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1. 发明申请

WO2008072454A1 結晶質半導体膜の製造方法および半導体膜の加熱制御方法ならびに半導体結晶化装置审中-公开
标题翻译：晶体管半导体膜的制备方法和半导体膜和半导体结晶器件的加热控制方法
公开(公告)号：WO2008072454A1
公开(公告)日：2008-06-19
申请号：PCT/JP2007/072512
申请日：2007-11-21
申请人：株式会社日本製鋼所 , 富樫陵太郎 , 井波俊夫 , 次田純一 , 古谷野晃儀
发明人：富樫陵太郎 , 井波俊夫 , 次田純一 , 古谷野晃儀
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/268
CPC分类号： H01L21/2683 , C23C14/5813 , H01L21/02422 , H01L21/02532 , H01L21/02686
摘要：　結晶粒径が十分に小さくて均一な結晶質半導体膜を基板上に得る。　好適には非晶質半導体膜９を上層に有するガラス基板８を昇温させて加熱状態を維持する。該ガラス基板８上の前記非晶質半導体膜９にレーザ光２０を照射して該非晶質半導体膜を融点を超えない温度に加熱して、前記非晶質半導体膜９を結晶化させる。ガラス基板にダメージを与えることなく、基板上に結晶粒径が小さくて均一な結晶質半導体膜を得ることができる。また、レーザ光照射前にガラス基板を加熱維持しておくことにより、レーザ光のショット毎の温度変動を均一にできる。さらにレーザ光の照射により結晶欠陥を除去し、また非晶質半導体膜内に内在する不純物や表面に付着しているコンタミネーションを除去する。
摘要翻译：得到在基板上具有足够小且均匀的结晶粒径的结晶半导体膜。优选地，在其上层具有非晶半导体膜（9）的玻璃基板（8）被加热并保持在加热状态。用激光束（20）照射玻璃基板（8）上的非晶半导体膜（9），将膜加热到不超过熔点的水平并使膜（9）结晶。因此，可以在基板上获得具有小而均匀的结晶粒径的结晶半导体膜，而不会对玻璃基板造成任何损害。当玻璃基板在激光束照射之前被保持加热时，可以将每个激光束的温度变化控制为均匀。此外，激光束照射除去晶体缺陷，消除存在于非晶半导体膜中的杂质和沉积在其表面上的污染物。

2. 发明申请

WO2005042421A1 ガラスの切断方法审中-公开
标题翻译：玻璃切割方法
公开(公告)号：WO2005042421A1
公开(公告)日：2005-05-12
申请号：PCT/JP2004/015779
申请日：2004-10-25
申请人：株式会社日本製鋼所 , 草間秀晃 , 井波俊夫 , 小林直之
发明人：草間秀晃 , 井波俊夫 , 小林直之
IPC分类号： C03B33/023
CPC分类号： C03B33/093 , C03B33/076 , Y10T225/12 , Y10T225/304
摘要：本発明は、紫外線レーザからなる第１のレーザビーム２及び第２のレーザビーム３を第２のガラス部材５ｂの側から照射し、第１のレーザビーム２を第２のガラス部材５ｂを透過させて第１のガラス部材５ａに集光させて第１のスクライブ線１４を形成し、第２のレーザビーム３を第２のガラス部材５ｂに集光させて第２のスクライブ線１５を形成した後、第１のスクライブ線１４及び第２のスクライブ線１５にブレイク力を作用させて切断する。
摘要翻译：以下列方式切割玻璃的方法。从第二玻璃构件（5b）侧照射作为紫外线激光的第一激光束（2）和第二激光束（3）。第一激光束（2）通过第二玻璃构件（5b）透射，以集中在第一玻璃构件（5a）上，形成第一划线（14）。第二激光束（3）集中在第二玻璃构件（5b）上以形成第二划线（15）。然后，将断裂力施加到第一划线（14）和第二划线（15）上进行切割。

