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1. 发明申请

WO2005036441A1 生体関連事象間の相関データの可視化方法、解析法及びデータベース审中-公开
标题翻译：生物活动相关数据可视化方法，分析方法和数据库
公开(公告)号：WO2005036441A1
公开(公告)日：2005-04-21
申请号：PCT/JP2004/010250
申请日：2004-07-12
申请人：株式会社リバース・プロテオミクス研究所 , 飛田基 , 西川哲夫 , 堀内健 , 根本昌 , 荒木健司
发明人：飛田基 , 西川哲夫 , 堀内健 , 根本昌 , 荒木健司
IPC分类号： G06F19/00
CPC分类号： G06F19/26 , G06F19/18 , G06F19/24
摘要：データ数の規模の変動に応じて、相関データの単位が異なる予め用意された複数のデータ表示形式の中から一つを自動的に選択し、また、個々のセルに関する情報（相関データや各事象に関する情報）について要約度の異なる予め用意された複数の表示方法の中から一つを自動的に選択して、相関データと個々のセルに関する情報を表示する。これにより、二つの事象間の相関データを行列形式で表示する可視化方法において、相関データの全体としての観察と少数データの詳細な観察を交互に繰り返す作業の手間を軽減する。
摘要翻译：根据数据数量的变化，自动选择具有不同相关数据单位的多个预先准备好的数据显示格式之一，并且多个预先准备好的信息汇总程度的数据显示方法之一自动选择关于各个单元（相关数据和关于每个事件的信息）。然后显示关联数据和关于各个单元的信息。在用于可视化矩阵格式的两个事件之间的相关性的数据的方法中，可以减少交替重复观察整个相关数据和详细观察少量数据的工作。

2. 发明申请

WO2008149806A1 半導体製造装置の汚染評価方法审中-公开
标题翻译：评估半导体制造设备污染的方法
公开(公告)号：WO2008149806A1
公开(公告)日：2008-12-11
申请号：PCT/JP2008/060023
申请日：2008-05-30
申请人：信越半導体株式会社 , 荒木健司 , 竹中卓夫 , 黛雅典
发明人：荒木健司 , 竹中卓夫 , 黛雅典
IPC分类号： H01L21/66 , H01L21/205
CPC分类号： H01L22/14 , C23C16/4401
摘要：　気相成長装置等の半導体製造装置に関し、処理の際（例えば、気相成長時）の汚染量を、評価により把握することを可能とする半導体製造装置の汚染評価方法、例えば気相成長装置の汚染評価方法を提供する。　試料半導体ウェーハに対して半導体製造装置を用いて所定の処理を行うことによって評価対象半導体ウェーハを製造し、当該製造した評価対象半導体ウェーハについて汚染評価を行うことにより、前記半導体製造装置における汚染を評価する方法であって、前記試料半導体ウェーハはその表面が、シリコン熱酸化膜、ＣＶＤにより堆積されたシリコン酸化膜、アモルファスシリコン膜及びポリシリコン膜からなる群から選択されたいずれか１種の被膜で被覆されているようにした。
摘要翻译：提供了一种用于评估诸如气相生长装置的半导体制造装置的污染物的方法，通过该方法可以通过评估来掌握加工（例如气相生长）中的污染量。在用于评价半导体制造装置的污染的方法中，通过使用半导体制造装置对样品半导体晶片执行规定的处理来制造待评估的半导体晶片，并且评估所制造的半导体晶片的污染。样品半导体晶片的表面被选自由硅热氧化膜，通过CVD沉积的氧化硅膜，非晶硅膜和多晶硅膜组成的组中的至少一种膜覆盖。

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