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1. 发明申请

WO2004082033A1 半導体発光素子及びその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体发光器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2004082033A1
公开(公告)日：2004-09-23
申请号：PCT/JP2004/002834
申请日：2004-03-05
申请人：サンケン電気株式会社 , 室伏仁 , 青柳秀和 , 武田四郎 , 内田良彦
发明人：室伏仁 , 青柳秀和 , 武田四郎 , 内田良彦
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/405 , H01L33/44
摘要：半導体発光素子は、発光機能を有する半導体基板(2)とアノード電極(3)とオーミックコンタクト領域(4)と合金化阻止用の光透過層(20)と金属光反射層(5)と導電性支持基板(8)とを有する。前記光透過層(20)は絶縁性を有する材料から成り、前記半導体基板(2)と前記金属光反射層(5)との合金化を阻止する機能を有する。オーミックコンタクト領域(4)は光透過可能な厚みに形成される。前記半導体基板(2)から発生した光は前記光透過層(20)を通って前記金属光反射層(5)で反射し、且つ前記オーミックコンタクト領域(4)を通って前記金属光反射層(5)で反射する。この結果、半導体発光素子の発光効率が高くなる。
摘要翻译：半导体发光器件包括具有发光功能的半导体衬底（2），阳极（3），欧姆接触区（4），防止合金化的透光层（20），金属光反射层（5）和导电支撑基板（8）。透光层（20）由绝缘材料构成，用于防止半导体基板（2）和金属光反射层（5）之间的合金化。欧姆接触区域（4）形成为具有光可透过的厚度。从半导体衬底（2）发射的光通过透光层（20）并被金属光反射层（5）反射或穿过欧姆接触区域（4）并被金属光反射层（5）。因此，半导体发光器件可以具有改善的发光效率。

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