3. 发明申请

WO2006013814A1 結晶化膜の形成方法及びその装置审中-公开
标题翻译：形成结晶膜及其设备的方法
公开(公告)号：WO2006013814A1
公开(公告)日：2006-02-09
申请号：PCT/JP2005/014025
申请日：2005-08-01
申请人：株式会社日本製鋼所 , 小林直之 , 草間秀晃 , 井波俊夫
发明人：小林直之 , 草間秀晃 , 井波俊夫
IPC分类号： H01L21/20 , B23K26/00 , B23K26/067 , H01L21/268
CPC分类号： G03F7/70583 , B23K26/0604 , B23K26/0608 , B23K26/067 , C30B13/24 , G03F7/70075
摘要：レーザ光源は、拡がり角を有する光線束を射出するため、アレイレンズの１つのレンズ部分には、光路差生起部材の複数の段差部分を透過したレーザ光が入射し、被照明物体に結像するとき、干渉することを免れ得ない。拡がり角θを有する光線束としてのレーザ光１を射出するレーザ光源Ａに対し、一側面視でレーザ光１を複数に分割・縮小して分割光線９となした後、各分割光線９を個別の縮小光線束にして縮小分割光線１０を得る分割・縮小手段（２，３）と、各縮小分割光線１０を分割面側での反射を低減させて個別に透過させ、コヒーレント性を調節するように相互に光路差を生起させるブロック部７ａを備える光路差生起部材７と、光路差生起部材７を透過した縮小分割光線１０を集光させる集光レンズ５とを備えさせ、集光レンズ５を透過させて重畳したレーザ光によつて被照射面６を照明させる。
摘要翻译：由于激光源发射具有扩展角的光束，所以透过光程差产生部件的多个电平差分部分的激光照射到阵列透镜的一个透镜部分，当图像为形成在待照亮的物品上。用于将一侧视图中的激光（1）分割/收缩成多个分束光束（9）并且通过将每个分离光束（9）分离成获得收缩分裂光束（10）的装置（2,3）单独收缩的光束，光路差产生部件（7），具有用于分别发送各收缩的分束光束（10）的块（7a），同时减少分离面侧的反射并相互产生光程差，从而调整一致性，并且将发射激光（1）的激光源A作为射线束提供给用于使通过光程差产生部件（7）透射的收缩分束光束（10）聚光的透镜（5）具有扩展角θ，由此被照射的平面（6）在通过聚光透镜（5）之后被叠加的激光照射。

4. 发明申请

WO2005105681A1 ガラスの切断方法及びその装置审中-公开
标题翻译：玻璃切割方法及其设备
公开(公告)号：WO2005105681A1
公开(公告)日：2005-11-10
申请号：PCT/JP2005/007701
申请日：2005-04-22
申请人：株式会社日本製鋼所 , 米内敏文 , 井波俊夫 , 草間秀晃 , 小林直之 , 豊田充啓 , 大森賢一
发明人：米内敏文 , 井波俊夫 , 草間秀晃 , 小林直之 , 豊田充啓 , 大森賢一
IPC分类号： C03B33/02
CPC分类号： C03B33/091 , B23K26/364 , C03B33/023
摘要：紫外線領域のレーザを１行程で照射してスクライブ線を形成する場合、ガラス割断後のガラス曲げ強度が５０ＭＰａ以下程度であり、液晶パネルガラス等としての使用中に不用意に割損し易い。ガラス４の切断すべき部分に、パルスレーザ２を１行程の相対移動で照射してスクライブ線７を形成した後、スクライブ線７にブレイク力を作用させて切断するガラスの切断方法であつて、パルスレーザ２として紫外線領域を用い、各照射箇所でのパルス数の合計が２６６７～８０００パルス数の範囲となるようにパルスレーザ２を相対移動させながら照射して、ガラス４の厚さの１．８～６．３％の深さにスクライブ線７を形成する。
摘要翻译：当通过一次施加紫外线区域的激光束形成划线时，切割后的玻璃的弯曲强度为约50MPa以下，作为液晶面板玻璃的玻璃容易地容易断裂。在通过相对移动一次冲程用脉冲激光束（2）照射玻璃（4）的待切割部分以形成划线（7）并随后对划痕施加断裂力的方法中，线（7）中，采用紫外线区域的脉冲激光束（2），相对移动脉冲激光束（2），使得落在各照射部分上的脉冲总数落入2667- 8000，从而形成划线（7）至玻璃（4）的厚度的1.8-6.3％的深度。

