专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明申请

WO2022203216A1 기판처리장치 및 기판 처리방법 审中-公开
公开(公告)号：WO2022203216A1
公开(公告)日：2022-09-29
申请号：PCT/KR2022/002650
申请日：2022-02-23
申请人： 주성엔지니어링(주)
发明人： 신현교 , 강준영 , 금민종 , 김정배 , 신원석 , 유현민
IPC分类号： H01L31/20 , H01L31/18
摘要： 본 발명은 금속 전극을 생성하기 이전에 PVD 시스템에서 ITO 증착 이후의 장비에서 광조사를 수행하여 광조사 면적의 손실을 줄일 수 있는 기판처리장치 및 기판 처리방법에 관한 것으로, 하나 이상의 박막층이 형성된 기판; 상기 기판을 이송하는 이송 챔버; 상기 기판을 쿨링하는 쿨링 챔버 및 상기 기판을 진공 상태에서 대기압 상태로 변경하는 벤팅 챔버를 포함하는 기판처리장치에서 상기 이송챔버, 쿨링 챔버 또는 벤팅 챔버 중 하나 이상의 챔버에 상기 기판에 광을 조사하는 광조사 모듈을 포함하는 것을 특징으로 하며, 금속 전극에 의해 광조사 모듈의 빛이 가려지는 것을 방지할 수 있어 수광 면적이 넓게 될 수 있어 광조사에 의한 효율을 증가시킬 수 있다.

2. 发明申请

WO2021075756A1 단위셀, 이를 포함하는 태양전지 및 태양전지 제조방법 审中-公开
公开(公告)号：WO2021075756A1
公开(公告)日：2021-04-22
申请号：PCT/KR2020/013035
申请日：2020-09-25
申请人： 주성엔지니어링(주)
发明人： 김정배 , 강준영 , 문향주 , 민선기 , 서정호 , 신원석 , 신현교 , 윤영태 , 임경진
IPC分类号： H01L31/042 , H01L31/0224 , H01L31/02 , H01L31/18 , H01L31/0445 , H01L21/76 , H01L21/78
摘要： 본 발명은 모기판(Mother Substrate)을 분리함에 따라 형성된 복수개의 조각들 중에서 어느 하나의 조각을 이용하여 제조된 제1단위셀; 및 상기 제1단위셀에 결합된 제2단위셀을 포함하고, 상기 제1단위셀은 제1단위기판 상에 형성되고 전도성을 가지는 제1셀전극을 포함하며, 상기 제2단위셀은 제2단위기판 상에 형성되고 전도성을 가지는 제2셀전극을 포함하고, 상기 제2셀전극과 상기 제1셀전극은 접합물질 없이 서로 접합되어서 상기 제2단위셀과 상기 제1단위셀을 결합시키는 태양전지, 이에 포함된 단위셀, 및 태양전지 제조방법에 관한 것이다.

3. 发明申请

WO2020246697A1 태양전지용 기판, 태양전지, 및 태양전지 제조방법 审中-公开
公开(公告)号：WO2020246697A1
公开(公告)日：2020-12-10
申请号：PCT/KR2020/004683
申请日：2020-04-07
申请人： 주성엔지니어링(주)
发明人： 김정배 , 강준영 , 문향주 , 민선기 , 서정호 , 신원석 , 신현교 , 윤영태 , 임경진
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0445 , H01L21/306 , H01L21/56 , H01L21/78 , H01L21/76
摘要： 본 발명은 태양전지 제조를 위한 기판을 복수개의 조각으로 분리하기 위한 분리부를 형성하는 태양전지 제조방법으로서, 상기 기판을 준비하는 공정; 상기 기판의 일면(一面)에 제1홈을 형성하는 제1기판식각공정; 상기 제1홈 내부에 제2홈을 형성하는 제2기판식각공정; 및 상기 제2홈을 포함한 상기 기판을 식각하는 제3기판식각공정을 포함하고, 상기 분리부는 상기 제1홈 및 제2홈을 포함하는 태양전지 제조방법, 이에 의해 제조된 태양전지, 및 태양전지용 기판에 관한 것이다.

4. 发明申请

WO2018038478A1 태양전지 및 그 제조 방법 审中-公开
标题翻译：太阳能电池及其制造方法
公开(公告)号：WO2018038478A1
公开(公告)日：2018-03-01
申请号：PCT/KR2017/009075
申请日：2017-08-21
申请人： 주성엔지니어링(주)
发明人： 서정호 , 권순범 , 김기덕 , 김종인 , 박창균 , 신원석 , 임경진 , 진법종
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0236 , H01L31/0224 , H01L31/0445 , H01L31/04
摘要： 본 발명은 반도체 웨이퍼의 상면 상에 제1 반도체층을 형성하고, 상기 반도체 웨이퍼의 하면 상에 상기 제1 반도체층과 상이한 극성을 갖는 제2 반도체층을 형성하는 공정; 상기 제1 반도체층의 일 부분을 외부로 노출시키면서 상기 제1 반도체층의 상면 상에 제1 투명 도전층을 형성하고, 상기 제2 반도체층의 일 부분을 외부로 노출시키면서 상기 제2 반도체층의 하면 상에 제2 투명 도전층을 형성하는 공정; 및 상기 제1 투명 도전층 및 상기 제2 투명 도전층 중 적어도 하나에 대한 플라즈마 처리 공정을 포함하여 이루어지고, 상기 플라즈마 처리 공정은 상기 외부로 노출된 상기 제1 반도체층의 일 부분 및 상기 제2 반도체층의 일 부분을 제거하는 공정을 포함하여 이루어진 태양전지의 제조 방법을 제공한다.
摘要翻译：
本发明是一种形成在半导体晶片的下表面上具有不同的极性，并且所述第一半导体层以在半导体晶片的上表面上形成第一半导体层的第二半导体层的步骤，。而同时暴露半导体层的一部分向外部以暴露第二半导体层的部分中，在第一半导体层的外部的上表面上形成第一透明导电层，所述第一第二半导体层在下表面上形成第二透明导电层; 和第一透明导电层和由所述第二透明导电，包括用于至少一个层中的等离子体处理步骤中，等离子体处理步骤是使部分和所述第一半导体层暴露于外部的第二以及去除一部分半导体层的步骤。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式