专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明申请

WO2019225966A1 실리콘계 용융 조성물 및 이를 이용하는 실리콘카바이드 단결정의 제조 방법 审中-公开
公开(公告)号：WO2019225966A1
公开(公告)日：2019-11-28
申请号：PCT/KR2019/006134
申请日：2019-05-22
申请人： 주식회사 엘지화학
发明人： 이호림 , 김정환 , 정찬엽 , 고정민
IPC分类号： C30B29/36 , C30B15/36 , C30B15/14
摘要： 일 실시예에 따른 실리콘계 용융 조성물은 실리콘카바이드 단결정을 형성하기 위한 용액 성장법에 이용되고, 실리콘(Si), 이트륨(Y) 및 철(Fe)를 포함하며 하기 식 (1)로 표현된다. Si a Y b Fe c (식 1) 상기 식 (1)에서 상기 a는 0.4 이상 0.8 이하이고, 상기 b는 0.2 이상 0.3 이하이고, 상기 c 는 0.1 이상 0.2 이하이다.

2. 发明申请

WO2019059641A3 질화규소 소결체 제조를 위한 테이프 캐스팅용 슬러리 조성물 审中-公开
公开(公告)号：WO2019059641A3
公开(公告)日：2019-03-28
申请号：PCT/KR2018/011061
申请日：2018-09-19
申请人： 주식회사 엘지화학
发明人： 김준규 , 신동오 , 고정민
IPC分类号： C04B35/584 , C04B35/626 , C04B35/634 , C04B35/638 , C04B103/40
摘要： 본 발명은 질화규소 소결체 제조를 위한 테이프 캐스팅용 슬러리 조성물에 관한 것이다. 본 발명의 슬러리 조성물은 테이프 캐스팅법에 적합한 점도를 나타내어 제조되는 그린시트의 면적 및 두께를 용이하게 조절할 수 있으며, 이에 따라 연삭 등의 후가공 공정 없이 회로 기판 두께의 대면적 질화규소 소결체를 제조할 수 있다. 또한, 본 발명에 따르면 저가의 원료 및 단순화된 공정으로 질화규소 소결체의 제조가 가능한 바, 제조 공정의 효율성 및 경제성을 확보할 수 있다.

3. 发明申请

WO2017073983A1 실리콘계 용융 조성물 및 이를 이용한 SIC 단결정의 제조 방법 审中-公开
标题翻译：硅基熔融组合物及使用其的SIC单晶的制造方法
公开(公告)号：WO2017073983A1
公开(公告)日：2017-05-04
申请号：PCT/KR2016/012019
申请日：2016-10-25
申请人： 주식회사 엘지화학
发明人： 정찬엽 , 이호림 , 고정민 , 김대성 , 이성수 , 은창선
IPC分类号： H01L21/02 , C30B29/36
CPC分类号： C30B29/36 , C30B9/06 , C30B9/10 , C30B19/04 , H01L21/02
摘要： 본 발명은 실리콘, 탄소 및 하기 식 (1)으로 정의되는 용해도 파라미터 (C si so1 )에 대해 0 /70≤ C si so1 ≤ 1.510을 만족시키는 금속을 포함하고, 용액법에 의해 SiC 단결정을 형성하기 위한 실리콘계 용융 조성물이다. C si so1 = A - B + μ 1 - μ 2 식 (1) 상기 식에서, Α는 상기 금속 및 탄소를 포함하는 실리콘 결정 격자에서, 실리콘 원자, 탄소 원자 및 금속 원자를 포함하는 제 1 평가 격자가 갖는 제 1 에너지 (A)이고, B는 상기 금속을 포함하는 실리콘 결정 격자에서, 실리콘 원자 및 금속 원자를 포함하는 제 2 평가 격자가 갖는 제 2 에너지 (B)이고, μ 1 은 다이아몬드 결정 구조의 실리콘의 총 에너지를 단위 격자 내 존재하는 실리콘 원자수로 나눈 화학 포텐셜로써 -5.422의 상수이고, μ 2 는 다이아몬드 결정 구조의 탄소의 총 에너지를 단위 격자 내 존재하는 탄소 원자수로 나눈 화학 포텐셜로써 -9.097의 상수이다.
摘要翻译：本发明涉及一种制备具有溶解度参数（CsiSi1 / 2）的聚合物的方法，以及满足CsiSi1 /2≤1.510的金属，并且是用于通过溶液法形成SiC单晶的硅基熔融组合物。（1）其中A是A，B和C的值的总和，A是子帧的数量，（A）具有在包含金属和碳的硅晶格中包含硅原子，碳原子和金属原子的第一评估光栅，B是包含金属的硅晶格中的硅浓度，第二能量（B）含磷原子的第二评价网格和金属原子具有，μ<子> 1 是由硅的金刚石晶体结构的总能量由硅原子的数目除以其中存在于晶格中的单元是作为化学势-5.422常数，μ<子> 2 是作为化学势由碳原子存在于所述单元电池的碳的金刚石晶体结构的总能量的数量除以-9.097常数。

