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1. 发明申请

WO2006030778A1 半導体レーザ素子及び半導体レーザ素子アレイ审中-公开
标题翻译：半导体激光元件和半导体激光元件阵列
公开(公告)号：WO2006030778A1
公开(公告)日：2006-03-23
申请号：PCT/JP2005/016833
申请日：2005-09-13
申请人：浜松ホトニクス株式会社 , 王ゆう , 宮島博文 , 渡邉明佳 , 菅博文
发明人：王ゆう , 宮島博文 , 渡邉明佳 , 菅博文
IPC分类号： H01S5/22
CPC分类号： H01S5/10 , H01S5/0655 , H01S5/101 , H01S5/1085 , H01S5/4031
摘要：　半導体レーザ素子３は、ｎ型クラッド層１３と、活性層１５と、ｐ型クラッド層１７とを備える。ｐ型クラッド層１７は、活性層１５に導波路４を形成するリッジ部９を有する。導波路４は、略一定の曲率（曲率半径Ｒ）で湾曲している中心軸線Ｂに沿って延びている。このような導波路４においては、導波路４内で共振する光のうち空間横モードの次数が高い光ほど損失が大きくなる。従って、横低次モードのレーザ発振を維持しつつ、横高次モードのレーザ発振を抑制することができる。これにより、比較的大きな強度のレーザ光を出射可能であって、横高次モードを抑制できる半導体レーザ素子、及び半導体レーザ素子アレイが実現される。
摘要翻译：半导体激光元件（3）设置有n型覆盖层（13），有源层（15）和p型覆盖层（17）。 p型覆盖层（17）具有在有源层（15）上形成波导（4）的脊部（9）。波导（4）沿着以基本恒定的曲率（曲率半径（R））弯曲的中心轴线（B）延伸。在这种波导（4）中，在波导（4）中共振的光中，具有较高阶空间横模的光具有较大的损耗。因此，在以低阶横模保持激光振荡的同时，能够抑制高阶横模的激光振荡。因此，提供了能够投射具有较高强度并抑制高阶横模的激光束的半导体激光元件和半导体激光元件阵列。

2. 发明申请

WO2006013935A1 半導体レーザ素子及び半導体レーザ素子アレイ审中-公开
标题翻译：半导体激光器件和半导体激光器器件阵列
公开(公告)号：WO2006013935A1
公开(公告)日：2006-02-09
申请号：PCT/JP2005/014321
申请日：2005-08-04
申请人：浜松ホトニクス株式会社 , 渡邉明佳 , 宮島博文 , 菅博文
发明人：渡邉明佳 , 宮島博文 , 菅博文
IPC分类号： H01S5/10
CPC分类号： H01S5/4031 , H01S5/101 , H01S5/1014 , H01S5/1085 , H01S5/16 , H01S5/2231 , H01S2301/18
摘要：　半導体レーザ素子３の活性層１５には、ｐ型クラッド層１７のリッジ部９ａによって屈折率型の主導波路４が生成される。主導波路４の側面４ｇ及び４ｈは、光出射面１ａ及び光反射面１ｂに対し、該側面４ｇ及び４ｈにおける全反射臨界角θｃに基づく相対角度θを有する。主導波路４は、光出射面１ａ及び光反射面１ｂに対して所定距離隔たっており、主導波路４の一端と光出射面１ａとの間、及び主導波路４の他端と光反射面１ｂとの間には、レーザ光Ｌ１が通過するための光路部分８ａ及び８ｂが設けられる。光路部分８ａ及び８ｂは利得型導波路となっており、光路部分８ａ及び８ｂを通過する光のうち所定の軸Ａの方向から逸れた光Ｌ２、Ｌ３を外部へ放出する。これにより、比較的大きな強度のレーザ光を出射可能であって、サイドピークを低減できる半導体レーザ素子及び半導体レーザ素子アレイが実現される。
摘要翻译：在半导体激光器件（3）的有源层（15）中，使用p型覆盖层（17）的脊部（9a）形成折射率主波导（4）。主波导（4）的侧面（4g，4h）以相对角度θ 相对于侧面（4g，4h）的全反射临界角θc，参照光出射面（1a）和光反射面（1b）。主波导（4）与光出射表面（1a）和光反射表面（1b）间隔预定距离。在主波导（4）的一端和光出射表面（1a）之间以及主波导（4）的另一端和光反射表面（1b）之间，分别设置有光路部分（8a，8b），用于通过激光束（L1）。光路部分（8a，8b）用作增益波导，其中穿过光路径（8a，8b）的光从预定轴线（A）的方向偏离光（L2，L3）退出外面。由此，可以实现能够发射具有较高强度的激光束并减少侧峰的半导体激光器件和半导体激光器件阵列。

