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1. 发明申请

WO2008087754A1 量子カスケードレーザ审中-公开
标题翻译：量子CASCADE激光
公开(公告)号：WO2008087754A1
公开(公告)日：2008-07-24
申请号：PCT/JP2007/061460
申请日：2007-06-06
申请人：浜松ホトニクス株式会社 , 枝村忠孝 , 秋草直大 , 藤田和上 , 杉山厚志 , 落合隆英
发明人：枝村忠孝 , 秋草直大 , 藤田和上 , 杉山厚志 , 落合隆英
IPC分类号： H01S5/343
CPC分类号： H01S5/3402 , B82Y20/00 , H01S5/3086 , H01S5/309 , H01S5/34313
摘要：　半導体基板と、半導体基板上に設けられ、量子井戸発光層１７及び注入層１８からなる単位積層体１６が多段に積層されたカスケード構造を有する活性層とを備えて量子カスケードレーザを構成する。また、単位積層体１６は、そのサブバンド準位構造において、発光上準位Ｌｕｐと、発光下準位Ｌｌｏｗと、発光下準位よりも低いエネルギー準位からなる緩和ミニバンドＭＢとを有し、上準位から下準位への電子のサブバンド間遷移によって光が生成されるとともに、サブバンド間遷移を経た電子は、ＬＯフォノン散乱によって下準位ＬｌｏｗからミニバンドＭＢへと緩和され、ミニバンドＭＢを介して、注入層１８から後段の発光層へと注入されるように構成される。これにより、量子井戸発光層における反転分布を効率的に形成して、レーザ動作性能を向上することが可能な量子カスケードレーザが実現される。
摘要翻译：量子级联激光器包括半导体衬底和形成在半导体衬底上的有源层，并且具有级联结构，其中每个由量子阱发射层（17）和注入层（18）组成的单位多层体（16）被堆叠。每个单元多层体（16）具有子带级结构，其包括由发射上位电平（L SUB）上升的发光次级（L < 低），并且能量水平低于排放较低水平。在从上层到下层的电子的子带到子带过渡时产生光。通过LO声子散射将经历子带到子带转变的电子从较低电平（L _{低）松弛到微带（MB），并在后续阶段从下一级注入到发射层通过微带（MB）的注入层（18）。由此，能够有效地形成量子阱发射层中的反演分布并实现激光作用性能的量子级联激光器。}

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