4. 发明申请

WO2019088740A3 실리콘계 용융 조성물 및 이를 이용하는 실리콘카바이드 단결정의 제조 방법 审中-公开
公开(公告)号：WO2019088740A3
公开(公告)日：2019-05-09
申请号：PCT/KR2018/013200
申请日：2018-11-01
申请人： 주식회사 엘지화학
发明人： 김정환 , 이호림 , 정찬엽 , 고정민 , 박만식
IPC分类号： C30B29/06 , C30B29/36 , C30B15/36
摘要： 본 발명의 일 실시예에 따른 실리콘계 용융 조성물은 실리콘카바이드 단결정을 형성하기 위한 용액 성장법에 이용되며, 실리콘, 크롬 (Cr), 바나듐(V) 및 알루미늄(Al) 을 포함하는 하기 식 1로 표현된다. Si a Cr b V c Al d (식 1) 상기 식 1에서 a는 0.4 이상 0.9 이하이고, b+c는 0.1 이상 0.6 이하이고, c/ (b+c) 는 0. 05 이상 0. 95 이하이고, d는 0. 01 이상 0.1 이하이다.

5. 发明申请

WO2019088740A2 실리콘계 용융 조성물 및 이를 이용하는 실리콘카바이드 단결정의 제조 방법 审中-公开
公开(公告)号：WO2019088740A2
公开(公告)日：2019-05-09
申请号：PCT/KR2018/013200
申请日：2018-11-01
申请人： 주식회사 엘지화학
发明人： 김정환 , 이호림 , 정찬엽 , 고정민 , 박만식
IPC分类号： C30B29/06 , C30B29/36 , C30B15/36
CPC分类号： C30B15/36 , C30B29/06 , C30B29/36
摘要： 본 발명의 일 실시예에 따른 실리콘계 용융 조성물은 실리콘카바이드 단결정을 형성하기 위한 용액 성장법에 이용되며, 실리콘, 크롬 (Cr), 바나듐(V) 및 알루미늄(Al) 을 포함하는 하기 식 1로 표현된다. Si a Cr b V c Al d (식 1) 상기 식 1에서 a는 0.4 이상 0.9 이하이고, b+c는 0.1 이상 0.6 이하이고, c/ (b+c) 는 0. 05 이상 0. 95 이하이고, d는 0. 01 이상 0.1 이하이다.

6. 发明申请

WO2019059641A2 질화규소 소결체 제조를 위한 테이프 캐스팅용 슬러리 조성물 审中-公开
公开(公告)号：WO2019059641A2
公开(公告)日：2019-03-28
申请号：PCT/KR2018/011061
申请日：2018-09-19
申请人： 주식회사 엘지화학
发明人： 김준규 , 신동오 , 고정민
IPC分类号： C04B35/584 , C04B35/626 , C04B35/634 , C04B35/638 , C04B103/40
CPC分类号： C04B35/584 , C04B35/626 , C04B35/634 , C04B35/638
摘要： 본 발명은 질화규소 소결체 제조를 위한 테이프 캐스팅용 슬러리 조성물에 관한 것이다. 본 발명의 슬러리 조성물은 테이프 캐스팅법에 적합한 점도를 나타내어 제조되는 그린시트의 면적 및 두께를 용이하게 조절할 수 있으며, 이에 따라 연삭 등의 후가공 공정 없이 회로 기판 두께의 대면적 질화규소 소결체를 제조할 수 있다. 또한, 본 발명에 따르면 저가의 원료 및 단순화된 공정으로 질화규소 소결체의 제조가 가능한 바, 제조 공정의 효율성 및 경제성을 확보할 수 있다.

