola , HÄFNER, Jürgen , LIU, Chunlei , HAMIDI, Amina , FABIAN, Jan-Henning
发明人： KICIN, Slavo , SCHULZ, Nicola , HÄFNER, Jürgen , LIU, Chunlei , HAMIDI, Amina , FABIAN, Jan-Henning
IPC分类号： H01L23/62 , H01L25/07 , H01L21/60
摘要： A semiconductor device (509a, b) comprises a semiconductor chip (504a, b) comprising a bottom electrode and a top electrode and a bottom electrode- baseplate (502). The bottom electrode-baseplate (502) is electrically and thermally conductive. The semiconductor device (509a, b) comprises a top electrode- baseplate (508). The top electrode-baseplate (508) is electrically and thermally conductive. The semiconductor device (509a, b) comprises a first preform (506a, b) made of material configured for supporting a creation of an electrically conductive alloy when being melted. In order to provide a semiconductor device having enhanced characteristics, the bottom electrode of the semiconductor chip (504a, b) is thermally and electrically connected to the bottom electrode-baseplate (502) via a first bonding layer (618), the top electrode of the semiconductor chip (504a, b) is thermally and electrically connected to a first side of the first preform (506a, b) via a second bonding layer (620), and the second side of the first preform (506a, b) is thermally and electrically connected to the top electrode- baseplate (508) via a third bonding layer (624).

7. 发明申请

WO2014000975A1 DEVICE AND METHOD FOR ULTRASONIC WELDING 审中-公开
标题翻译：超声波焊接设备及方法
公开(公告)号：WO2014000975A1
公开(公告)日：2014-01-03
申请号：PCT/EP2013/060355
申请日：2013-05-21
申请人： ABB TECHNOLOGY AG
发明人： SCHULZ, Nicola , RIEDEL, Gernot , GUILLON, David
IPC分类号： B23K20/10 , B23K37/06
CPC分类号： B23K20/10 , B23K37/06 , B23K2201/38 , B23K2201/40
摘要： The present invention provides an ultrasonic welding device (1) for welding a first workpiece (2) onto a second workpiece (3) comprising an ultrasonic welding tool (4) with a sonotrode (5) for contacting the first workpiece (2), a confinement structure (6, 20) attached or attachable to the ultrasonic welding tool (4), whereby the confinement structure (6, 20) is arranged and attached or attachable to the ultrasonic welding tool (4) to surround a welding region (8) where the first workpiece (2) is welded onto the second workpiece (3). The present invention also provides a method for ultrasonic welding a first workpiece (2) to a second workpiece (3), comprising welding the first workpiece (2) to the second workpiece (3) using the above ultrasonic welding device (1).
摘要翻译：本发明提供了一种用于将第一工件（2）焊接到第二工件（3）上的超声波焊接装置（1），所述第二工件（3）包括具有用于接触所述第一工件（2）的超声焊丝（5）的超声波焊接工具（4）所述限制结构（6,20）被连接或附接到所述超声波焊接工具（4），由此所述约束结构（6,20）被布置和附接或附接到所述超声波焊接工具（4）以包围焊接区域（8）其中第一工件（2）焊接到第二工件（3）上。本发明还提供了一种用于将第一工件（2）超声波焊接到第二工件（3）的方法，包括使用上述超声波焊接装置（1）将第一工件（2）焊接到第二工件（3）。

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