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1. 发明申请

WO2004077579A1 発光素子及び発光素子の製造方法审中-公开
标题翻译：发光元件及其制造方法
公开(公告)号：WO2004077579A1
公开(公告)日：2004-09-10
申请号：PCT/JP2003/016322
申请日：2003-12-19
申请人：信越半導体株式会社 , 萩本和徳 , 山田雅人
发明人：萩本和徳 , 山田雅人
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/405 , H01L33/0079
摘要：本発明の発光素子１００では、発光層部２４を有した化合物半導体層の第一主表面を光取出面とし、該化合物半導体層の第二主表面側に、前記発光層部２４からの光を前記光取出面側に反射させる反射面を有した主金属層１０を介して素子基板７が結合された発光素子であって、前記素子基板７は、導電型がｐ型のＳｉ基板にて構成されるとともに、前記素子基板７の前記主金属層１０側の主表面直上には、Ａｌを主成分とするコンタクト層３１が形成されていることを特徴とする。これにより、金属層を介して発光層部と素子基板とを貼り合わせた構造を有する発光素子において、良好な導電性を有する発光素子と、その製造方法とを提供する。
摘要翻译：一种发光元件（100），其中具有发光层部分（24）用作光取出面的化合物半导体层的第一主表面和元件基板（7）被接合到第二主表面所述化合物半导体层通过具有将来自所述发光层部分（24）的光反射向所述光取出面侧的面的主金属层（10），其特征在于，所述元件基板（7）包括p基板导电类型和主要包含Al的接触层（31）直接形成在主金属层（10）侧的元件基板（7）的主表面上。具有发光层部分和元件基板通过金属层粘贴并呈现良好导电性的结构的发光元件及其制造方法。

2. 发明申请

WO2005008793A1 発光素子及び発光素子の製造方法审中-公开
标题翻译：用于发光元件的发光元件和生产方法
公开(公告)号：WO2005008793A1
公开(公告)日：2005-01-27
申请号：PCT/JP2004/009722
申请日：2004-07-08
申请人：信越半導体株式会社 , 萩本和徳
发明人：萩本和徳
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/405 , H01L33/0079
摘要：　発光素子１００は、発光層部２４を有した化合物半導体層の第一主表面を光取出面とし、該化合物半導体層の第二主表面側に、発光層部２４からの光を光取出面側に反射させる反射面を有した反射金属層１０ｃが形成される。そして、該反射金属層１０ｃが結合用金属層１０ａ，１０ｂを介して素子基板７に結合されるとともに、反射金属層１０ｃと結合用金属層１０ａ，１０ｂとの間に、該結合用金属層１０ａ，１０ｂの金属成分が反射金属層１０ｃ側に拡散することを阻止する反射金属層側拡散阻止層１０ｆが介挿されてなる。これにより、発光層部を反射金属層で覆い、さらに、その反射金属層を、別の結合用金属層を介して素子基板と貼り合せた構造を有する発光素子において、結合用金属層から反射金属層への成分拡散を効果的に防止でき、ひいては、該拡散による反射率低下などの不良を生じにくい発光素子を提供する。
摘要翻译：发光元件（100）使用具有发光层单元（24）的化合物半导体层的第一主表面和具有反射光的反射金属层（10c）作为光拾取表面从化合物半导体层的第二主面侧形成从发光层单元（24）到拾光面侧。反射金属层（10c）通过接合金属层（10a，10b）和防止接合金属层的金属成分的反射金属层侧扩散防止层（10f）接合到元件基板（7）（10c）和接合金属层（10a，10b）之间插入扩散到反射金属层（10c）侧的部分（10a，10b）。因此，具有发光层单元被反射金属层覆盖的结构的发光元件和反射金属层通过单独的接合金属层粘贴到元件基板，可以有效地防止元件从与反射金属层的接合金属层，因此不可能引起诸如通过扩散的反射率降低的缺陷。

