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1. 发明申请

WO2004009493A1 Si製造方法审中-公开
标题翻译：生产Si的方法
公开(公告)号：WO2004009493A1
公开(公告)日：2004-01-29
申请号：PCT/JP2003/009275
申请日：2003-07-22
申请人：新日本製鐵株式会社 , 近藤次郎 , 岡島正樹 , 徳丸慎司 , 堂野前等
发明人：近藤次郎 , 岡島正樹 , 徳丸慎司 , 堂野前等
IPC分类号： C01B33/021
CPC分类号： C01B33/021
摘要： Si製造工程等から発生する工業的価値の無かった各種形態の SiO固体から、Siを安価に効率良く製造することを目標として、 SiO固体へ、アルカリ金属元素の酸化物、水酸化物、炭酸化物、フッ化物のいずれか、又はアルカリ土類金属元素の酸化物、水酸化物、炭酸化物、フッ化物のいずれか、又はこれらの化合物の２種以上を、総量のモル数が SiO固体のモル数の１／20以上1000倍以下となる量を添加し、該混合物をSiの融点以上2000℃以下に加熱し、化学反応を行わせることによりSiを生成させ、該Siを反応副生成物から分離回収することを特徴とするSi製造方法を提供する。
摘要翻译：一种制备Si的方法，其特征在于它包括向一氧化硅固体中加入碱金属元素的氧化物，氢氧化物，碳酸盐或氟化物，或碱土金属的氧化物，氢氧化物，碳酸盐或氟化物土金属元素或两种或更多种上述化合物，其总摩尔量为一氧化硅固体的1/20至1000倍，以制备混合物，将混合物加热至从Si熔点至2000℃的温度 ℃，以进行形成Si的反应，并将所得的Si与反应副产物分离以进行回收。该方法可以以低成本，高效率地从Si生产工艺等中形成的各种形式的SiO固体生产Si，并且通常没有工业价值。

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