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    • 2. 发明申请
    • 静電容量型の発光型スイッチおよびこれに用いる発光型スイッチ素子
    • 电容式发光开关及其使用的发光开关元件
    • WO2007083591A1
    • 2007-07-26
    • PCT/JP2007/050401
    • 2007-01-15
    • 日本写真印刷株式会社松川 陽介奥村 秀三面 了明
    • 松川 陽介奥村 秀三面 了明
    • H01H36/00G06F3/02
    • H01H13/83G06F3/0202H01H2219/044H01H2219/06H01H2219/062H01H2239/006
    •  入力不良による誤作動がなく、部品点数が少ない静電容量型の発光型スイッチ及び、発光型スイッチ素子を提供するものである。静電容量型の発光型スイッチ61は、発光型スイッチ素子51と制御部31からなる。発光型スイッチ素子51は、透光性材料からなるパネル2と、パネルの少なくとも一方の面に配置された加飾層3と、パネル及び加飾層の背面に配置された導光板4と、導光板の側面に配置された点光源5又は線光源と、導光板の背面に配置された4探針法による表面抵抗値が1Ω/cm 2 以下である不透明な金属膜からなり且つ形成パターンが電極部1a及び電極部に接続された導線部1bを有する反射層1を含む。制御部31は、導線部1bを経由して電極部1aに接続され、電極部の静電容量変化に応じて外部負荷体用回路を切り替える。
    • 具有少量部件的电容式发光开关,其中由于输入不良而导致的故障被消除,以及发光开关元件。 电容式发光开关(61)包括发光开关元件(51)和控制部分(31)。 发光开关元件(51)包括由透光材料制成的面板(2),布置在面板的至少一侧的装饰层(3),布置在背面的导光板(4) 的面板和装饰层,布置在导光板的侧面上的点光源(5)或线光源,以及由表面电阻率为1的不透明金属膜构成的反射层(1) O / cm 2以下,并且配置在导光板的背面,形成图案具有电极部分(1a)和与 电极部分。 控制部(31)经由线部(1b)与电极部(1a)连接,并根据电极部的电容变化来切换外部负载体的电路。
    • 3. 发明申请
    • 透明導電膜付ガラス基板とその製造方法
    • 具有透明电磁膜的玻璃基板及其制备方法
    • WO2003045867A1
    • 2003-06-05
    • PCT/JP2002/012258
    • 2002-11-25
    • 日本写真印刷株式会社松川 陽介稲子 吉秀山田 敏明面 了明
    • 松川 陽介稲子 吉秀山田 敏明面 了明
    • C03C17/34
    • C03C17/3417
    • A glass substrate with transparent electroconductive films, which comprises the glass substrate (2) and, laminated on one surface thereof in the following order, a first film (3) containing at least one metal oxide of the oxides of Zr, Ti, Al and Si in an amount of 90 wt % or more, a second film (4) containing SiO 2 in an amount of 90 wt % or more, and a third film (5) containing at least one metal oxide of the oxides of In, Sn, Zn, Sb, Al and Y in an amount of 90 wt % or more, and, laminated on the other surface of the substrate (2) in the following order, a forth film (6) containing at least one metal oxide of the oxides of Zr, Ti, Al and Si in an amount of 90 wt % or more, and a fifth film (7) containing SiO 2 in an amount of 90 wt % or more.
    • 一种具有透明导电膜的玻璃基板,其包括玻璃基板(2),并且按照以下顺序层压在其一个表面上,所述第一膜(3)含有至少一种Zr,Ti,Al的氧化物的金属氧化物,以及 含量为90重量%以上的Si,90重量%以上的含有SiO 2的第二膜(4)和含有至少一种金属氧化物的第三膜(5) 的In,Sn,Zn,Sb,Al和Y的氧化物的量为90重量%以上,并且按照以下顺序层压在基板(2)的另一个表面上,第四膜(6)含有 Zr,Ti,Al和Si的氧化物的至少一种金属氧化物的含量为90重量%以上,以及含有90重量%的SiO 2的第五膜(7) 或者更多。