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    • 1. 发明申请
    • 光電変換素子とその製造方法、及びこれを用いた光電変換モジュール
    • 光电转换元件及其制造方法和使用其的光电转换模块
    • WO2006101200A1
    • 2006-09-28
    • PCT/JP2006/305987
    • 2006-03-24
    • 京セラ株式会社新楽 浩一郎坂元 智成松島 徳彦
    • 新楽 浩一郎坂元 智成松島 徳彦
    • H01L31/04
    • H01L31/068H01L31/022425Y02E10/547
    •  p型の結晶Si半導体5と、結晶Si半導体5と接合してpn接合部を形成するためのn型半導体4と、n型半導体4上に設けられた電極1と、pn接合部を挟んで結晶Si半導体5側及びn型半導体4側に跨って形成される空乏領域10と、を備えた光電変換素子。空乏領域10のうち結晶Si半導体5側の領域5bを、電極1の側から見たときにこの電極1の下にある第一空乏領域5b1とそれ以外の第二空乏領域5b2に区分すれば、少なくとも第一空乏領域5b1中の酸素濃度は、1E18[atoms/cm 3 ]以下となっている。電極1の焼成工程を経た太陽電池において、高特性・高歩留まりが得られる。
    • 一种光电转换元件,包括p型晶体Si半导体(5),n型半导体(4),用于通过将晶体Si半导体(5)接合而形成pn结部分,设置在n型半导体上的电极(1) 型半导体(4)和形成在结晶Si半导体(5)和n型半导体(4)中的耗尽区(10)。 在耗尽区域(10)中,当从电极(1)侧观察时,结晶Si半导体(5)中的区域(5b)被分为电极(1)下方的第一耗尽区域(5b1),第二耗尽区域 区域(5b2),而不是第一耗尽区域。 至少在第一耗尽区(5b1)中的氧浓度低于1E18 [原子/ cm 3]。 具有电极(1)经受烧制的太阳能电池具有高特性和高产率。