7. 发明申请

WO2019004611A1 실리콘계 용융 조성물 및 이를 이용하는 실리콘카바이드 단결정의 제조 방법 审中-公开
公开(公告)号：WO2019004611A1
公开(公告)日：2019-01-03
申请号：PCT/KR2018/006161
申请日：2018-05-30
申请人： 주식회사 엘지화학
发明人： 이호림 , 정찬엽 , 박만식 , 고정민
IPC分类号： C30B29/36 , C30B9/04 , C30B29/06
摘要： 본 기재는 실리콘카바이드 단결정을 형성하기 위한 용액 성장법에 이용되며, 실리콘, 제 1 금속 (M1), 스칸듐 (Sc) 및 알루미늄 (Al)을 포함하는 하기 식 (1)로 표현되는 실리콘계 용융 조성물에 관한 것이다. Si a M1 b Sc c Al d (식 1) 상기 식 (1)에서 상기 a는 0.4 초과 0.8 미만이고, 상기 b는 0.2 초과 0.6 미만이고, 상기 c 는 0.01 초과 0.1 미만이고, 상기 d 는 0.01 초과 0.1 미만이다.

8. 发明申请

WO2018062689A1 실리콘계 용융 조성물 및 이를 이용하는 실리콘카바이드 단결정의 제조 방법 审中-公开
标题翻译：硅基熔融组合物和使用其的碳化硅单晶的制造方法
公开(公告)号：WO2018062689A1
公开(公告)日：2018-04-05
申请号：PCT/KR2017/009157
申请日：2017-08-22
申请人： 주식회사 엘지화학
发明人： 정찬엽 , 이호림 , 김경훈 , 고정민
IPC分类号： C30B29/36 , H01L21/02 , C30B19/04
摘要： 일 실시예에 따른 실리콘계 용융 조성물은 실리콘카바이드 단결정을 형성하기 위한 용액 성장법에 이용되고， 실리콘 (Si), 제 1 금속 (M1), 제2 금속 (M2) 및 제 3 금속 (M3)을 포함하는 하기 식 (1)로 표현되며， 상기 제 1 금속 (M1)은 니켈 (Ni) 및 망간 (Mn)을 포함하는 군에서 선택된 1종 이상이고, 제 2 금속 (M2)은 스칸듐 (Sc) 및 티타늄 (Ti )을 포함하는 군에서 선택된 1종 이상이고, 제 3 금속 (M3)은 알루미늄 (A1 ) 및 갈륨 (Ga)을 포함하는 군에서 선택된 1종 이상이다. Si a Ml b M2 c M3 d (식 1) 상기 a는 0.3 내지 0.8이고 상기 b는 0.1 내지 0.5이고 상기 c는 0.01 내지 0.3이고 상기 d는 0.01 내지 0.2이고, 상기 a+b+c+d는 1이다.
摘要翻译：（Si），第一金属（M1），第二金属（M2）和第二金属其中，第一金属（M1）为选自镍（Ni）和锰（Mn）中的至少一种，第二金属（M1） M2是选自钪（Sc）和钛（Ti）中的至少一种，第三金属（M3）是选自铝（A1）和镓（Ga）中的至少一种。（A）其中a为0.3至0.8，b为1至3的整数，其中a为0至8的数， 0.1至0.5，c为0.01至0.3，d为0.01至0.2，并且a + b + c + d为1.