5. 发明申请

WO2007018167A1 レーザ投影装置审中-公开
标题翻译：激光投影设备
公开(公告)号：WO2007018167A1
公开(公告)日：2007-02-15
申请号：PCT/JP2006/315572
申请日：2006-08-07
申请人：株式会社日本製鋼所 , 井波俊夫 , 大田和紀 , 倉田保英 , 次田純一
发明人：井波俊夫 , 大田和紀 , 倉田保英 , 次田純一
IPC分类号： H01L21/268 , G02B7/28 , G03F7/20 , H01L21/027 , H01L21/20
CPC分类号： B23K26/066
摘要：　倍率制御部およびマスク移動サーボ制御部によりマスク距離ａを調節し、合焦点制御部およびＡＦＣ制御部およびテーブル移動サーボ制御部により基板距離ｂを調節して、ａ／ｂを一定に保ち、且つ、１／ｆ＝１／ａ＋１／ｂを満足させる。レーザ光による投影レンズの温度変動などで投影レンズの焦点距離などが変動しても投影倍率を一定に保ち且つ正しく焦点合わせしてマスクを基板上に結像させることが出来る。ＳＬＳ（Sequential Lateral Solidification）方式のＥＬＡ（エキシマ・レーザ・アニール）装置に利用できる。
摘要翻译：通过放大控制单元和掩模移动伺服控制单元调整掩模距离“a”，并且通过焦点控制单元，AFC控制单元和台式移动伺服控制单元来调整基板距离“b”，因此 a / b保持恒定，并且满足1 / f = 1 / a + 1 / b。即使投影透镜的焦距由于激光束的投影透镜的温度变化而波动，也可以在基板上形成掩模图像时使投影倍率保持恒定并匹配焦点。这可以应用于SLS（顺序横向凝固）方法的ELA（准分子激光退火）装置。

6. 发明申请

WO2006103836A1 薄膜材料の結晶化方法及びその装置审中-公开
标题翻译：结晶薄膜材料的方法和装置
公开(公告)号：WO2006103836A1
公开(公告)日：2006-10-05
申请号：PCT/JP2006/302459
申请日：2006-02-13
申请人：株式会社日本製鋼所 , 加藤修 , 井波俊夫 , 次田純一 , 鄭石煥 , 澤井美喜 , 古谷野晃儀 , 小林直之
发明人：加藤修 , 井波俊夫 , 次田純一 , 鄭石煥 , 澤井美喜 , 古谷野晃儀 , 小林直之
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/268 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC分类号： H01L21/02686 , B23K26/0604 , B23K26/0608 , B23K26/0622 , B23K26/067 , H01L21/2026 , H01L27/1296
摘要：結晶粒の大きさを均一にすることができず、パネル全体のＴＦＴ特性のばらつきを小さくできない。薄膜状のシリコン製の材料１２，１１２に、パルス状レーザを複数回照射して結晶粒を形成する際、パルス状レーザを複数の分割レーザに分割・遅延させて材料１２，１１２に照射する薄膜材料の結晶化方法において、複数の分割レーザの重畳によつて形成される１つのパルス状レーザのパルス波形２が、最大の強度I の極大ピーク２３と、Ｉ／２を超える強度の少なくとも１つの極大ピーク２２と、少なくとも１つの隣接する極大ピーク２２，２３の間に位置し、Ｉ／２以下に強度が低下する極小点２１とを有する。
摘要翻译：当晶粒尺寸不均匀时，不可能在整个面板上减小TFT特性的变化。一种使薄膜材料结晶的方法，包括以下步骤：当脉冲形式的激光器分裂成多个分裂激光器并延迟它们并且当薄膜形式的硅材料（12， 112）用脉冲形激光器照射几次以形成晶体，其中由多个叠加的分离激光器形成的一个脉冲形激光器的脉冲波形（2）具有最大强度I的最大峰值（23）至少一个具有强度超过I / 2的最大峰值（22）和位于相邻的最大峰值（22,23）之间且强度低于I / 2的至少一个最小点（21）。

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