3. 发明申请

WO2005010957A1 半導体貼り合わせ結合体及びその製造方法、並びに発光素子及びその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体粘合体及其生产方法及其发光元件及其生产方法
公开(公告)号：WO2005010957A1
公开(公告)日：2005-02-03
申请号：PCT/JP2004/009721
申请日：2004-07-08
申请人：信越半導体株式会社 , 萩本和徳
发明人：萩本和徳
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L21/2007 , H01L21/76254 , H01L33/0079
摘要：　第一半導体層１０４の貼り合わせ面Ａ上に形成された第一結合金属層５ａと、第二半導体層１０７の貼り合わせ面Ｂ上に形成された第二結合金属層５ｂとを介して結合された半導体貼り合わせ結合体１００において、第一半導体層１０４の貼り合わせ面Ａに、第二結合金属層５ｂよりも硬質の第一凸部６ａが形成され、第一結合金属層５ａと第二結合金属層５ｂとの結合界面に、当該第一凸部６ａに基づく起伏が生じてなることを特徴とする。これにより、貼り合わせ熱処理温度が低くとも十分な貼り合わせ強度を有する、複数の半導体層が結合金属層を介して貼り合わされた半導体貼り合わせ体、特に発光素子、及びそれらの製造方法を提供することができる。
摘要翻译：通过形成在第一半导体层（104）的粘贴面A上的第一接合金属层（5a）与形成在第二半导体层（104）的粘贴面B上的第二接合金属层（5b）接合的半导体粘贴接合体半导体层（107），其特征在于，在第一半导体层（104）的粘贴面A上形成比第二接合金属层（5b）硬的第一突起（6a），以在第一半导体层（104）的接合界面上形成起伏，基于第一突起（6a）接合金属层（5a）和第二接合金属层（5b）。因此，尽管粘贴热处理温度低，并且通过粘合金属层粘贴多个半导体层而形成的具有足够的接合强度的半导体粘贴体，特别是发光元件及其制造方法提供。

4. 发明申请

WO2004097948A1 発光素子及び発光素子の製造方法审中-公开
标题翻译：发光装置和发光装置的制造方法
公开(公告)号：WO2004097948A1
公开(公告)日：2004-11-11
申请号：PCT/JP2004/004420
申请日：2004-03-29
申请人：信越半導体株式会社 , 萩本和徳 , 池田淳 , 高橋雅宣 , 山田雅人
发明人：萩本和徳 , 池田淳 , 高橋雅宣 , 山田雅人
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/46 , H01L33/0079 , H01L33/02 , H01L33/387
摘要：　発光素子１００において、化合物半導体層６０と主金属層１０との間に、該主金属層１０と化合物半導体層６０との接触抵抗を減ずるためにコンタクト金属層３２が配置されている。そして、化合物半導体層６０の、コンタクト金属層３２と発光層部２４との間に位置する部分が、発光層部２４からの発光光束に対して透光性を有し、かつ、コンタクト金属層３２から発光層部２４への成分拡散を抑制する拡散ブロック用半導体層２５とされている。拡散ブロック用半導体層２５をＡｌＧａＡｓで構成すると、コンタクト金属層３２から発光層部２４へのＧｅ、Ｎｉ及びＡｕの拡散抑制に効果がある。これにより、コンタクト金属層及び反射用の金属層を介して素子基板を発光層部に結合した発光素子において、コンタクト金属層の合金化熱処理を行っても、該コンタクト金属層からの成分拡散の影響が発光層部に及びにくい発光素子を提供する。
摘要翻译：在化合物半导体层（60）和主金属层（10）之间配置有发光装置（100），设置有接触金属层（32），以降低主金属层（10）和化合物半导体层（60）。在化合物半导体层（60）中，接触金属层（32）和发光层部（24）之间的区域对于从发光层部（24）发射的光是透明的，并且作为扩散阻挡半导体层（25），以抑制组分从接触金属层（32）到发光层部分（24）的扩散。如果扩散阻挡半导体层（25）由AlGaAs制成，则产生抑制Ge，Ni和Au从接触金属层（32）到发光层部分（24）的扩散的效果。因此，即使通过接触金属层将器件基板与发光层部分接合的发光器件的接触层和反射金属层进行合金化加热处理，也可以将组分从接触金属层几乎不影响发光层部分。

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