9. 发明申请

WO2017073984A1 실리콘계 용융 조성물 및 이를 이용한 SIC 단결정의 제조 방법 审中-公开
标题翻译：硅基熔融组合物及使用其的SIC单晶的制造方法
公开(公告)号：WO2017073984A1
公开(公告)日：2017-05-04
申请号：PCT/KR2016/012020
申请日：2016-10-25
申请人： 주식회사 엘지화학
发明人： 정찬엽 , 고정민 , 김대성 , 이성수 , 은창선
IPC分类号： H01L21/02 , C30B29/36
CPC分类号： C30B29/06 , C30B29/36 , H01L21/02
摘要： 본 발명은 실리콘, 탄소 및 하기 식 (1)로 정의되는 용해도 파라미터 (C si sol )에 대해 -0.37 보다 작은 값을 가지는 금속을 포함하고, 용액법에 의해 SiC 단결정을 형성하기 위한 실리콘계 용융 조성물이다. C si sol = A - B + μ 1 -μ 2 식 ( 1) 상기 식에서, Α는 상기 금속 및 탄소를 포함하는 실리콘 결정 격자에서, 실리콘 원자, 탄소 원자 및 금속 원자를 포함하는 제1 평가 격자가 갖는 제1 에너지 (A)이고, B는 상기 금속을 포함하는 실리콘 결정 격자에서, 실리콘 원자 및 금속 원자를 포함하는 제2 평가 격자가 갖는 제2 에너지 (B)이고, μ1은 다이아몬드 결정 구조의 실리콘의 총 에너지를 단위 격자 내 존재하는 실리콘 원자수로 나눈 화학 포텐셜로써 -5.422의 상수이고, μ2는 다이아몬드 결정 구조의 탄소의 총 에너지를 단위 격자 내 존재하는 탄소 원자수로 나눈 화학 포텐셜로써 -9.097의 상수이다.
摘要翻译：
本发明是小于-0.37的溶解度参数，以由硅，碳下述式（1）（C <子> SI ^{溶胶）来定义，并是用于通过溶液法形成SiC单晶的硅基熔融组合物。（1）其中A是A，B和C的值的总和，A是A和B的总和，在含有所述金属和碳，且所述第一能量的硅晶格（a）具有第一评估格栅，包括一个硅原子，碳原子和金属原子，B是在硅晶格，其中包括金属，硅第二能量（B）含有的金属原子和具有原子的第二评价网格，μ1是作为化学势由硅的金刚石晶体结构的总能量划分到硅原子与存在于单位格子的-5.422恒定，μ2是作为化学势由碳原子存在于所述单元电池的碳的金刚石晶体结构的总能量的数量除以-9.097常数。}

10. 发明申请

WO2013032291A2 무알칼리 유리 및 그 제조 방법 审中-公开
标题翻译：无碱玻璃及其制造方法
公开(公告)号：WO2013032291A2
公开(公告)日：2013-03-07
申请号：PCT/KR2012/007015
申请日：2012-08-31
申请人： 주식회사 엘지화학 , 이동권 , 김상국 , 홍인기 , 고정민 , 임상혁
发明人： 이동권 , 김상국 , 홍인기 , 고정민 , 임상혁
IPC分类号： C03C3/091 , C03C3/085 , C03C3/087 , G02F1/13
CPC分类号： C03C3/091 , G02F2001/133302 , G02F2202/09
摘要： 본 발명은 알칼리 금속 산화물이 포함되어 있지 않은 무알칼리 유리의 조성 및 그러한 유리의 제조 방법을 개시한다. 본 발명에 따른 무알칼리 유리는, 산화물 기준 중량% 표시로, SiO 2 60~70%; B 2 O 3 1~3.5%; Al 2 O 3 1~13%; MgO 8.5~14%; CaO 1~3%; SrO 4~7%; 및 BaO 0.5-7%를 함유하고, 알칼리 금속 산화물을 실질적으로 함유하지 않는다.
摘要翻译：本发明公开了一种不含碱金属氧化物的无碱玻璃的组合物及其制造方法。根据本发明的无碱玻璃包含60至70％的SiO 2， B _{2 _{3 _{1 _{1 _{3 3.5％; Al 2 O 3：1-13％; MgO 8.5-14％; CaO 1-3％; SrO 4〜7％; 和BaO 0.5-7％，基本上不含碱金属氧化物。}}}}}

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式