3. 发明申请

WO2006001339A1 半導体レーザ素子及び半導体レーザ素子アレイ审中-公开
标题翻译：半导体激光器件和半导体激光元件阵列
公开(公告)号：WO2006001339A1
公开(公告)日：2006-01-05
申请号：PCT/JP2005/011547
申请日：2005-06-23
申请人：浜松ホトニクス株式会社 , 宮島博文 , 渡邉明佳 , 菅博文
发明人：宮島博文 , 渡邉明佳 , 菅博文
IPC分类号： H01S5/22
CPC分类号： H01S5/22
摘要：　この発明は、出射角の小さなレーザ光をより単純な構成で効率よく出射可能な半導体レーザ素子等に関する。当該半導体レーザ素子は、第１の半導体部と、活性層と、第２の半導体部とを備える。第１の半導体部は、活性層に屈折率型導波領域を形成するためのリッジ部を有する。導波領域は、少なくとも側面における全反射臨界角が互いに異なる第１及び第２部分を含む。第１及び第２部分それぞれは、活性層の両端に位置する光出射面及び光反射面に対する側面の相対角度が該側面の全反射臨界角よりも大きくなるよう配置されている。このとき、光出射面及び光反射面に対する第１部分の側面の相対角度は、光出射面及び光反射面に対する第２部分の側面の相対角度と異なっている。
摘要翻译：一种能够通过简单的布置更有效地发射具有小出射角的激光束的半导体激光装置。半导体激光器件包括第一半导体单元，有源层和第二半导体单元。第一半导体单元具有用于在有源层中形成折射率型波导区域的脊部。波导区域包括至少在侧面具有不同全反射临界角的第一和第二部分。第一和第二部分分别被布置成使得侧面相对于位于有源层的相对端处的光出射面和光反射面的相对角度变得大于侧面的全反射临界角。在这点上，第一部分的侧面与光出射面和光反射面的相对角度与第二部分的侧面相对于光出射面和光反射面的相对角度不同。

4. 发明申请

WO2005086303A1 半導体レーザ素子及び半導体レーザ素子アレイ审中-公开
标题翻译：半导体激光元件和半导体激光元件阵列
公开(公告)号：WO2005086303A1
公开(公告)日：2005-09-15
申请号：PCT/JP2005/003751
申请日：2005-03-04
申请人：浜松ホトニクス株式会社 , 宮島博文 , 渡邉明佳 , 菅博文
发明人：宮島博文 , 渡邉明佳 , 菅博文
IPC分类号： H01S5/22
CPC分类号： H01S5/22 , H01S5/0655 , H01S5/10 , H01S5/101 , H01S5/1085 , H01S5/2036 , H01S5/4031 , H01S2301/18
摘要：　この発明は、出射角の小さなレーザ光をより単純な構成で効率よく出射可能な半導体レーザ素子等に関する。当該半導体レーザ素子は、ｎ型クラッド層と、活性層と、ｐ型クラッド層とが順次積層された構造を備える。ｐ型クラッド層は、活性層内に屈折率型導波路を形成するリッジ部を有する。リッジ部は、少なくとも端部を除く部分は、光出射面及び光反射面それぞれに一致した屈折率型導波路の両端面の各法線に対して該屈折率型導波路の側面における全反射臨界角の余角θｃ以下の角度θで交差する方向に沿って延びている。このような形状のリッジ部により形成される屈折率型導波路内を共振する光成分の光路は、該屈折率型導波路の側面において全反射される光路のみに限定される。すなわち、光出射端から出射されるレーザ光は空間横単一モードとなり、レーザ光の出射角をさらに小さくするために導波路幅を広くすることができる。
摘要翻译：一种半导体激光元件，其能够有效地发射具有小出射角的激光束并具有简单的结构。半导体激光元件具有依次形成n型覆盖层，有源层和p型覆盖层的结构。 p型覆盖层具有在有源层中形成折射率波导的脊部。所述脊部至少在其端部的另一部分沿着折射率波导的侧表面处的全反射临界角的互补角度的角度θ的方向延伸，相对于折射率波导的端面上的法线与光出射面和光反射面一致。在由具有这种形状的脊部形成的折射率波导中谐振的光分量的光路仅限于折射率波导的侧表面处的光被全反射的光路。也就是说，从光出射端发射的激光束具有空间横向单模，并且可以增加波导的宽度，以进一步降低激光束的出射角。

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